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为研究不同钝化工艺栅介质用SiO2薄膜的高能电子辐射缺陷特征,采用能量为1 MeV的高能电子在辐照注量为1×1015 e/cm2、5×1015 e/cm2和1×1016e/cm2下对三种不同钝化工艺(I,700 nm SiN + 500 nm PSG;II,1.2 μm SiN;III,700 nm PSG + 500 nm SiN)的SiO2薄膜进行了辐照试验。拉曼光谱和X射线光电子能谱结果表明I和III钝化工艺SiO2薄膜形成了非晶硅及双氧根离子,傅立叶红外光谱结果表明I钝化工艺SiO2薄膜形成缺陷结构未知的A1、A2、B1及B2缺陷;II钝化工艺SiO2薄膜形成A1、B1、及 缺陷;III钝化工艺SiO2薄膜形成A1、 及B2缺陷。 相似文献
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