阳极电流和屏栅电压对5kW离子推力器性能的影响

为了研究5kW离子推力器功率宽范围工作能力,采用试验的方法得到阳极电流和屏栅电压与其性能的影响关系。研究结果表明：离子束流随阳极电流增大呈线性增大。当屏栅电压增加时,推力器离子束流先增加然后趋于稳定,加速栅电流单调减小。推力随功率增大呈线性增长,比冲随功率的增大呈非线性增长,在功率308W~4813W下实现了推力12mN~184mN,比冲1817s~3538s, 效率34%~67%的宽范围调节。同时推力器效率随功率增大逐渐增大,并在2902W时存在明显拐点,在实际在轨应用中要根据任务需求确定最佳工作区间提高推力器性能和效率。     

阳极结构对电弧加热发动机性能和稳定性的影响

为了解决电弧加热发动机在低功率和低流量下工作稳定性差导致性能下降的问题,以氮气为推进剂,比较了两种阳极结构对发动机性能的影响,采用原有阳极结构,在低功率时推力比冲性能较差,在低流量时效率较低;而在收缩段采用绝缘体代替原有钨阳极的新结构后,可使发动机的推力、比冲和热效率等性能和稳定性均有明显提高,说明通过阳极结构的改进可以人为控制弧点位置,对于低功率电弧发动机性能具有较大的影响。     

硅溶胶在镁合金阳极氧化反应中的成膜作用

采用溶胶化学与电化学相结合的新型表面处理方法——将自制的硅溶胶添加到电解质溶液中进行阳极氧化.以AZ91D镁合金及镁锂合金为研究基材,研究体系分别为硅酸钠和氢氧化钠溶液,通过对不同溶胶添加量下的溶液电导率、反应击穿电压、氧化膜层厚度及微观形貌、膜层表面成分及XRD结果分析,来探讨溶胶粒子在成膜过程中的作用.结果表明:溶胶粒子的加入增大了阳极表面的电阻,使得反应的击穿电压升高,从而导致了膜层厚度增加;同时硅溶胶粒子参与了阳极氧化反应,其在高温高压的条件下与MgO生成了Mg₂SiO₄.      

LY12CZ铝合金的己二酸硫酸阳极氧化

通过向硫酸阳极氧化槽液中添加己二酸,研究了LY12CZ铝合金的己二酸硫酸阳极氧化,并与传统硫酸阳极氧化进行了对比.采用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对两种阳极氧化膜的微观形貌进行了观察,用电化学阻抗谱(EIS)对比研究了两种氧化膜的电化学特性参数及耐腐蚀性能,采用万能力学实验机对阳极氧化后LY12CZ板材试样进行疲劳寿命测试比较.结果表明,与传统硫酸阳极氧化膜相比,己二酸硫酸阳极氧化膜具有更小的孔洞结构和更少的缺陷,在腐蚀环境中有更好的稳定性和耐腐蚀性能,对铝合金试样的疲劳损伤也大大减弱,并对机理进行了初步探讨.     

高压脉冲圆柱形阳极层霍尔等离子体加速器实验

描述了一台大尺寸高压脉冲阳极层霍尔等离子体加速器。对其磁场分布进行了分析,并进行了初步实验,包括放电特征、离子流引出特征、离子束形貌等特性,以验证大尺寸的圆柱形阳极层霍尔等离子体加速器在高功率条件下的运行状况。实验发现此霍尔等离子体加速器工作稳定,可以在较高的功率上运行（大于3kW）,电流利用率较高,可超出90%,工作电压范围很宽,可在300～2kV工作,束流汇聚性良好。     

镁合金表面微弧氧化陶瓷膜耐蚀性能评价

在含有硅酸钠、氟化钠、氢氧化钾及甘油的电解液中对镁合金进行微弧氧化处理得到陶瓷膜,利用动电位极化曲线、电化学交流阻抗、循环阳极极化曲线以及腐蚀失重等实验手段对镁合金基体及经过微弧氧化处理后的试样的耐蚀性进行评价.结果一致表明经微弧氧化处理后镁合金的耐蚀性显著提高.     

防锈铝零件硫酸阳极氧化工艺优化应用研究

阐述了防锈铝零件采用普通阳极氧化工艺生产时出现的问题,对影响防锈铝零件阳极氧化膜质量的主要因素进行了工艺试验和分析,摸索出防锈铝零件阳极氧化优化的工艺规范,该工艺规范已应用于生产,取得了较好的效果。     

7075—T6铝合金阳极化膜在NaCl介质中耐蚀性的研究

利用浸渍法研究了7075－T6铝合金阳极化膜在Nacl介质中的小孔腐蚀行为，借助金属电极自腐蚀电位测量方法研究了阳极化膜失效期间的电位变化，通过失重计算出年腐蚀速度，从而评价了阳极氧化膜的耐蚀性能。结果表明：Cl^-对膜的局部破坏作用非常严重。     

慢走丝线切割电解锈蚀放电状态的分析和控制

电解锈蚀放电状态在慢速走丝线切割加工过程中的危害十分严重．它不仅影响工件的表面精度和机械强度，而且还影响加工速度．导致电解锈蚀放电状态的主要原因是阳极金属溶解和工作液电解现象．本文主要研究预防阳极金属溶解和工作液电解的方法．还介绍了一种慢走丝线切割控制电解锈蚀放电状态的电源装置。     

利用电化学方法制备有序多孔硅阵列

采用电化学刻蚀的方法，在自制的电解槽中制备n型〈100〉晶向多孔硅条状阵列。通过扫描电子显微镜对生成的多孔硅进行形貌观察，并对多孔硅条状阵列的生长速率与形貌进行了初步的理论分析和实验研究。实验结果表明，多孔硅的生长速率主要由临界电流密度决定，多孔硅生成初始阶段产生锥形刻痕的原因是初始电流密度比较小，加大电流密度可以消除刻痕。多孔硅分又是由孔间距远远大于自由电荷区而产生的，而深槽中出现分立小孔的原因是反应产生的氢气阻碍了阳极氧化的进行。本实验结果对开展多孔硅进一步的研究工作具有指导意义。