黑色金属室温薄膜磷化工艺研究

本文总结了在室温条件下于碳钢表面进行磷化处理的研究概况。研制了弱碱性和中碱性的高效能除油液;在表面调整剂中添加了SJ稳定剂,提高了表面调整剂的质量;研究出了以锌盐为主盐的室温磷化配方及工艺。所得磷化膜和磷化膜—涂膜的质量达到或超过了GB6807-86中规定的技术要求,与国际上应用的帕卡濑精磷化工艺相当。本工艺的优点是磷化处理在室温(16～35℃)进行,从而大大节约了能源、减少了对环境的污染。     

层间增韧复合材料研究

研究了一种采用在复合材料层压板间插入韧性薄膜的方法，改善复合材料层压板层间韧性和损伤容限的技术。有限元分析和层间断裂韧性试验结果表明，层间加胶层复合材料层压板的层间应力有明显下降，层间断裂韧性有显著的增加。     

侧壁有出流孔的通道流场实验研究

用五孔探针对侧壁开有出流孔的通道流场进行了详细测量，着重研究出流孔上、下游截面内的流动规律,分析了错排孔对通道流场的影响。实验发现出流孔上游各截面内的流动沿流向呈加速趋势，其下游截面的流速先急剧减缓，然后逐渐加速直至下一出流。距孔最近的上游截面内气流明显向孔偏转，由于惯性作用，孔下游各截面内的二次流仍很显著。     

AB型聚酰亚胺单体的合成及气相沉积聚合研究

合成了三种AB型聚酰亚胺单体:4-(4-氨基苯氧基)邻苯二甲酸(单体4),4-(3-氨基苯氧基)邻苯二甲酸(单体7)和对(间)乙基4-(3-氨基苯氧基)邻苯二甲酸酯(单体8或9)。利用热失重分析(TGA)对比研究了这三种AB型聚酰亚胺单体的热行为。结果表明,单体4、单体7和单体8(9)在升温的过程中能发生热聚合生成聚酰亚胺。将单体4用于气相沉积聚合设备,得到了均匀透明的聚酰亚胺薄膜。对分子结构的修饰使单体8(9)较之单体7有更好的挥发性。     

气膜出流条件下回转通道流动特性的实验研究

采用实验方法研究气膜出流条件下带肋回转通道流动特性,其中回转通道为带90°直肋变截面通道。根据研究问题的特点,利用单元分析方法,定义了壁面有效压力及单元有效压力系数。结果表明:通道出口段存在气膜出流与无气膜出流情况相比出口段有效压力分布发生变化,并且使整个通道的流阻下降。影响流动的主要因素是通道的阻塞比、长径比、宽高比、气膜出流比和进口雷诺数。     

薄膜温度传感器的研制及应用

一种新型的薄膜温度传感器,采用真空镀膜的方法制作在涡轮叶片表面,两者构成一体,可以真实反应表面温度。传感器的质量小、响应快,对叶片内部换热和表面燃气流无干扰。 传感器的敏感元件为铂姥_(10)-铂热电偶,测温上限可达1000℃,测量精度为±3％。     

高能CO2激光腔镜高反介质薄膜的传输特性

为了获得适用于高能CO2激光器的高抗破坏阈值高反薄膜,以10.6μm高反膜ZnSe/YbF3,PbTe/BaF2膜系为例,数值模拟了激光在高反介质膜中的传输的场特性;给出了激光在多层介质膜中的场强分布、温度场分布及热应力分布。结果表明硅镜基体上的PbTe/BaF2膜系所需膜层厚度小、膜层数少,反射率可高达99.98%。     

涡轮叶片表面气膜冷却效率的实验研究

采用放大的叶片模型，利用大尺寸低速线性叶栅风洞进行实验，测量了涡轮导向叶片表面不同位置单排气膜孔的气膜冷却效率，研究了孔排位置、吹风比及来流雷诺数的影响。风洞实验段由3个叶片组成，其中中间的叶片为试验叶片，由优质木材制成。试验叶片表面上开有15排气膜孔，其中吸力面3排，前缘区6排，压力面6排。实验的参数变化范围是：基于叶片弦长的来流雷诺数250000-450000，吹风比0．5-2．5。结果表明，由于气膜孔排位置的不同，其下游冷却效率受来流雷诺数及吹风比影响的变化趋势也有所不同。     

气膜冷却流场的实验研究和数值模拟的分析

用Ｘ型双丝热线探头对扇形气膜孔射流下游流场的测量结果表明，湍流因射流的注入而显著增强，并存在十分明显的各向非同性。传统的应力和速度梯度的涡粘关系仍然适用于气膜冷却流场，但应该在不同的方向上分别对湍流粘性系数进行修正。标准ｋ－ε湍流模型可成功地模拟孔内流动和流向倾角α较小时的掺混气膜冷却流场，但在α较大时的孔中线附近区域内的流场模拟是不成功的，并导致冷却效率的模拟失败。     

数据格式转换技术在精密测量中的应用

叙述了为提高数据传输可靠性,在接收精密仪器所采集的数据过程中考虑将原有RS232串口通信,改进为USB接口通讯。但是接收到的信号出现了不明原因的周期性强干扰。为此,通过分析USB/RS232转换原理及A/D采集输出数据特点,对原软件的数据采集部分增补了具有特殊功能的子程序,使得应用程序可以自行恢复数据的完整性。此方法具有通用性,可在不同软件编辑环境中实现,且不影响硬件组成。文中又详细介绍了在薄膜厚度在线测量中应用上述USB接口通信的情况,实测结果表明试验取得了预想的效果。改进后的电容测量系统具有更为广泛的应用前景。