CM2磁场梯度补偿方法研究

CM2是根据我国各种型号卫星的需求而正在建设的一个大型磁试验设备,由于设备性能要求达到国际水平,但现有的提高设备均匀度的方式很难使其均匀性达到设计指标的要求。为此文章提出:应用磁场梯度补偿的方法来减小其不均匀度,并就其具体情况设计了在主线圈的外线圈上加单向补偿绕组和1/3混合补偿绕组的磁场梯度补偿方式,并利用矩阵法来计算综合补偿时的电流值。     

消除加工硬化的再结晶快速退火法

加工硬化在工业生产中是一种重要的强化手段,同时,也能给生产过程中的金属继续塑性变形造成困难。因此,常采用“中间退火”工序以消除其不利影响。经研究试验,用适当提高加热温度并减少零件保温时间的快速退火法,代替原来的保温时间长、随炉冷却速度慢的普通热处理方法,对于民品板金件的大批量生产是经济、有效的。处理后的零件表面仅有一层氧化色,无较厚的氧化层,此亦优于传统工艺。     

L2—M板材冲压变形量与中间退火工艺关系的探讨

结合大型环状件的冲压中间退火,研究了L2-M(含0.026%钛)纯铝板材在不同退火温度下的临界变形。研究发现退火温度对L2-M纯铝临界变形(ε_cr)的影响较为显著,因此提出对变形量较小的冲压工件的中间退火可采用调整其温度,提高临界变形量的方法避开临界变形下退火。同时还研究了预拉伸变形17%的试样,在350℃下不同保温时间退火后其再结晶及加工硬化消除情况,试验得出在再结晶出现前加工硬化基本消除。因此对变形量较大的或存在强烈局部变形的工件,只要合理地选择工艺参数,采用再结晶孕育期内退火代替再结晶退火是必要的,对小变形量的冲压工件亦可采用。     

基于智能优化算法和有限元法的多线圈均匀磁场优化设计

针对多线圈均匀磁场优化设计中的高阶求导及优化结果可信度评估问题,提出一种基于智能优化算法和有限元法相结合的多线圈均匀磁场优化设计方法。首先,确定待优化参数,并以磁场偏差率作为目标函数;然后,采用智能优化算法对目标函数进行寻优;最后,基于优化得到的结构参数,建立相应的有限元仿真模型,检验优化结果的可信度。以2组亥姆霍兹线圈的结构参数优化为例,仿真结果表明,本文方法求得的最优参数优于传统的求导方法寻优得到的参数,且经过有限元法检验后,该优化结果的可信度得到了确认。      

有关地磁暴的若干问题

问：地磁暴是什么原因引起的？答：太阳正处于11年活动周期的高峰期。这就意味着太阳表面活跃着相当数量的可见黑子。太阳黑子看起来像太阳的雀斑。实际上是太阳表面强烈的磁场活动的区域。这些黑子群能成为耀斑爆发和日冕物质抛射的来源。其中日冕物质抛射即太阳日冕中的带电粒子瞬时向外喷射的现象。     

基于马鞍形磁场的永磁直线电机位置解算方法

针对直线电机转子位置检测低成本和较高精度的要求,提出了一种基于马鞍形磁场来获得位置信息的方法及实现过程。分析了永磁体表面的磁场分布特征,指出了利用马鞍形磁场分布曲线来解算位置信息的优点,提出了根据马鞍形磁场推算位置信息的算法流程:先测得错开相位的2条马鞍形曲线数据,划分为4个象限后建立数据库；位置检测时,运用区间搜索算法寻得实际角度所在区间；再根据精度要求,采用合适的插值算法计算得到待解算的角度。仿真结果表明:基于马鞍形磁场的位置解算,能较好地得到直线电机转子的位置信息。     

强短波衰落事件的太阳活动区磁场位形先兆

本文利用北京天文台提供的高空间分辨率的活动区纵场磁图对1988年的18个活动区进行分析研究,以寻求强SWF耀斑的先兆.结果表明,一磁流在异极性磁流区浮现,同极性磁流合并、异极性磁流侵入和纵向磁场强度剧增4种磁位形演化与强SWF耀斑有密切关系。文中还用1988年9—10月份的25个活动区的磁图和耀斑资料佐证上面的结果。      

等离子体彗尾流线断裂现象的讨论

等离子体Ⅰ型彗尾流线的断裂,已多次被人们见到.本文用MHD的理论,讨论和分析了这种现象,认为这是一种空间等离子体扰动所产生的结果.本文作了定性的分析,及定量的计算,比较满意地解释了这种彗尾中的观测现象.      

电流片的稳定性问题

本文从理想磁流体力学出发,分析了固结在光球层上的半圆弧形电流片的线性稳定性。主要结论是:当沿电流方向的磁场小于某临界值时,电流片将不稳定,且最先引起不稳定的扰动模沿电流方向的波数近似为电流片圆弧直径的倒数。      

热处理对Mo-Si系金属间化合物微观组织和断裂韧性的影响

以纯金属Mo与纯Si为原料,通过电弧熔炼法制备了Mo₃Si-Mo₅Si3共晶,Mo₅Si3-MoSi₂亚共晶和过共晶Mo-Si系金属间化合物。在1200℃分别对3种合金进行了12h、24h、48h和96h真空退火,观察层状结构在合金中的形成、变化及破坏。1200℃退火48h后,在Mo₅Si3-MoSi₂亚共晶合金中发现了发展完好的Mo₅Si3（D8m）/MoSi₂（C11b）层状结构,层间距为几百纳米;在Mo₅Si3-MoSi₂过共晶合金中,层状结构的层间距与体积百分含量在退火前后没有发生明显变化;在Mo₃Si-Mo₅Si3共晶合金中始终未观察到层状结构的存在。通过压痕法测量了各合金的断裂韧性（K_IC）,研究了微观结构与KIC之间的关系。