泡沫碳化硅中碳化硅纳米线的原位生长及结构表征

利用蛋白质发泡法制备泡沫SiC陶瓷,以聚碳硅烷(PCS)为先驱体,采用化学气相沉积(CVD)工艺在泡沫SiC中原位生长出大量SiC纳米线。使用X射线衍射仪,扫描电子显微镜和透射电子显微镜对纳米线的物相组成和微观形貌进行表征。结果表明,纳米线直径为100～200nm,长度达到数百微米,均匀分布在泡沫SiC的气孔中,纳米线由沿1 1 1方向生长的β-SiC晶体组成,在纳米线顶端未发现球状催化剂存在,表明其生长机理主要为气-固(VS)生长机理。     

孔隙预置技术制备多孔C/SiC复合材料及其性能表征

以玻璃纤维为成孔剂,采用孔隙预置技术制备了发汗多孔C/SiC复合材料.对孔隙结构进行了表征,并研究了材料的力学性能和渗透行为.研究结果表明,采用孔隙预置技术能够有效地实现多孔 C/SiC材料开孔率和孔隙结构控制,该材料具有良好的力学性能和渗透性能.     

C/SiC复合材料反射镜研究进展

反射镜在空间光学系统中起着非常关键的作用,目前已发展到第四代C/SiC复合材料。C/SiC复合材料具有低密度、高模高强、结构设计灵活等优点,已成为非常重要的新型反射镜材料。本文对四代反射镜的特点进行了归纳和对比,对C/SiC复合材料反射镜的结构设计、几种常用的制备工艺进行了整理和总结,并对目前国内外的研究进展进行了综述。     

CVD过程中温度对SiC涂层沉积速率及组织结构的影响

以CH3SiCl3 H2体系在1000～1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVDSiC涂层的组织结构。结果表明,随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的沉积速率相应增大;1000～1200℃沉积过程为化学动力学控制过程,1200～1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃沉积的SiC涂层表面粗糙、多孔;随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的晶体结构趋于完整,当温度超过1150℃时,涂层中除β SiC外还出现了少量α SiC。     

先驱体转化法制备SiC／Si_3N_4复相陶瓷异型件──成型工艺研究

研究了以先驱体为粘合剂制备ＳＩＣ／Ｓｔ３Ｎ４复相陶瓷异型件的成型工艺，以及各成型工艺参数对后续烧成、烧结工艺和制品性能的影响。     

添加剂对聚碳硅烷热解制备的SiC/SiC复合材料性能的影响

本文就用添加剂来改善用聚碳硅烷热解制备的SiC/SiC复合材料的性能,及添加剂对SiC/SiC复合材料性能的影响进行了初步的探讨,对用热解法制备SiC/SiC复合材料的烧成增强机制和显微结构与强度之间的关系也作了研究。     

气相渗硅制备C/SiC复合材料

C/SiC复合材料具有轻质、高比强度、高比模量、高热导率、低热膨胀系数、耐磨损、热稳定性好等诸多优点,是新一代高温热结构材料,在空间光学系统、飞行器热防护系统、车辆和飞机的制动系统等领域得到了广泛的应用。本文首先对C/SiC复合材料的优良性能和制备工艺作简要介绍,随后重点介绍气相渗硅制备C/SiC复合材料的工艺设计及工艺优化研究,最后,对气相渗硅制备C/SiC复合材料需要进一步解决的问题作了小结。     

先驱体转化法制备改性SiC吸收剂研究

在聚碳硅烷先驱体中掺混Ｎｉ、Ｃｏ等纳米金属微粉,在Ｎ２气氛中裂解至１０００℃,得到改性碳化硅吸收剂,通过ＴＧ、ＩＲ等分析手段,研究了该裂解反应的过程,分析了裂解及热处理产物的相组成,讨论了原料中纳米金属含量、裂解（热处理）条件等地吸收剂的微波电磁参数的影响。