无损检测用钴-60γ源

无损检测用钴- 6 0γ源采用厚度为0 .4mm的镀镍金属钴片或Φ1mm×1mm的镀镍金属钴片作为靶材料,经高通量反应堆的热中子辐照后,按59Co(n·r) 60 Co核反应生成高比活度钴- 6 0 ,然后将其定量分装在双层不锈钢(1Cr18Ni9Ti)包壳内,内外包壳均氩弧焊密封,即制成无损检测用钴- 6 0γ源。经浸泡法和γ计数法检验源的泄漏和表面污染,完全符合GB4 0 76规定。钴- 6 0源结构合理,工艺成熟,质量可靠,使用安全,其主要技术指标达到国际同类产品水平;发射出的γ能量高(1.17MeV和1.33MeV) ,穿透能力大,主要用于厚度为5 0mm～2 0 0mm ,钢铁工件的无损检…     

SR107-ZK在空间辐照下的物性变化

研究了SR107-ZK在紫外辐照、质子辐照和综合辐照环境下太阳吸收率αs的退化情况,利用XPS和SEM对样品表面的成分和形貌进行了分析.结果表明：SR107-ZK的αs受紫外辐照影响较小,但是在质子和综合辐照条件下,αs退化明显.紫外辐照会对SR107-ZK的硅橡胶黏合剂产生裂解作用,这种作用在带电粒子的协同辐照下更加明显.     

空间环境对漫反射板的影响

光学系统在空间环境条件下的衰变对卫星遥感仪器探测精度有重要影响．漫反射板是星载光学遥感仪器辐射定标的重要工具．本文通过对ＡＤＥＯＳ／ＴＯＭＳ和Ｅａｒｔｈ Ｐｒｏｂｅ／ＴＯＭＳ仪器馒反射板漫反射率衰变特性的比较，分析研究了原子氧和太阳紫外辐射对漫反射板的影晌．结果表明，太阳紫外辐照和原子氧剥蚀引起的漫反射板反射率衰变系数分别为０．０００４９／ｈ和１．２ × １０－１７ｃｍ２，但在卫星入轨初期，太阳紫外辐照的影响可增加约４倍．     

准直光学系统热变形对太阳模拟器性能影响研究

为了给太阳模拟器系统热管理提供可靠的技术依据，研究了准直光学系统热变形对系统性能的影响。选取项目组自主研发的高精度太阳模拟器准直光学系统作为研究对象，利用有限元软件仿真实际工作条件下各光学元件表面温度及热变形分布，将通光表面变形数据拟合为泽尼克系数导入光学设计软件中，分析热变形对系统准直角误差及辐照均匀度影响。研究结果表明：在未采取温控措施的自然对流条件下，热变形造成±1′的准直角误差和41.3%的辐照不均匀度，超出允许范围，需进行温控。通过光机集成分析法，给出了不同温度下，对流系数与热变形导致的准直角误差和辐照不均匀度对应关系，为风冷温控系统工程化设计提供了依据。     

抗辐照PROM 6617在单片机中的具体应用

美国ＨＡＲＩＳ的程序器ＰＲＯＭ６６１７由于其芯片管脚及功能与ＥＰＲＯＭ２７１６完全兼容且又具有耐辐照性能而日渐被航天设计人员所认识和应用。但其内部结构又与２７１６所不同，若忽视这一点，只因管脚和功能完全兼容而用２７１６的典型应用电路设计６６１７的话，６６１７肯定无法正常工作。文章详细分析了６６１７的结构特点及其与２７１６的区别，并给出了其在８０Ｃ３１单片机中的具体应用电路及其与２７１６兼容使用的电     

几种热控涂层的真空-紫外辐照试验

无机热控涂层是航天器常用的一类热控涂层.文章采用上海硅酸盐研究所研制的真空-紫外辐照装置,选用合适的加速倍率,对国内几种常用的热控涂层进行了10000ESH以上的辐照试验,原位测量了各阶段试验样品的太阳吸收比,获得了这些热控涂层的太阳吸收比变化曲线,验证了热控涂层的"漂白效应".相关研究结果可以为热控制专家进行热设计时...     

空间带电粒子辐照效应的地面加速试验研究

空间带电粒子辐照下空间材料的损伤与失效是空间材料学研究的重要组成内容，地面模拟加速试验是研究材料辐照损伤效应的重要方法和技术途径。文章阐述了地面辐照加速试验的方法及相关概念，以光学石英玻璃为例验证辐照加速试验与模拟等效区间的概念，为当前研究材料在空间带电粒子辐照环境条件下的行为与航天器设计、选材提供科学依据。     

紫外辐照装置研制

紫外辐照装置是Φ800mm 空间综合环境模拟设备的重要组成部分。这一综合环模设备用来研究卫星表面带电紫外辐照效应及卫星温控涂层紫外与电子辐照综合环境效应等。本文介绍了紫外辐照装置的光学系统和机械结构设计特点和所达到的技术指标,并对今后的改进工作提出建议。     

典型国产双极工艺宇航用稳压器单粒子闩锁 效应研究

通过对某国产双极工艺宇航用稳压器进行不同LET值重离子辐照试验，实时监测器件输出电压的变化幅度和器件供电管脚电流，准确评估了器件抗单粒子效应性能。研究结果表明器件发生单粒子瞬态效应阈值小于5 MeV·cm 2·mg -1 ，当辐照重离子LET值增加至37.37 MeV·cm 2·mg -1 时，诱发器件产生单粒子闩锁效应，器件供电管脚电流由6 mA陡增至24 mA。在分析重离子试验数据的基础上，借助脉冲激光获得了器件内部单粒子效应敏感区域位置和结构特征。分析认为由于芯片内部多个功能模块共用一个隔离岛，同一个隔离岛内的器件之间形成的寄生PNP管与隔离岛内NPN管形成了PNPN可控硅结构，当入射重离子LET值足够大时将诱发寄生PNPN结构导通，进入闩锁状态。采用模拟软件Spectre实现了电参数级的瞬态故障注入模拟，复现了该双极工艺结构下单粒子闩锁效应现象。