相变光盘的介质优选及理论计算

 本文着重论述相变光盘的存储机理、介质优选、理论计算及光存储最新进展。     

金属离子注入的背散射分析

本文阐明用背散射进行物质分析的原理和实验方法。用1MeV的~4He离子对钛合金注入銦离子的背散射谱进行了分析研究,证实离子注入有可能成为提高材料耐磨性的一种新方法。