室温薄膜磷化用Ⅰ—5A型表面调整剂

为细化磷化膜的结晶可采用多种方法，其中表面调整是最有效的一种。此外，表面调整还是在磷化液中主盐浓度低的条件下进行室温磷化不可缺少的前处理工序。本文综述了Ⅰ—5A型表面调整剂的使用效果及使用稳定性。含有SJ稳定剂的Ⅰ-5A液具有独特的表达调整特性。它能促使钢铁基体表面成膜速度加快、降低膜层的孔隙率，导致膜层细而致密，以致不再进行钝化处理就能获得满意的磷化效果。表面调整液中加入SJ稳定剂后还可长期保持胶体态表面调整液的使用稳定性，Ⅰ-5A表面调整液与室温磷化液的优良匹配性使得磷化膜和磷化膜-漆膜的质量达到或超过了国家标准（GB6807-86）中的技术要求。     

ZnO薄膜气敏元件

通过在Al2O3衬底上粉末溅射ZnO做出了气敏特性和稳定性较好的ZnO薄膜气敏元件,实现ZnO薄膜的实用化,表明了ZnO是除SnO2外又一种新的气敏基材料.文中还对ZnO薄膜有关气敏特性和元件的气敏电流IG随酒气浓度C变化的规律进行了介绍.     

材料表面薄膜硬度的测试计算

给出了基于纳米硬度试验的表层薄膜的硬度测算方法。首先研究如何利用有限元计算弥补纳米硬度测量在压痕深度小于百纳米时的精度缺陷，进而探讨薄膜一基体材料系统的硬度随压痕深度变化的规律，最后导出了根据实验曲线预测表层薄膜材料的硬度的公式，并进行了实验验证。     

纳米二氧化硅目标杂化聚酰亚胺复合材料膜的制备与性能表征

原位聚合制备了纳米二氧化硅(SiO2)目标杂化聚酰亚胺(PI)复合材料膜。实验表明,采用溶胶 凝胶法原位聚合制备的纳米SiO2 PI杂化膜在SiO2含量达到20wt%时,仍然是透明的,而且根据电镜观察,SiO2粒子在PI基体中均匀分散。随着SiO2含量的增加,杂化PI复合材料膜的耐热性、动态力学性能、拉伸性能均有不同程度的提高,且吸湿性降低。分析表明,SiO2前驱体在反应初期即被"固定"在聚酰胺酸大分子链的羧基(-COOH)上,然后在酰亚胺化过程中原位生成纳米SiO2粒子,SiO2粒子表面上的大量高活性硅羟基(-Si-OH)与PI大分子链上的羰基(>C=O)形成氢键而实现目标杂化。     

多层复合式薄膜热电偶的研制

利用薄膜科学的最新发展和梯度功能材料的研究思路，成功地解决了金属基体表面沉积薄膜热电偶时的交叉绝缘和连接强度问题，从而研制出系列高性能的瞬态温度测量用薄膜热电偶测温传感器。     

纳米TiO2光催化材料的研究现状及展望

评述了纳米TiO2光催化材料的发展概况、光催化降解原理及特点，纳米二氧化钛光催化材料粉末及薄膜的一些主要制备方法。介绍了TiO2光催化材料的几种应用研究以及所要克服的技术难点，并对今后的发展方向作了展望。     

退火对CoFe薄膜结构特性的影响

利用粉末冶金方法置备了Co90Fe10靶材,用X射线能量损失谱(EDX)分析靶材成分,并利用X射线衍射分析靶材的结构。CoFe薄膜在优于5.5×10-4Pa的本底真空度下室温沉积在热氧化Si基片上,样品在3×10-5Pa真空度下分别进行了450℃和500℃的60min退火处理。用EDX和俄歇电子能谱分别分析了靶材和薄膜的成分中Co,Fe的比例。X射线衍射发现沉积在热氧化Si基片上的CoFe膜(111)晶面面间距明显小于靶材相应晶面面间距,退火处理使膜(111)晶面面间距明显增大,趋向靶材面间距。磁阻特性测量表明室温沉积的薄膜磁电阻经450℃和500℃退火后得到非常明显改善。     

气膜孔形状对流量系数影响的实验研究

实验研究了气膜孔几何形状、二次流雷诺数及吹风比对流量系数的影响。所用孔形是簸箕形孔、圆锥形孔及圆柱形孔；实验的参数范围为二次流雷诺数Ｒｅ＝１００００～２５０００，二次流吹风比Ｍａ＝０．３～２．０，在上述范围选取了２６个工况分别对三种孔形进行了实验。得出了吹风比是影响各种孔形流量系数的重要参数及圆锥形孔流量系数最大的结论。     

光学太阳反射镜抗静电薄膜的设计原则

对氧化铟锡（ITO）薄膜在光学太阳反射镜（OSR）抗静电放电设计中的应用进行了研究，采用Drude理论分析了ITO薄膜的表面方阻等对OSR的太阳光谱吸收比的影响，测试了光学太阳反射镜充电电位，讨论了薄膜接地状况对OSR表面充放电性能的影响，结果表明，ITO薄膜应用于OSR表面防静电放电时，需合理设计表面方阻和接地方式。     

半闭环磁场中磁控溅射镀膜工艺对TiN硬度的影响

在不同的工艺条件下,利用复合磁控溅射镀膜机双直流溅射靶,镀制了大量的试验样品,通过XP测定不同工艺参数条件下三个试样膜层的硬度。经过仔细分析发现,磁场的分布、靶基距和温度对薄膜的硬度影响很大。