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TA3多层板及TA3+TC4真空扩散焊   总被引:3,自引:0,他引:3  
介绍了TA3多层板及TA3+TC4真空扩散焊工艺,并进行了接头质量分析。结果表明,高的焊接温度造成了晶粒的长大。加压不均匀容易造成结合界面上孔洞收缩不彻底,而留有晶内微孔。TA3+TC4属于软硬结合,有利于界面孔洞的消失,但应注重焊前表面清理;以去除表面致密的氧化膜TiO2,避免接头氧化膜夹渣的产生。  相似文献   
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