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日本三菱公司最近成功地生产出耐受辐射能力极高的产品,在轨道上可工作十年,性能不下降,一般可达到卫星本身的寿命。普通的MOS结构的64k静态RAM由于在辐射影响下会发生自锁和软错误,故在上述同样的环境下仅能用一年。三菱公司搞的新型静态RAM的另一个特点是,集成度在至今所生产的人造卫星专用存贮器大规模集成电路,及超大规模集成电路中是最高的。早先,此类存贮器的最大容量为4k。这种新芯片获得如此高的抗辐射能力的关键之一,是使用改进了的单晶硅薄膜基片。另一个因素是将芯片在制造过程中所承受的温度下降至900℃,大约下降了100℃。 相似文献
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张萍毛立勇马艺薇郑涵之 《宇航计测技术》2023,(3):66-71
为实现高效测量,减少多种类型被测器件导致的测量参数设置复杂问题,本文通过分析微波网络S参数测量系统的工作原理和性能特点,采用C#多线程、模块化结构设计出S参数自动校准软件,对S参数测量系统建立被测器件的类型、标准件的参数以及测试流程等数据库,同时建立被测参数的测量不确定度模型。基于矢量网络分析仪结合自动校准软件实现反射参数与传输参数的测试,通过试验可发现,采用自动化校准软件的测试结果与手动测试结果具有较高的一致性。 相似文献