修正曲率及雷诺正应力对分离流的影响

应用Ｓｔｒａｗｎ＆．Ｋｌｉｎｅ的准同时粘性／无粘流匹配模型，于动量积分布方程中加入了曲率和雷诺正应力两个二阶修正项，计算了二维不可压湍流附面层分离流地。文中首先分析推导了新的曲率修正公式，给出了两个算例，比较了修正项对计算结果的影响，并与实验做了对比。     

分享勇往直前的喜悦

最近在星空卫视很欣喜地发现了一档全新的节目——《勇往直前》，这是一档精彩的汽车竞赛类节目．每期都有六组参赛踏遍五湖四海．挑战路途中的重重困难只有到达终点并且拿到过关证明才算胜利。自节目开播以来．我们全家每期必看我们的心总会跟着参赛选手们的表现而起伏不定．和他们一起分享成功的喜悦．体会失败的滋味！短短半小时的节目却总能让我们回味许久。     

测定脉冲压力的方法

测量气体的脉冲压力时,广泛地采用了压电式传感器。应用这种传感器的主要困难是:不仅需要单独校准,还需要测量系统的时间特性稳定。为此,一般都采用能获得陡直压力前沿的激波管。但这种方法测量起来很复杂,而且,又有了一个如何确定激波压力增量值的问题,尤其在精确测量时更是如此。要计算激波压力就需要知道初始压力、声     

一种线运动扰动环境下基于惯性凝固系抗干扰自对准优化算法研究

传统惯性凝固性对准技术可有效隔离角运动干扰环境对捷联惯导自对准精度的影响,但对线运动环境下的抗干扰能力不足.据此,在深入分析线运动干扰对捷联惯导惯性凝固系下自对准精度影响途径之上,对线运动干扰环境划分为速度周期波动、突跳以及速度短期线性漂移.提出采用积分降噪、载体惯性系速度递推拟合与基于带遗忘因子递推最小二乘的速度慢漂提取技术相结合的抗干扰自对准优化算法,并进行了试验验证.试验结果表明,本算法可在5min内实现1.3mil的抗干扰自对准精度.     

缺口件疲劳寿命预测新方法

采用有限元方法针对缺口件多轴疲劳实验结果进行模拟。结果表明,相同路径条件下,随着缺口半径减小缺口根部附近的应力梯度显著增加。基于缺口根部应变值,采用等效应变法进行疲劳寿命预测,预测结果随缺口半径的减小而偏于保守。采用应力梯度法确定有效距离,相同路径下,随着缺口半径的减小有效距离减小;依据该有效距离处的等效应变进行疲劳寿命预测,总体预测结果较为分散且偏于不安全。基于实验及有限元模拟结果,提出了基于应变梯度的有效距离确定的新方法,大部分疲劳寿命预测结果位于2倍分散带内。     

基于确定学习理论的轴流压气机系统分岔预测

针对轴流压气机系统中的分岔预测问题,基于简化的Moore-Greitzer 3阶压气机模型,分析了该系统中存在的分岔现象;利用最新发展的确定学习理论,对压气机系统随着γ参数变化出现的几种典型模态的相关系统动态进行辨识,并将所学知识保存成常值RBF神经网络以构成模式库;利用该模式库构建1组嵌入了常值RBF神经网络的动态估计器;将测试模式与估计器相比,得到1组残差,并利用动态模式识别方法的残差最小原则实现了对Pitchfork分岔的预测。     

飞机机翼着陆滑跑动态性能分析

飞机着陆滑跑过程中,机翼结构将受到较大的冲击作用和振动激励。为预判结构局部危险部位,给结构强度设计提供参考,需对机翼着陆滑跑过程中的动态性能进行分析。创新性地考虑了飞机滑跑速度和气动力的变化,为有限元计算提供可靠的外载输入,并合理设置约束条件,建立半机体有限元模型,降低计算规模。最后提取机翼各站位处的载荷响应峰值,做出动响应包线,预判结构局部危险部位,如机翼根部,为结构强度设计提供参考。     

空天报国 务实进取--走进北航航空宇航先进焊接技术科研团队

北京航空航天大学航空宇航先进焊接技术科研团队始建于1955年。经过多年建设发展,在航空宇航先进焊接材料、工艺、装备、自动化以及焊接结构完整性及断裂控制等方面形成了鲜明的研究特色与技术优势。团队目前由近30名固定教学科研人员组成,以立德树人为根本,秉承"空天报国、务实进取"的工作作风,取得的系列科研创新成果为我国航空航天若干重点型号产品的研制生产提供了有力支撑和技术保障,同时承担机械工程相关专业热制造课程群的教学与改革研究,多年来培养了大批高水平人才。     

乘坐电梯去太空

对于普通人来说，上太空观光最便捷的方法是什么？答案很简单，乘坐太空电梯。然而，要实现这个看似简单的计划却十分不易。这是一个十分浩大的工程，投资大，技术要求高。尽管如此，日本一家公司还是迎难而上，准备在40年内建成太空电梯，每次可搭乘30名乘客升到距离地球3．6万千米的太空中。     

电离辐射对部分耗尽SOI器件关态电流的影响

针对辐射前后环栅与条栅结构部分耗尽绝缘体上硅(SOI,Silicon On Insulator)器件关态电流的变化展开实验,研究结果表明辐射诱使关态电流增加主要取决于侧壁泄漏电流、背栅寄生晶体管导通、带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应.在条栅结构器件中,辐射诱生场氧化层固定电荷将使得器件侧壁泄漏电流增加,器件前、背栅关态电流随总剂量变化明显；在环栅结构器件中,辐射诱使背栅晶体管开启将使得前栅器件关态电流变大,而带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应将使得器件关态电流随前栅电压减小而迅速增加.基于以上结果,可通过改良版图结构以提高SOI器件的抗总剂量电离辐射能力.