激光器性能综合测试设备研制

介绍了激光器的主要性能指标,根据实际需要进行了激光性能测试设备的研究,提出了一种周全的激光性能测试设备研制方案,对该设备的结构设计、光路设计、以及测试方法作了详尽论述。设备中利用两对相互垂直的P分光镜和S分光镜以补偿偏振光在45°面上透反射率不同而造成的测量误差,进一步保证了激光能量测试的准确性。误差分析结果表明该设备满足实际应用中对激光器性能的测试要求。     

美实地测试诺·格公司100千瓦固态激光器

据诺斯罗普·格鲁曼公司网站2010年2月19日报道，诺斯罗普·格鲁曼公司固态激光系统正在新墨西哥州高能激光系统测试工厂进行实地测试。在与美国陆军太空与导弹防御司令部白沙导弹靶场测试合作之后，BAE系统公司与诺·格公司签订了合同，把联合高功率固体激光器第三阶段系统从加州激光工厂搬迁到新墨西哥州工厂。实地测试预计在今年展开。     

魅力无穷的太空发电站

在1876年，两位英国科学工作者亚当斯和戴首先发现：用硒半导体可以把太阳光直接转变成电能。尽管这种转变的效率只有1％，即用100瓦的太阳光能只能得到1瓦的电能，但这仍然是一个历史性的发现和突破!太阳光能的转变效率至今仍停留在20％的水平上，预计不久可提高到30％～40％。     

Ⅲ—Ⅴ族四元固溶体中原子近邻及次近邻的键长表达方式

基于ＦＤＵＣ模型和Ⅲ－Ⅴ族元素共价半径不变的假设，本文出了Ⅲ－Ⅴ族固溶体中原子近邻和次近邻的键长表达式。这套键长表达式除依赖于四个Ⅲ－Ⅴ族元素的含量（ｘ，ｙ）外，只与四个纯化合物的晶胞参数或这四个Ⅲ－Ⅴ族元素的共价半径有关。而且也含盖了相应的伪二元固溶体的情况。本文还对其他的理论模型作了进一步的比较和讨论。     

(001)SiO2衬底上LiNbO3光波导薄膜的制备

采用脉冲激光淀积技术，在（００１）取向的ＳｉＯ２衬底上制备了ＬｉＮｂＯ３薄膜。为了防止淀积过程缺氧，往淀积腔内充入１０～１５Ｐａ的流动氧气，淀积速度０．３～１．０ｎｍ／ｍｉｎ，淀积时间１ｈ，淀积结束后，充入０．６Ｐａ的氧气，在６５０℃保温０．５ｈ。采用ｘ射线衍射和扫描电镜对ＬｉＮｂＯ３薄膜的微观结构及表面形貌进行了检测。结果表明：ＬｉＮｂＯ３薄膜具有（０１２），（０２４）典型的ＬｉＮｂＯ３粉末晶体衍射峰，薄膜成分晶体结构比较纯净，而且薄膜表面光滑。利用棱镜耦合法将波长为０．６３８μｍ的激光束耦合到ＬｉＮｂＯ３薄膜中，观察到ＬｉＮｂＯ３薄膜具有较好的光波导性能，可望应用于非线性光学器件     

美机载激光器击中导弹靶弹

据报道，2月12日美国波音公司研制的机载激光武器成功击中了一枚类似弹道导弹的靶弹，这次试验是机载激光武器首次击落由液态燃料驱动的弹道导弹，标志着这项历时16年耗资60亿美元的项目达到了一个新的里程碑。     

自主创新 科学发展 努力向国际一流电子技术大所迈进

中国航天科技集团公司第九研究院第771研究所始建于1965年10月,地处古都西安,是全国唯一的集专用微计算机、半导体集成电路和混合集成电路科研生产为一体的大型专业研究所,现有在职职工4855人,各类专业技术人才2300余人。45年的发展中,771所创造了我国计算机和集成电路发展史上的＂十个第一＂,成功参加了以神舟飞船、嫦娥一号、二号探月卫星等为代表的780余次国家重点工程研制及发射任务,为我国航天事业的崛起与腾飞作出了重要贡献。共取得科研成果2000多项,其中国家级40项,省部级240项。     

原子传感用垂直腔面发射激光器研究进展

垂直腔面发射激光器(Vertical-cavity Surface-emitting Laser,VCSEL)是半导体激光器家族中的最重要成员之一,因其具有单纵模、低功耗、光束易整形等一系列独特优势,是多种微型化原子传感器的理想光源。围绕原子传感这一应用需求,国内外多个科研机构和企业对Rb原子和Cs原子传感用VCSEL开展了不同层次的研究,主要对其中的代表性研究进展进行综述。     

多路并联半导体桥点火器同步发火故障机理研究

半导体桥点火器在工程应用中通常为多个产品并联在同一供电回路中使用，以实现火工装置同步点火。在实际应用中有时会出现某个火工装置点火失败的现象。当前，研究主要集中在半导体桥点火器本身电阻变化对单路点火过程电流、电压的影响，对多路并联半导体桥电流响应特性的研究较少。半导体桥点火器在多路并联同步使用时，作用机理及故障原理不清限制了其在该场合中的应用。文章设计搭建了多路并联半导体桥点火器点火电路，通过试验发现点火器多路并联使用时，支路电流存在突然下降或上升速度缓慢的现象，均可能造成点火器半导体桥区烧蚀不完全或瞎火。结合半导体桥点火器的点火机理分析得出电路电流突然下降会导致相变过程中止、电流上升较慢会导致相变能量不足，均会造成半导体桥电爆能量无法正常释放，进而无法正常激发内部起爆药，这是半导体桥点火器用在多路并联电路情况时出现点火失败的重要原因。     

用于空间太阳能电站的新型高效半导体功率器件可靠性研究

文章重点围绕GaN基HEMT器件的辐照效应和高场退化效应进行论述,立足于空间用GaN基HEMT器件技术发展需求,着眼于空间用GaN基HEMT器件的可靠性研究进展,从理论上分析材料和器件参数变化的原因,提出星载GaN基HEMT器件的高可靠性、长寿命控制手段。