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81.
在空间环境中,嵌入式SRAM 易受高能粒子的作用发生单粒子软错误,针对这一现象,文章研究了深亚微米工艺下嵌入式SRAM 的单粒子软错误加固技术,提出了版图级、电路级与系统级加固技术相结合的SRAM 加固方法以实现减小硬件开销、提高抗单粒子软错误的能力。并基于该方法设计了电路级与TMR(三模冗余)系统级加固相结合、电路级与EDAC(纠检错码)系统级加固相结合和只做电路级加固的3 种测试芯片。在兰州近物所使用Kr 粒子对所设计的测试芯片进行单粒子软错误实验,实验结果表明,系统级加固的SRAM 抗单粒子软错误能力与写入频率有关,其中当SRAM 的写入频率小于0. 1s 时,较只做电路级加固的芯片,系统级和电路级加固相结合的SRAM 可实现翻转bit 数降低2 个数量级,从而大大优化了SRAM 抗单粒子软错误的性能。并根据实验数据量化了加固措施、写频率和SRAM 单粒子翻转截面之间的关系,以指导在抗辐照ASIC(专用集成电路)设计中同时兼顾资源开销和可靠性的SRAM 加固方案的选择。 相似文献
82.
83.
DDS中相位截断效应分析及其改善方法 总被引:1,自引:0,他引:1
分析了在直接数字频率合成(DDS)中引起杂散的相位截断效应,针对其引起的杂散特点讨论了一种通过加入伪随机数改善杂散谱分布的方法,并通过计算机仿真进行了验证。 相似文献
84.
85.
以40 nm和65 nm CMOS工艺SRAM为样品,进行质子辐照单粒子效应试验研究,以建立空间质子引起单粒子效应的地面等效评估试验方法。分别进行低能质子直接电离、高能质子核反应和重离子直接电离引起的单粒子翻转试验;根据获得的试验数据,分析讨论给出空间质子引起半导体器件单粒子效应的地面等效评估试验方法:对低能质子直接电离引起的单粒子效应,基于LET等效采用重离子进行试验;对高能质子非直接电离引起的单粒子效应,采用高能质子进行试验;根据地面质子和重离子辐照试验数据,结合空间辐射环境模型,预计由空间质子辐射引起的器件在轨单粒子翻转率。 相似文献
86.
87.
介绍了射频同轴电缆组件的种类及选择方法,着重讨论了自行研制的高性能、柔性、低损耗电缆组件的研制设计和主要技术指标,并给出了测试结果。在DC-18GHz频带范围内:VSWR≤13;插入损耗为12dB/m;在1GHz:射频泄漏为-110dB,降低了电缆组件的损耗,提高了电缆组件的性能和可靠性。 相似文献
88.
首先分析了目前通用的利用光测数据扣除连续波雷达测量数据中的常值系统误差方法存在的问题,然后建立了估计光测和连续波雷达测量数据中常值系统误差的非线性方法。利用该方法可以很好的解决目的测量设备的常值系统误差的估计问题,有很好的应用价值。 相似文献
89.
90.
介绍了钛合金半球类零件超塑成形中壁厚控制试验情况,通过对不等厚板成形、预成形方案的试验均取得改善成形件壁厚分布的效果。并在Φ370mm半球成形中成功地采用真空充氩双向成形试验,得到符合设计要求的半球产品。 相似文献