GaN基高电子迁移率晶体管的质子辐照效应研究

文章研究了A1GaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的质子辐照效应。在3MeV质子辐照下,采用三种不同辐照剂量6×10¹⁴,4×10¹⁴和1×10¹⁵protons/cm²。在最高辐照剂量下,漏极饱和电流下降了20%,最大跨导降低了5%。随着剂量增加,阈值电压向正向漂移,栅泄露电流增加。AlGaN/GaN HEMT电学特性的退化主要是由辐照引入的位移损伤引起的。从SRIM软件计算出空位密度,将Ga空位对应的能级引入Silvaco器件仿真软件中,仿真结果与实验结果相匹配。Hall测试结果显示二维电子气（2DEG）浓度和迁移率在辐照后有所降低。     

复旦大学成功研制出半浮栅晶体管器件

<正>据中国科技部网站2013年8月29日消息,复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,近期取得重大突破,成功研发出半浮栅晶体管(SFGT)。采用该新器件构成的动态随机存储器,无需电容器便可实现传统动态随机存储器全部功能,不但成本大幅降低,而且集成度更高,读写速度更快。此外,半浮栅晶体管还可应用于主动式图像传感器芯片,提高感光单元密度,从而提升图像传感器的分辨率和灵敏度。半浮栅晶体管     

晶体管h参数微变等电路的研究

晶体管h参数微变等效电路是电子技术中求解低频，小信号放大电路常有的分析方法，本文通过具体分析，将模拟放大电路进行了新的分类，并且明确而系统地给出运用微变等效电路求解各类模拟放大电路动态指标Av,ri和r0公式，解题难点及规律。     

高频大功率单端反激变换器的分析与应用

阐述了在过激工作状态下的单端反激变换器的计算方法，经验参数的选取原则，变压器结构特点，及特殊制造工艺．     

结温可控的晶体管稳态工作寿命试验方法研究

在分析了现行标准中晶体管稳态工作寿命试验方法存在问题的基础上,认为在现行的稳态工作寿命试验中没有对晶体管的结温实施测量和控制,是导致试验结果不准确的重要原因.旨在提高晶体管稳态工作寿命试验方法的可信度,提出了一种在试验过程中实时测量并严格控制晶体管结温在最高允许结温附近的稳态工作寿命试验方法.以3DD820,3DD15D (F2金属封装)双极晶体管为实验对象,对结温可控的晶体管稳态工作寿命试验方法进行了验证.模拟试验数据分析结果表明,该试验方法可以有效地提高晶体管稳态工作寿命试验方法的可信度.     

WQI型晶体管直流稳压电源的原理与维修

论述ＷＱＩ型晶体管直流稳压电源工作原理，分析了其故障产生的原因，详细说明了稳压电源的维修方法。     

晶体管图示仪的扩展应用

本文就晶体管图示仪的扩展应用提出了新的观点及理论依据。并给出部分新的应用测量结果。     

世纪回眸:纪念晶体管的发明和由此引出的启发

本文是为纪念20世纪在电子技术方面最伟人的发明──晶体管而作。文中回答了晶体管足在什么时候发明的，是由哪些人发明的，它的原始结构是什么样子等问题，描述了那激动人心的时刻，回顾了那漫长而曲折的发明过程，追忆了发明后的形势发展，最后列举了由此引出的几点启发。     

监测功率晶体管的V_(BE)实现过流保护的研究

监测 V_(BE)参数作为功率晶体管过流保护的取样信号是一种新方法。本文用实验验证了 V_(BE)在一定范围内是随 I_C 的增大而线性地增大的,其平均变化率不超过0.038V/A。根据此方法设计的保护电路用于单个晶体管时,也能对过流起到安全保护的作用,并用实验得到证明。     

宽带有源巴伦的仿真设计

文章重点研究基于分立PHEMT器件和HMIC工艺的有源巴伦,该成果可以进一步用于MMIC的设计。在1～2 GHz频率范围内,通过ADS软件对该有源巴伦进行仿真设计,其幅度差在0.17 dB之内,相位差在0.9°之内。利用AutoCAD软件生成PCB版图,采用Rogers4003基片加工。测试结果与仿真比较一致。