石墨烯/PLA吸波复合材料等效传热性能分析

基于细观力学理论，运用代表性体积单元方法研究石墨烯填充聚乳酸（PLA）复合材料导热性能。根据显微照片分析复合材料细观结构特征并构建二维随机分布模型，利用有限元方法求解复合材料等效导热系数，并通过实验结果验证模型正确性和有效性。通过参数化分析研究各细观结构参数对复合材料导热性能的影响规律，并通过传热路径分析其影响机制。结果表明：所建随机模型数值模拟结果与实验结果拟合较好；随石墨烯质量分数增加，复合材料传热性能增强，且石墨烯的长厚比与取向对复合材料整体导热性能有较大影响；同时，石墨烯与基体之间的界面接触热阻显著降低了复合材料整体导热性能。     

航天新型高性能材料的研究进展

文摘综合介绍了国外航天新型高性能轻质金属合金、复合材料、特种功能材料、石墨烯材料和超材料的研究与应用现状,重点介绍了我国航天新型高性能材料的研究成果,并提出了航天新型高性能材料的发展趋势。     

TiAl合金中的氧扩散及恒温氧化研究现状

TiAl合金由于高比强度和优异的高温力学性能,是一种极具应用潜力的轻质高温结构材料,但存在脆性大、室温塑性差以及800℃以上抗氧化能力不足是其工程应用的最大障碍。本文对TiAl合金的恒温氧化行为、氧扩散以及氧化后力学性能变化规律进行了总结。基于服役环境条件下合金中的氧扩散规律及受控机制,对改善合金高温抗氧化性能的表面处理和合金化研究现状进行了归纳。分析了TiAl合金高温抗氧化行为研究及其控制技术在今后一段时期的发展趋势。     

连续阳极氧化处理碳纤维的研究

本文采用阳极氧化的方法对碳纤维地连续表面处理，研究了处理工艺条件，电解质种类等因素对复合材料的层间剪切强度，抗冲击强度，拉伸 强度等的并利用ＸＰＳ，ＳＥＭ等分析手段分别对纤维表面组成及复合材料断口形进行了分析，观察。     

中性大气环境效应模拟试验技术现状及发展方向

文章首先对空间中性大气环境进行分析，阐述了大气阻力、氧化剥蚀、污染及辉光效应。然后对中性大气环境效应模拟试验技术现状进行梳理介绍，包括大气阻力试验技术、氧化剥蚀效应试验技术、污染效应试验技术、辉光效应试验技术等。最后结合未来型号和深空探测任务需求，对空间中性大气环境效应模拟试验技术发展方向进行了探讨。     

石墨烯/环氧树脂多功能复合材料研究进展

主要介绍石墨烯改性环氧树脂复合材料力学、热学、电学性能的研究进展,以及石墨烯在碳纤维/环氧树脂功能型复合材料中的应用,并展望结构-功能一体化石墨烯改性复合材料在航天领域的应用前景。     

ELID沟道成形磨削氧化膜特性及影响作用实验

针对ELID沟道成形磨削特点,研究了磨削过程中氧化膜的特性及其影响作用。探讨分析了氧化膜的电流表征、氧化膜在沟道成形磨削中的状态变化以及氧化膜状态对磨削力和表面粗糙度的影响。实验过程中,电解电流从1 A增长到4 A,氧化膜厚度从35.33!m减小到11.07!m,法向磨削力从7.06 N增长到36.12 N,切向磨削力从1.62 N增长到4.47 N;垂直于磨削方向的表面粗糙度由0.256!m增长到0.355!m,平行于磨削方向的表面粗糙度由8 nm增长到13 nm。结果表明,氧化膜越厚,磨削力和表面粗糙度越小;氧化膜越薄,磨削力和表面粗糙度越大。     

p-GaN/n-Ga2O3结终端延伸肖特基二极管结构仿真研究

由于缺少p型氧化镓，造成调制电场十分有效的pn结结终端延伸(junction terminal extension,JTE)结构无法使用，提出采用p-GaN与n-Ga2O3之间形成pn结JTE结构，有效解决了这一问题。同时为进一步提升氧化镓肖特基二极管击穿电压提供理论指导，运用Silvaco软件对p-GaN/n-Ga2O3结终端延伸肖特基二极管（schottky barrier diode,SBD）进行了仿真研究，通过与对照肖特基二极管对比发现采用p-GaN/n-Ga2O3 JTE结构的SBD击穿电压由880V增加到1349V，代价是器件正向导通电阻略微增加，由4.68mΩ·cm2增至5.62mΩ·cm2。探究了p-GaN深度对肖特基二极管特性的影响，发现p-GaN深度由0.3μm增加到1.2μm，器件击穿电压由1349V进一步提升到1685V，同时器件导通电阻基本不发生变化。通过仿真实验证明了p-GaN/n-Ga2O3 JTE结构提升SBD反向击穿特性的可行性。     

空气环境中镀银表面二次电子发射劣化机理

暴露于空气中的金属受环境影响，表面会产生吸附、沾污和氧化等表面改性作用，引起二次电子产额（secondary electron yield,SEY）变化。为探究银表面改性对SEY的影响，使用加热、有机清洗、离子清洗实现了多种银表面状态。实验结果显示，加热能够去除部分表面吸附和沾污，并使得SEY降低；离子清洗在去除表面吸附和沾污的同时还能够剥离表面氧化层，获得高度洁净的表面。离子清洗10/30分钟后SEY峰值由2.61降至1.73/1.70，说明剥离银表面的吸附、沾污和氧化层能使得SEY明显降低。为验证氧化对SEY的影响，使用磁控溅射制备氧化银薄膜。结果表明，氧化银SEY仅比银高0.1左右，且在斜入射下两者SEY差异更小，该结果证明银表面发生氧化不会使得SEY明显升高，并间接说明表面吸附和沾污是使得银表面SEY升高的主要因素。