2Cr13钢的全方位离子注入与离子束增强沉积复合表面强化处理

对 2Cr13不锈钢表面进行了等离子体浸没离子注入(PIII)与离子束增强沉积(IBED)复合强化处理。对强化后的试样进行了俄歇电子能谱(AES)、X光电子能谱(XPS)分析及显微硬度、摩擦磨损和耐腐蚀性能测试。结果表明,处理后的试样表面层中含有强化相TiN和CrN;与基体相比,被处理试样的显微硬度显著增大,最大增幅达80 4%;摩擦系数降至 0 2~0 3,磨痕宽度最大减少了近 4倍;腐蚀电位最大提高了 5倍,腐蚀电流密度减少了 26倍。磨损中粘着现象大大减轻,耐磨耐蚀性能得到了显著改善。     

防原子氧与抗辐射环境薄膜性能研究

金属氧化物薄膜具有良好的光学,电学特性,因此是卫星表面热控材料防静电积累的重要材料之一。实验研究发现这些金属氧化物薄膜还是具有优良的防原子氧和抗空间辐照环境的能力,而且这种能力与成膜方法及工艺过程直接相关。经模拟原子氧环境的氧等离子体作用后,溅射镀氧化锡样品的质损明显小于蒸镀氧化铟锡薄膜的质损,而氧化铟锡薄膜的质损又小于未镀薄膜试样质损。     

离子推力器双阶栅极系统引出性能研究

针对基于最优导流工况设计的双阶四栅栅极系统在多工况下的引出性能,采用浸入式有限元和粒子云算法(IFE-PIC)对其聚焦和引出过程进行了研究.研究结果表明,相较于相同聚焦电压下的传统栅极系统,基于最优导流工况设计的双阶四栅栅极系统由过聚焦进入正常聚焦的拐点右移,栅极系统的引出性能变差.因此建议双阶栅极离子推力器在设计时使...     

高能离子辐照下薄膜界面化学结合增强的模型

近年来高能离子辐照引起的薄膜附着力增强现象及其应用受到了广泛的重视。由于高能离子一固体相互作用的复杂性,目前对附着力增强的物理机制的认识还不清楚。文章基于高能离子辐照引起界面原子化学结合键增强的思想,建立了薄膜附着力增强的理论模型,并由此得到辐照离子阈剂量与离子能量损失(电子阻止能力)及其界面原子结合键能的分析表达式,计算结果与实验结果很好吻合。理论分析表达式说明,膜附着力增强的阈剂量受界面原子结构、元素种类、电子阻止能力及其形成固体径迹所损失的能量等多种因素有关。     

探针特性曲线的初级电子修正及用离子声波速度测电子温度的研究

在Te》Ti,且存在两种电子能量的等离子体中,讨论了正确进行朗缪尔探针特性曲线修正——初级电子修正方法;用朗缪尔探针方法得到的等离子体电子温度与离子声波速度测量得到的电子温度分布实验结果比较证明,提出的初级电子修正方法是正确的．实验结果还表明,用离子声波速度测量得到的电子温度误差较小,平均测量误差△Te大约只有0．1eV,有望成为一种可行的电子温度测量方法．     

磁等离子体发动机中离子回旋共振天线参数优化

磁等离子体发动机(Magnetoplasma Rocket Engine,MPRE)的离子回旋共振加热(Ion Cy?clotron Resonance Heating,ICRH)单元中射频天线是能量注入元件,其参数直接影响能量耦合效率.为优化ICRH天线参数,建立了ICRH中粒子模拟(Particle In Cell...     

改善离子推力器束流均匀性的方法

离子推力器的束流分布,直接影响离子推力器离子光学系统（亦称栅极组件）的性能和寿命。通过对离子推力器离子光学系统的改进和放电室磁场的优化,使束流均匀性系数R值达到0.7左右。离子推力器束流分布均匀性的有效提高,有助于改善离子光学系统的受热分布,降低离子光学系统的温度,并能减小其温度差,使离子光学系统的热应力和热变形降低,进而延长离子推力器的寿命。     

离子发动机加速栅极孔扩大腐蚀的粒子模拟

为研究离子发动机加速栅极孔扩大腐蚀速的特征及影响规律,采用单元内粒子——蒙特卡罗碰撞(PIC-MCC)方法,结合溅射腐蚀模型,模拟了栅极间束流离子及交换电荷(CEX)离子的分布情况,得到离子发动机加速栅极孔扩大腐蚀情况及平均腐蚀率,为0.0176μm/h。进一步研究了工作参数和几何参数对其影响,并建立了适用于工程应用的加速栅极孔扩大腐蚀预测模型。结果表明,在影响孔扩大腐蚀率各种因素中,束流电流密度和中性气体密度的影响最大。因此,在离子发动机直径一定的情况下,提高放电室出口等离子体密度的均匀性及推进剂利用率,是提高栅极寿命的根本途径。      

Residual Stress Measurement for Ion-implanted NiTi Alloy by Using Moiré Interferometry and Hole-drilling Combined Method

Residual stresses in ion-implanted NiTi alloy are measured by a combined method of Moiré interferometry and hole-drilling. Oxygen ions are implanted into the NiTi alloy under a voltage of 30 kV by a dose of 1.0×1017 ions/cm2 for one hour. Subsequently, in order to avoid dimensional error, a hole is drilled exactly in the center of the sample. The distribution of residual stresses around the hole is measured. It is indicated that the method which combines the Moiré interferometry with hole-drilling is able to be used to measure residual stresses produced by ion implantation.     

离子推力器小功率正高压屏栅电源研究

为了设计一种适用于小功率离子推力器的小功率正高压屏栅电源,本文提出了一种前级降压斩波电路后级全桥LLC谐振及全波倍压整流的两级式拓扑结构。在该主电路的基础上,设计了控制电路,并开展了试验研究。试验结果表明：设计的正高压屏栅电源在输入电压42 V、输出负载12.52 kΩ时,输出电压和输出功率分别为1050 V、88 W,且输出电压误差范围控制在2%以内,屏栅电源效率为90.44%。对于输出正负极高压短路、瞬时加减载具有自恢复功能。研究证明了该两级式拓扑结构的可行性,从而提供了一种小功率正高压屏栅电源的设计方法,对小功率离子推力器的发展具有推动作用。