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101.
瞬时值电流控制逆变技术比较 总被引:24,自引:4,他引:24
电流瞬时值控制逆变器有多种实现方案.本文从系统稳定性、外特性以及负载适应能力等方面对电感电流反馈滞环电流控制,固定开关频率电感电流反馈控制和电容电流反馈控制进行了对比分析,以综合评估各种控制方案的性能,为方案选择提供依据。理论分析和实验结果表明,在系统稳定条件略为苛刻的情况下,采用固定开关频率的电容电流反馈控制的逆变器具有很好的输出电压波形、很硬的外特性以及良好的非线性负载适应性.是一种较好的电流瞬时值控制技术。 相似文献
102.
该文对TC-4钛合金高压气瓶表面裂纹疲劳试验结果进行了分析,给出了气瓶的疲劳裂纹扩展速率(da)/(dN),并与气瓶瓶料试样的测试结果进行了比较。最后选用几种方法对气瓶的疲劳使用寿命作了估计和分析。 相似文献
103.
磁性磨料磁力研磨是近年发展起来的一种高效率、高质量的抛光方法,能够加工复杂外形工件和各种内壁、内腔表面,具有加工装置易于控制、工作环境清洁、加工成本低等优点,具有广阔的应用前景。本文设计、制造了加工装置并进行了一系列的试验,在研磨过程各主要参数对研磨的影响作了研究。试验结果表明,研磨初期加工效率较高,但随着研磨时间的延长,研磨效率降低,研磨质量提高不多;工件转速越高,研磨效率越高,而对研磨质量则没有影响;研磨存在最佳的加工间隙与电流强度值,在此条件下,研磨效率高,研磨质量也较好。本文最后对加工机理作了理论分析,认为磁极的设计与制造研磨能力好、磁性强的磁性磨料是非常重要的。 相似文献
104.
本文综述了高速流中壁面剪应力的三种测量方法——普雷斯顿管法,底层隔板法和表面热膜法。着重讨论压缩性影响。作者还用 White-christoph 壁面律,导出计及压缩性,压力梯度和壁面热传导影响的普雷斯顿管理论校准公式,又从二维可压缩边界层的能量积分关系导出了表面热膜测量所需的壁面剪应力和压力梯度、压缩性及壁面热传导率的关系式。 相似文献
105.
喷打用红色陶瓷表面装饰墨水的制备与性能 总被引:3,自引:0,他引:3
制备了一种红色陶瓷表面装饰墨水——与传统陶瓷表面装饰的新技术(连续式喷墨打印法)配套的新型墨水。它以陶瓷颜料为基本着色料,用溶胶一凝胶法制备,以连续式喷墨打印墨水的质量标准为参照标准。经测试,所制墨水的电导率、表面张力、粘度等理化性能完全符合喷墨打印墨水的要求,适合用喷墨打印法陶瓷装饰工艺的需要。研究了分散剂、粘接剂、pH值、固含量等工艺因素对该墨水性能的影响。该墨水制成时为墨绿色,经煅烧,各组分反应生成颜料,显现粉红色。 相似文献
106.
一种新型软开关推挽三电平直流变换器 总被引:3,自引:0,他引:3
由于传统推挽直流变换器中开关管的电压应力高(输入电压的两倍),故该变换器的应用范围受到限制。本提出了一种新型的零电压零电流开关PWM推挽三电平直流变换器,其中开关管的电压应力为输入电压。对该变换器采用移相控制,可以发现超前管只能实现零电压开关。加入阻断电容和阻断二极管可以使滞后管实现零电流开关。在这种控制方式下该变换器克服了传统推挽变换器存在的偏磁现象,开关损耗大,开关管有电压尖峰等缺点,使得其变换效率更高,有更广的应用范围。该变换器的工作原理在一个600W,50kHz的实验样机上得以分析和验证。最后,本还提出了另外几种零电压零电流开关PWM推挽三电平直流变换器。 相似文献
107.
用失重法,电化学测量法研究了一些稀土元素离子对LC9合金在3.5%NaCl溶液中腐蚀行为的影响,并将CeCl3的缓蚀性与同等浓度的8108复合缓蚀剂,0.3%K2Or2O7水溶液进行了比较,根据失重实验的失重量计算腐蚀率和缓蚀诲,同时也根据试片表面状太,泽,破损面大小评估试片的耐蚀性。通过动电位扫描法测极化曲线,恒电位法测量诱导期的方法平确定孔蚀电位Eb,保护电位Ep及其它参数。结果表明,CeCl 相似文献
108.
1994年2月21日行星际激波引起的磁暴 总被引:2,自引:0,他引:2
利用Imp-8,Geotail和Goes-6等卫星资料,研究了1994年2月21日0900UT到达地球磁层的行星际激波引起的磁暴期间,从太阳风向磁层传输能量的有关问题.结果指出:(1)南向行星际磁场(IMF)的长持续时间不是太阳风向磁层输能的必要条件.南北振荡的,较强IMF也能产生显著的能量传输;(2)行星际扰动磁场通过弓激波和磁层顶后扰动磁能增加,增幅将近5倍;(3)在磁层内扰动磁场的Bz分量在1×10-4Hz附近显著被吸收.这一低频扰动磁场可能是磁暴期间导致氧离子和质子等环电流粒子向内扩散并被加速的原因之一. 相似文献
109.
110.
设计了一种高准确度无电阻的带隙基准电压源。该电路采用差分结构的电压传输单元来代替电阻,并且没有使用运算放大器,从而避免了运算放大器所带来的高失调和必须补偿的缺陷。电流源采用共源共栅结构,提高了电源抑制比。增加了启动电路,保证电路可以正常工作。在0.6μm CMOS工艺条件下,电路的各项性能指标采用Sm artSp ice进行模拟验证,结果表明有效温度系数可以达到6×10-6/℃,电源电压从3.8 V变化到5.5 V时,输出的基准电压波动不到3 mV。 相似文献