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构件低周疲劳损伤的金属磁记忆检测试验研究 总被引:7,自引:0,他引:7
对18CrNi4A钢缺口试件在三级应力水平下进行了低周疲劳试验和磁记忆信号检测,研究应力集中、疲劳损伤及疲劳应力对磁信号的影响规律。结果表明,利用磁信号Hp(y)曲线突变特征和磁信号梯度K曲线异变峰特征可表征试件损伤位置;采用H′p(y)=Hp(y)N-Hp(y)0的磁信号处理方式,磁信号H′p(y)曲线过零点与试件断裂位置重合,处理后的磁信号过零法可更有效的表征试件损伤位置;磁信号梯度Kmax值随疲劳损伤程度的增加而逐渐增加,反映了构件疲劳损伤程度,可表征试件疲劳损伤程度;磁信号与疲劳应力水平存在强烈的相关性,应力水平越大,磁信号值也越大。 相似文献
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为了降低铝水反应的启动温度,提高铝基燃料的反应速率,通过熔炼法制得一种新型铝基合金.采用原子发射光谱(AES)、差热分析(DTA)和水解性能测试考察了制备方法、合金表面形态、反应温度和两种不同添加剂对合金性能的影响,并且考察了合金作为阳极材料的性能.结果表明:合金常温与水反应速率为35.53mL/ (g-min),反应率为82.1%.球磨改变合金表面形态之后,不但反应速率提高10倍,反应率也得提高到90.52%.对体系预热能有效的降低反应启动时间,同时提高反应率也提高到92.69%.自行设计的熔炼装置能使金属镁的烧损率降低到3%.添加剂b的综合性能优于a,能使合金的熔化温度大幅降低为855 K.作为电池阳极时,由于自腐蚀析氢比较严重,放电性能不稳定,需进一步优化降低自腐蚀. 相似文献
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采用电化学沉积法于室温、碱性条件下在氧化铟锡(ITO,Indium Tin Oxide)表面制备了硼酸钴(CoBi)、硼酸镍(NiBi)、硼酸锰(MnBi)、硼酸铑(RhBi)、硼酸钯(PdBi)几种无定形的硼酸金属化合物薄膜,并对其形貌和结构进行表征,结果表明几种薄膜均为无定形结构.将这几种硼酸金属化合物应用于电化学催化水氧化制氧,对比其催化活性,发现CoBi,NiBi,RhBi具有较高的催化性能,而MnBi和PdBi催化活性较低.进一步研究硼酸pH值对CoBi电催化水分解的影响.发现硼酸有利于金属化合物的制备,pH7~11范围内,HBO32-作为质子受体含量逐渐增大,能接受放氧过程产生的质子,促进催化水分解过程的进行.所得催化剂可自我修复,实现循环利用. 相似文献
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为研究宇宙辐射环境中航天器里的模拟互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)集成电路性能和各种效应,并在辐射效应所产生机制的基础上,从设计和工艺方面提出了模拟CMOS集成电路主要抗辐射加固设计方法.在宇宙环境中,卫星中的模拟CMOS集成电路存在CMOS半导体元器件阈值电压偏离、线性跨导减小、衬底的漏电流增加和转角1/f噪声幅值增加.所以提出了3种对模拟CMOS集成电路进行抗辐射加固的方法:1)抗辐射模拟CMOS集成电路的设计;2)抗辐射集成电路版图设计;3)单晶半导体硅膜(Silicon on Insulator,SOI)抗辐射工艺与加固设计.根据上面的设计方法研制了抗辐射加固模拟CMOS集成电路,可以取得较好的抗辐射效果. 相似文献
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通过对磁脉冲焊接技术结合机理的阐述,采用5A03Al-5A06Al、1050Al-AZ31Mg异种金属材料进行焊接试验.对所得的焊接接头进行气密性试验和剥离试验,检测其结合质量;结合光学显微镜,对比分析Al-Al、Al-Mg焊接接头的微观形貌特点;并采用SEM/EDS分析界面附近的元素分布;最后通过硬度试验,检测接头界... 相似文献
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