4H-SiC材料中刃型位错的仿真模拟研究

根据4H-SiC刃型位错的特点,在Castep软件中建立了6×6×1的刃型位错模型。基于第一性原理,利用Castep程序对刃型位错的相关性质进行了计算,并与完整晶格的模拟结果进行了对比。结果表明在引入刃型位错之后,4H-SiC材料的带隙变窄,在靠近导带底部态密度出现了一个新的峰值,这主要是由位错芯处的悬挂键在禁带中引入了一个缺陷能级所致。