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红外成像导弹的不断发展产生了这样一种需求即能完全表示红外场景的发生器。为了正确测试这些系统,就需要场景发生器具有非常大的动态范围。这是用电阻器加热元件阵列标准方法不易制成。本文描述了红外光学调制器的制造,它用于大动态范围及高帧速场景的生成。用加热可变反射率薄膜的方法产生调制,可通过反应溅射工艺,在一块适当厚度基片上生长一层二氧化钒(VO2)薄膜来实现。在大约68℃时,VO2历经了半导体向金属态的相变过程,就是利用反射率的相应变化制成了调制器。在生产高帧速器件过程中,VO2薄膜精确的化学成分至关重要。本文描述了透射型和反射型两种类型的调制器。 相似文献
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用溶胶-凝胶法在非晶玻璃上制备VO2薄膜,经过熔融、涂膜、烘干和热处理等工艺最后得到电阻相变2-3个量级的VO2薄膜。对烘干温度、熔融温度、膜厚和热处理温度对薄膜电阻开关特性的影响进行了研究。通过XRD(X-ray diffraction)和XPS(X-ray photoelectron spectroscopy)对薄膜的结构和价态进行分析,表明用溶胶-凝胶法制图VO2膜工艺简单,重复性好。 相似文献
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本文采用正交试验方法寻找Nb、V合金元素与变质剂的最佳组合以获得性能良好的球铁轧辊材料,比较NbV球铁与NiMo球铁的铸造性能、常规力学性能及断裂韧性,结果表明,NbV球铁不亚于NiMo球铁,可替代NiMo球铁生产轧辊。 相似文献
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采用水热合成法,以Ce(NO3)3·6H2O为铈源,分别制备了CeO2纳米片、纳米棒和纳米管等3种不同形貌的催化剂,并对其进行了化学结构和表面性能的表征;将这些催化剂用于催化臭氧化降解废水时发现催化剂的表面形态及反应体系的控制条件对催化效率具有显著的影响,其中CeO2纳米管表现出最优良的催化活性。在CeO2纳米管用量为0.5 g,臭氧投加量为15 mg/min时催化臭氧化反应2 h后,对体积为1 L、初始TOC浓度为100 mg/L的柠檬黄溶液中的有机物矿化率高达97%,因此,纳米CeO2作为催化臭氧化技术中新型催化剂具有很大的发展前景。 相似文献
5.
随着航天技术的发展,卫星的微型化对热控技术提出了挑战。可变发射率热控器件作为一种重要的航天器热控技术,对于航天器减小负载和体积,适应复杂多变的空间热环境具有重要的意义。基于热致变色技术的智能可变发射率热控器件可以根据环境温度实现智能热控,其结构简单,能最大限度地减小热控系统的体积和质量,是一种非常有潜力的航天器热控技术。概述了主动型和被动型两类可变发射率热控器件的基本原理和进展,并对钒氧化物基热致变色可变发射率热控器件的研究进展、存在问题予以了重点介绍,展望了未来航天器用可变发射率热控器件的发展趋势。 相似文献
6.
采用高温固相法合成了Nd2CexO3+2x(x=2.0,2.25,2.5,2.75,3.0)复合氧化物,在高温合金基体上采用等离子喷涂制备了该材料热障涂层.XRD分析结果表明Nd2CexO3+2x粉末和涂层均为立方萤石晶体结构.考察了CeO2含量对Nd2CexO3+2x的力学性能(弹性模量、维氏硬度和断裂韧性)和等离子喷涂涂层在1250℃抗热震性能的影响.随着CeO2含量增加,材料的弹性模量降低,维氏硬度和断裂韧性提高.通过提高初始粉末中CeO2的含量,获得了组成接近化学计量比Nd2Ce2O7的涂层,涂层的抗热震性能增强,热循环次数达到1000次以上.Nd2CexO3+2x涂层的失效原因主要是:与金属基体之间热膨胀系数不匹配、粘结层氧化和涂层烧结. 相似文献
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介绍了铬钼钒淬硬件的加工过程中以车代磨的加工方法。采用立方氮化硼车刀和测量过程中加粘测量垫块的方法,解决了原加工工艺无法保证的粗糙度和精度,改变和扩大了量具的测量范围。 相似文献
8.
型号专用产品底盘采用双扭杆独立悬挂装置,有严格的技术要求,在整个加工过程中热处理是关键工序。为提高扭力杆的承载能力,试验了回火温度对45CrNiMoVA钢制扭力杆的硬度,抗拉强度、屈服强度、延伸率、断面收缩率、冲击韧性、强扭及疲劳寿命各项性能的影响。在淬火温度和冷却介质相同的情况下分别采用了450℃保温3h和390℃保温3h的两种回火规范。试验结果表明:用450℃3h回火的扭力杆,各项性能指标均达不到设计要求,而用390℃、3h回火后则都达到设计要求,疲劳寿命大于1×10~5次。在整车试验中扭力杆没有发生问题。该工艺已通过基地级鉴定。 相似文献
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VO2热致变色薄膜的结构与光电性能研究 总被引:4,自引:0,他引:4
研究了用磁控溅射制备的VO2热致变色薄膜,用X射线衍射,X射线光电子谱和原子力显微镜对薄膜的结构进行了分析,对薄膜的光学和电学特性也进行了研究。 相似文献
10.
设计了基于VO_2的非对称FP腔薄膜结构的智能热控涂层,并应用光学模拟计算的方法研究了不同膜层厚度对薄膜结构辐射率的影响,以及辐射率随角度的变化规律。计算结果表明,当相变层VO_2层的厚度从15 nm增至120 nm时,薄膜结构的辐射率变化Δε先增加再减小,VO_2厚度为50 nm时,Δε达到最大,约为0.6。介质层HfO_2的厚度主要影响多层薄膜结构的高温吸收带位置,但Δε在HfO_2层厚度为800~1 000 nm,均可达到约0.6的最大值。多层薄膜结构在0°~70°,仍保持明显的辐射率变化,Δε在0.4以上。 相似文献