14 nm pFinFET器件抗单粒子辐射的加固方法

为探究先进互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺在空间应用中的可靠性问题，研究14 nm工艺下P型沟道鳍式场效应晶体管(pFinFET)器件中的抗单粒子瞬态(SET)加固策略。通过在器件中插入平行于鳍方向的重掺杂N型沟槽(Ntie)和P型沟槽(Ptie)来减缓SET的影响。三维TCAD仿真结果表明：加固之后器件的抗SET特性和沟槽本身的偏置条件相关。当重掺杂沟槽处于零偏状态时，抗辐射加固的性能最好，SET脉冲宽度降低程度可达40%左右；然而，当处于反偏状态时，由于特殊的电荷收集过程的存在，使得SET脉冲幅度反而会明显增大，脉冲宽度减小程度并不明显。此外，还研究沟槽面积、间距及掺杂浓度对pFinFET中的SET脉冲宽度的影响，得到提高抗SET效果的加固方法。     

基于TCAD仿真建模的瞬时剂量率效应研究

针对一款百万门级0.18 μm互补金属氧化物半导体（0.18 μm CMOS）工艺抗辐射加固的微处理器电路，提出了采用TCAD仿真建模技术对加固电路开展瞬时剂量率效应研究的方法，仿真结果表明通过保护环结构加固设计，可有效提升电路的抗瞬时剂量率效应性能，并利用瞬时剂量率辐射源进行了仿真有效性的试验验证。结果表明,采用TCAD仿真手段得到的瞬时光电流峰值与试验得到的光电流峰值误差小于5%，证实了仿真研究电路瞬时剂量率效应方法的有效性。     

新型高速单粒子翻转自恢复锁存器设计

航天器中芯片工作时钟频率的不断提高使得单粒子翻转(single-event-upset,SEU)效应对时序逻辑的影响更加显著。目前已经提出的辐射加固锁存器存在面积和延时较大、功耗较高且抗单粒子翻转能力有限的问题。针对这些问题，提出了一款基于130nm部分耗尽绝缘体上硅(partially-depleted silicon on insulator,PD SOI)工艺的高速单粒子辐射自恢复锁存器。在对电路设计进行介绍的基础上，与其他已经报道的电路进行了对比，并利用节点翻转分析和仿真波形验证了该锁存器具有抗单粒子翻转自恢复的功能。对比结果表明，与其他的抗单粒子翻转自恢复锁存器相比，在牺牲部分功耗的代价下，大幅减小了锁存器的面积和延时。本方案所提出的辐射加固锁存器的综合开销指标APDP较其他辐射加固锁存器平均节省了71.14%，适用于辐射环境下的对速度和可靠性有较高要求的电路，为国产宇航高可靠自研芯片提供了选择。     

一种针对多光谱遥感图像的桥梁快速识别算法

提出了一种针对多光谱图像中桥梁的识别算法。首先,根据水体和背景地物在不同光谱波段的亮度差异,计算多光谱图像的水体指数得到水体增强图,搜索其具有明显双峰的直方图得到最优阈值,实现河流的完整提取；其次,利用桥梁的存在会导致局部水体的光谱异常,沿河流中间线进行潜在桥梁区域的快速提取；再进一步利用桥梁长度以及与河流的空间关系进行鉴别,有效剔除虚警。利用 SPOT4遥感影像进行实验,结果表明本文算法运算量小,对于多个桥梁的识别具有很好的实用性。