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采用胶体晶体模板技术,结合磁控溅射工艺,制备出光电性能较为优异的 Ag反点阵列/TiO2/ITO三明治结构紫外探测器。通过扫描电子显微镜( SEM)、XRD、四探针测试仪及半导体参数测试仪对探测器的微观结构和光电性能进行了测试与表征。结果表明：反点阵列孔径对探测器光电性能影响较为显著;随着孔径增大,探测器的暗电流逐渐增大,光电流先增大后减小,响应时间逐渐延长;孔径为4.2μm时,探测器的光电性能达到最佳;孔径较大的反点阵列电极,具有较高的电导率、较低的紫外光透过率以及较大的光生电子-空穴的复合概率。 相似文献
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采用反应溅射和后续退火工艺,在石英衬底上制备具有热致相变特性的VO_2薄膜,并对薄膜的光学性能进行表征。研究发现:在弱光辐射下,随着温度的改变,薄膜的透射率在可见及近红外光区会发生显著变化,具有良好的相变光开关特性;在强光辐射下,制备的VO_2薄膜同样具有良好的红外光调制深度;当脉冲激光波长为1064 nm时,随着脉冲能量的逐渐增强,薄膜的表面反射率逐渐降低,光限幅性能呈现出先升高再降低的趋势,其透射率最低可降至7%,薄膜的脉冲激光损伤阈值约为50 mJ/cm~2。 相似文献
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