民用飞机着陆系统安全性评估的故障树分析

飞机着陆系统是保障飞机安全进近着陆的关键系统,如何评估着陆系统满足安全性设计要求是系统设计的重要环节之一。阐述民用飞机安全性评估的基本流程,以微波着陆系统为例,针对给定的微波着陆系统框图,通过故障树分析方法,对完全丧失两侧微波着陆信息的失效状态进行定量评估,重点详述建树过程和建树方法。结果表明:故障树分析对系统架构的设计具有重要的指导作用,二者紧密结合、相互反馈;特别是当失效状态所对应的概率要求无法满足时,借助故障树分析产生的割集报告,能找出系统架构存在的薄弱之处和关键部位,从而采取有效的应对措施,完成对系统架构的优化设计。     

有源可调微波吸收体分析与优化

为解决无源雷达吸波材料带宽有限的问题,基于传输线理论设计了一种有源可调微波吸收体.该吸收体是在Salisbury屏的拓扑结构基础上,用基于PIN二极管可控的有源频率选择表面(FSS)代替传统的电阻层.反射率测量结果表明,通过改变二极管的偏置电流可以动态调节吸收体的最佳吸波频率;当偏置电流在0~0.5mA之间变化时,吸收体的最佳吸波频率在7~12.5GHz频率范围内动态调整.基于遗传算法,优化设计了一种具有双极化吸波特性的十字型可调微波吸收体,仿真结果表明该吸收体在5.6~17.6GHz范围内实现了最佳吸波频率的可控迁移.      

空间微波部件内二次电子累积及其与传输特性的关系

针对微放电过程中的电子累积效应,探索二次电子累积对微波部件传输特性的影响,提出二次电子累积“等效介质”的理论模型,通过将电子累积等效为“特殊介质”,从介质的角度探索电子累积对传输特性的影响,推导得到不同电子累积密度所形成不同“等效介质”的相对介电常数。仿真和计算结果表明,微放电过程中,电子累积密度从0增长至10¹⁶/m³数量级时,传输特性基本不发生变化; 但是当电子累积密度达到10¹⁷/m³数量级时,阻抗变换器的通带内回波损耗恶化了15dB;随着电子累积密度继续增大,“等效介质”对电磁波的反射迅速增强,微波部件的传输特性急剧恶化;在电子累积密度达到4×10¹⁷/m³时,电磁波在阻抗变换器中的传输处于完全截止状态。为了进一步探讨导致传输特性恶化的深层原因,发现在电子累积密度达到4×10¹⁷/m³时,在2.5~5GHz的频率范围内,电子累积形成“等效介质”的相对介电常数呈现为负值,电磁波传输截止,“等效介质”表现出单负介电常数超材料的特性,即导致阻抗变换器传输特性恶化的原因是单负介质材料的形成。研究有益于更深入地认识微放电形成过程中的深层物理机理及其对宏观电性能的影响,为寻求更加有效的抑制方法提供理论依据。     

微波暗室反射率电平自动校准方法及测量不确定度

通过开展1~40 GHz微波暗室性能自动校准技术研究,研制了低反射8维度空间测试支架,降低了测试装置微波干扰;开发了基于Labview 8.6环境的测试系统控制软件,实现信号调整和收发天线的相对运动;本文就微波暗室自动校准系统静区反射率电平测量不确定度进行了分析和评定。     

La3＋掺杂 Ni0．35 Co0．15 Zn0．5 Fe2 O4铁氧体的制备及微波吸收性能

采用溶胶-凝胶自蔓延法制备 La3＋掺杂 Ni0．35 Co0．15 Zn0．5 Fe2 O4,并研究不同掺杂量对样品微观结构、电磁参数及微波吸收性能的影响。通过 X 射线衍射仪、扫描电镜研究了样品的相结构和微观形貌,使用振动样品磁强计与矢量网络分析仪分别对样品的静态磁性能及在1～12GHz 的电磁参数进行了研究,并计算了不同厚度（3 mm、5 mm、8 mm）下材料的反射损耗。研究表明,适量掺杂 La3＋能够提高 Ni0．35 Co0．15 Zn0．5 Fe2 O4铁氧体的吸波性能,并使吸收频带向高频移动。其中样品 Ni0．35 Co0．15 Zn0．5 La0．04 Fe2 O4与石蜡混合厚度为5mm 时,最小反射损耗为－28．4dB,小于－10dB 带宽为3．7GHz。     

空间等离子体源与测试系统设计

文章介绍了空间等离子体源与测试系统的设计方法。为了实现具有较高能量的低密度等离子体环境,首先在源入口处设计水平与垂直两种微波输入模式,提高电子的密度和温度,然后在源出口处设计装有几何调节栅和电位调节网的扩散杯,调节电子密度和温度。     

定向能武器及其应用

介绍了未来战争中的一种重要武器———定向能武器,包括激光武器、粒子束武器和射频武器。概述了这三种武器的工作机理、主要特点并进行了相互比较,介绍了定向能武器的应用。     

φ50毫米微波测速系统

本文叙述了在50毫米二级轻气炮发射管内采用的微波反射技术:当模型运动的时候,将射入炮管内的微波和从模型上反射的微波间的相位变化记录下来,便可以获得炮管中模型运动速度的连续测量。     

基于HEMT的单片微波集成放大器设计

 介绍了S波段单级单片微波集成放大器的设计方法,电路核心为高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor, HEMT).针对在该波段高电子迁移率晶体管稳定性较差、噪声性能优秀的特点设计电路拓扑,在HEMT的输入端并联一个200Ω电阻,用HP-EESOF公司的Libra2.1软件进行了小信号电路仿真与设计.仿真结果表明设计的放大器是绝对稳定的,在2~3GHz频带内增益为14.2dB,纹波小于0.4dB,噪声系数约2.7dB,满足实用要求.     

太阳质子事件与微波爆发的某些特征

选用NOAA提供的太阳质子事件表以及SGD发表的与其相关的射电多波段的观测资料进行了统计分析,试图从厘米波,毫米波爆发与质子事件的关系上寻找规律,从而获得一些有意义的结果.