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1.
运用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)技术制备了W体积分数分别10%,13%和18%的Ta/W两层层状复合材料,采用金相显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)和室温拉伸实验对复合材料的性能进行分析。结果表明:运用CVD技术可以制备W体积分数不同,且密度优于理论密度99.4%的层状复合材料;复合材料中Ta,W层的晶粒均为柱状晶粒,离界面越近,晶粒越细;沉积态复合材料的力学性能优于纯CVD Ta和CVD W;1600℃×2 h的热处理后,复合材料的界面扩散层宽度显著增大,力学性能高于沉积态的力学性能,最高抗拉强度可达660 MPa。 相似文献
2.
敖建平 《南昌航空工业学院学报》2003,17(1):37-40
本文对氯化钾镀锌在大规模生产中存在的故障进行系统的研究和分析,发现镀锌层的主要故障有发花、发雾、碰伤、掉膜、淋漆等。选择好的光亮添加剂、加强镀锌后清洗,改进下挂方式、调整浸漆工艺等,并加强管理是有效提高产品一次性合格率的主要措施。 相似文献
3.
采用药剂稳定化、水泥固化以及二者结合等方法对锌渣进行了处理研究。结果表明重金属螯合剂的药剂稳定化和水泥固化相结合的方法处理锌渣,其重金属含量可以低于固体废物毒性浸出标准的限值,能有效控制对周围环境的污染。所以,采用药剂稳定化和水泥固化结合的方法处理锌渣是完全可行的。 相似文献
4.
CVD铱涂层/铼基复合喷管研究进展 总被引:15,自引:2,他引:13
介绍了高温抗氧化铱涂层/铼基复合喷管的化学气相沉积制备工艺,并就铱,铼的有关性能,CVD铱/铼复合中元素的扩散,铱/铼合金的氧化行为及寿命预测等理论研究作了评述。 相似文献
5.
6.
7.
研究了制备工艺对微波等离子体CVD金刚石成膜质量的影响。详细讨论了基片在等离子体中的位置、基片台结构、N2等离子体预处理及启动条件对金刚石成膜均匀性的影响。提出了能获得均匀金刚石膜的制备工艺程序。 相似文献
8.
概述了CVD—Si3N4陶瓷及其复合材料在干燥氧气下的氧化行为。Si3N4陶瓷在高温下氧化时,除生成SiO2保护膜外,还生成一薄层比SiO2膜更优异的氧气扩散阻挡层(Si—O—N化合物层),该层具有优异的抗氧化性能。介绍了两种氧化机制模型,同时分析了温度、杂质等对CVD—Si3N4陶瓷氧化行为的影响。 相似文献
9.
采用CVD工艺,以AlCl3-SiCl4-H2-CO2为先驱体气相体系,在石墨纸上于550℃制备出Al2O3-SiO2复合氧化物涂层,通过DTA和XRD分析了该涂层的莫来石化过程.该涂层由γ-Al2O3和非晶SiO2组成,其DTA曲线有四个典型峰,793℃弱的放热峰为开始莫来石化峰;984℃尖锐的放热峰为γ-Al2O3向δ-Al2O3转化峰;1240℃弱的吸热峰为δ-Al2O3向α-Al2O3转化峰,该过程比较缓慢;1337℃强的放热峰为莫来石形成峰,发生在δ-Al2O3与SiO2之间.结果表明,该CVD过程不具氧化性,对C不腐蚀,制备的Al2O3-SiO2涂层经1350℃热处理2h可转化为莫来石结合α-Al2O3. 相似文献
10.
以CH3SiCl3 H2体系在1000~1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVDSiC涂层的组织结构。结果表明,随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的沉积速率相应增大;1000~1200℃沉积过程为化学动力学控制过程,1200~1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃沉积的SiC涂层表面粗糙、多孔;随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的晶体结构趋于完整,当温度超过1150℃时,涂层中除β SiC外还出现了少量α SiC。 相似文献