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1.
针对目标探测定位的快速发展中,军事领域主动雷达存在的缺陷和实现具有高度隐蔽性的目标检测技术的需求,提出一种基于被动磁矢量测量的目标扰动信号检测与定位技术。该方法利用磁传感器阵列测量目标产生的磁矢量扰动信息,通过滤波、门限检测、基函数展开等技术将有效扰动从复杂的背景场中提取出来,并结合速度估计、磁梯度张量矩阵算法研究任意目标位置的定位技术。理论和仿真结果证明了所提出的信号检测与定位技术的正确性,实地测试结果表明该方法具有较高的可行性和实用潜质。  相似文献   
2.
在磨球直径为0.3 mm条件下,采用机械球磨法制备出平均粒径为81.6 nm的CL-20/HMX共晶炸药。用扫描电镜(SEM)、X射线衍射分析(XRD)、拉曼(Raman)、红外(IR)以及撞击感度试验对CL-20/HMX样品进行了表征及测试。结果表明,球磨后样品的微观形貌呈类球形,粒度呈正态分布;机械球磨作用并没有改变原料的元素组成和分子结构,但XRD测试表明,球磨后的CL-20/HMX有新的晶相生成,拉曼和IR测试表明CL-20/HMX部分衍射峰发生偏移的原因是产生了C—H…O氢键。CL-20/HMX共晶的撞击感度较原料和CL-20/HMX共混物均降低了,在5 kg落锤下的特性落高H50为32.62 cm。  相似文献   
3.
柔性热膜微传感器应用于流体壁面剪应力测量时,流体温度对传感器输出有很大影响,因此有必要对工作在非标定温度下的传感器输出信号进行修正补偿。重点研究了水下测量时传感器输出与水温的关系以及温度修正方法。通过分析传感器过热比和流体物理性质与温度的相关性,建立了流体温度与传感器过热比和标定系数的函数关系。在此基础上,提出了一种用于水下剪应力测量的温度修正方法,可以有效减小水温对传感器输出的影响。经实验验证,该方法可以使工作在25℃、28℃水温环境下的传感器输出值与其20℃标定值的相对误差从23.7%和37.1%回落到0.82%和0.83%。  相似文献   
4.
为验证C/SiC复合材料喷嘴在液-固两相流实际环境中的应用可行性,采用化学气相沉积工艺和先驱体浸渍-裂解工艺制备了C/SiC复合材料喷嘴的,并充分结合工程化应用背景需求,对C/SiC复合材料喷嘴在实际应用环境中进行长寿命考核。基于C/SiC复合材料喷嘴在实际应用考核过程中表现出的冲蚀磨损特征,采用SEM手段分析了C/SiC复合材料喷嘴不同位置在液-固两相流中微观结构演变特点,并对其冲蚀磨损机理进行探讨。结果表明:C/Si C复合材料喷嘴从试验件入口段到出口段表现出逐渐加剧的冲蚀磨损程度,冲蚀磨损方式主要由冲蚀凹坑和热应力"崩块"组成,而"偏磨"现象产生的主要原因为C/SiC复合材料各向异性和液-固两相流的不均匀性所致。  相似文献   
5.
采用高能机械球磨法制备出平均粒径为58.1 nm的纳米TATB。利用SEM分析表征了纳米TATB的微观形貌,并统计了纳米TATB的粒度分布。利用XRD、IR和XPS表征了纳米TATB的晶型、分子结构和表面元素等。采用DSC和DSC-IR联用系统对纳米TATB的热分解活化能和热分解产物进行了分析。结果表明,纳米TATB的表观热分解活化能(ES=341.2 k J/mol)相比原料TATB(ES=354.4 k J/mol)降低了13.2 k J/mol,说明纳米TATB的反应活性更高。纳米TATB的主要分解产物为CO_2,同时伴有一定量的N_2O和NO_2生成。热感度实验表明,纳米TATB的5 s爆发点(T5s)高于原料TATB的T5s,说明纳米TATB的热稳定性更高。  相似文献   
6.
采用商用软件FLUENT对双三次曲线和维辛斯基曲线这两种收缩段曲线进行了数值模拟,旨在通过仿真结果为低速风洞收缩段的设计选择一种较为合适的曲线。从流函数、静压、速度图中可以看见,收缩段曲线采用双三次曲线时各截面参数均匀,可以达到很好的收敛效果,通过本次数值模拟计算可为低速直流风洞的设计及优化提供了重要的依据。  相似文献   
7.
介绍了一种应用于人工辅助心脏的永磁轴承无位置传感器盘式无刷直流电动机的结构与电磁场仿真计算方法及结果,并对其温度场进行仿真计算。该电机体积重量小,无机械轴承,避免了对血液的破坏,且运行安全可靠。  相似文献   
8.
在星间观测值数据传输中,由于种种因素有个别值与其他值截然不同,对定轨精度造成了严重的影响,必须对这些违反测量过程规律的异常测量值进行剔除。提出一种运用轨道积分器与设定随时间实时变化的门限值对星间距离观测值进行异常值剔除的方法。仿真结果表明,这种异常值剔除方法能够成功剔除观测误差大于等于180m的异常值,较精确、实时地剔除了对定轨结果影响较大的异常值,在卫星导航领域具有一定的应用价值。  相似文献   
9.
以甲烷(CH4)为碳源先驱体,以三维针刺碳纤维预制体为沉积基体,研究了化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)工艺过程中沉积时间、沉积压力以及预制体厚度对热解碳界面层沉积厚度的影响,并在此基础上优化了在碳纤维表面制备合适厚度的热解碳界面层所需的CVD工艺参数。结果表明,针对现有反应腔体,5 mm厚碳纤维预制体试样,采用1 000℃的沉积温度,CH4流速500 ml/min,沉积时间10 h,沉积压力5 kPa,可在预制体内外碳纤维表面沉积得到厚度合适的热解碳界面层;当碳纤维预制体厚度增至10 mm,则沉积时间应延长至15 h,压力维持不变,可沉积得到合适厚度的界面层。  相似文献   
10.
沉积温度对CVD-SiC涂层显微结构的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了采用化学气相沉积(CVD)方法在C/SiC复合材料表面制备SiC抗氧化涂层的情况.对不同工艺条件下制备出的SiC涂层,使用SEM,EDS和XRD分析了沉积层的物相和显微结构.结果表明:SiC涂层生长速度随沉积温度升高而升高,晶粒尺寸也随之增大;在较高沉积温度下,可以产生较大的沉积速度,但SiC涂层表面粗糙度将会增大.  相似文献   
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