预处理SiC颗粒在ZA-27合金中的分散润湿过程和界面反应模型

用扫描电镜（SEM）和透射电镜（TEM）并应用搅熔铸造工艺研究了预处理过的SiC颗粒在加镁ZA－27合金中的卷入，分散和润湿过程，在低温搅拌（470℃）时，预处理过的SiC颗粒首先呈较大尺寸团聚体被卷入ZA－27合金半固态浆料中，随后在搅拌剪切力的作用下SiC团聚体逐渐变小，且由于发生了存在于SiC表面的SiO2与由于加Mg而降低表面能的合金液间的润湿，并在旋涡能的促进下，SiC能呈单粒状分散在熔体中，在高温（550℃）搅拌时，由于SiO2与合金液中的活性原子Mg 和Al等发生界面反应，促进了SiO2与合金液间的进一步润湿，随后SiC能与合金液发生非反应润湿的主要原因是界面反应提供了无气洁净的SiC表面，结合电镜观察和热力学计算及动力学分析，确认界面反应产物是尖晶石，探讨了搅拌时界面反应的过程并建立了反应润湿的模型，得出SiC表面的残余SiO百X与反应时间t成线性关系，即X＝L－DKVmt。     

基于流接口驱动模型设计USB设备的驱动程序

本文介绍了嵌入式操作系统WinCE.Net的USB总线驱动框架,以网眼摄像头驱动程序的设计为例,详细介绍了基于流接口驱动模型设计USB设备驱动程序的过程。测试表明,该设计方案是可行的。     

基于DH-CG400的图像采集卡的二次开发

通过对图像采集卡应用接口库的使用,给出了在VC 下进行图像卡二次开发流程和关键技术的应用。并给出了在此平台上进行图像采集的实例。     

Thermal Stresses and Cracks During the Growth of Large-sized Sapphire with SAPMAC Method

本文利用有限元法对冷心放肩微量提拉法(SAPMAC)生长大尺寸蓝宝石单晶过程中的热应力进行了模拟计算,应用临界缺陷理论解释了裂纹的萌生与扩展机理。研究表明,晶体内的热应力主要与晶体生长速率,环境温度和结晶取向有关;较大热应力多出现在结晶界面,放肩、收尾以及直径急剧变化等位置;最大热应力总是出现在籽晶与新生晶体的界面附近。裂纹将在临界缺陷位置产生,并在应力作用下沿a或m面扩展。计算结果与实验结果基本吻合,通过晶体生长系统和生长工艺的改进,对晶体的开裂问题得到了有效的抑制。     

基于S3C44b0X服装绘图仪液晶显示开发

服装绘图仪的控制核心采用SAMSUNG公司S3C44b0X处理器,S3C44b0X为一般应用提供了高性价比和高性能的微控制器解决方案。介绍了将S3C44b0X内置LCD控制器进行重新配置,使其能驱动YXD-12864A液晶显示模块,并给出了该控制器与LCD硬件接口方法,经实验验证此方法的正确性。     

Ion relaxation processes in the heliospheric interface: how perturbed are ion distribution functions?

Charge-exchange processes between interstellar H-/O-atoms and protons of the bulk of the interstellar plasma flow downstream of the outer bowshock in the heliospheric interface induce secondary ions leading to non-relaxated velocity distribution functions. The relaxation of these freshly induced ions towards an equilibrium distribution occurs due to Coulomb interactions and wave–particle interactions with the background turbulence. Since Coulomb interactions are of low relevance, we study here in detail the effect of wave–particle interactions. To find the turbulence levels in the interface we consider the MHD-wave transformation at the outer shock surface between the interface and the local interstellar plasma. The turbulence in the outer interface region is shown to be dominated by incompressible Alfvén waves both for cases of quasiparallel and quasiperpendicular shocks. Also we show that waves propagating towards the shock are more intensive than those propagating away from it. The level of Alfvén turbulence in the interface is estimated using the recent data on local interstellar turbulence deduced from observations of interstellar scintillations of distant radiosources. Two proton relaxation processes are considered: quasilinear resonant interactions with Alfvén waves and non-linear self-induced wave–particle scattering. The corresponding diffusion coefficients are estimated, and typical time periods for protons and oxygen ions relaxation are shown to be of the same order of magnitude as H-/O-atoms passage time over the extent of the interface. This indicates that perturbed ion distribution functions must be expected there.     

颗粒增强复合材料界面开裂力学性能的模拟

基于Ghosh提出的Voronoi单元有限元方法,构造能够反映颗粒增强复合材料基体和夹杂界面产生脱层的新单元,结合网格重划分技术,模拟含任意随机分布夹杂的复合材料界面开裂的力学性能。为了分析夹杂和基体之间脱层对细观结构演化和宏观性能的影响,采用了临界节点移动技术。编制的有限元程序,能够描述界面逐步脱离过程和应力场的变化。计算实例和普通有限元方法进行比较,证明其精度完全符合要求。     

含有层间裂纹的双金属层板复变变分解法及其在胶接件中之应用

 本文根据穆斯海里什维利公式、裂纹表面边界条件与界面连续条件得到了含有层间裂纹的双金属层板应力与位移场的本征展开式。本文进一步利用分区广义变分原理代替边界条件,确定应力强度因子。由于所有方程预先满足,在变分方程中,只有线积分。对胶接件界面裂纹的计算表明,本方法收敛迅速节省机时。     

双重加权实质无波动激波捕捉格式的改进和应用

本文重新研究了双重加权实质无波动(DWENO)激波捕捉格式的构造过程，对模板光滑系数的定义，以及两重权值的计算方法进行了改进，并通过一维Riemann问题测试了这些改进，确定了参数的选择范围。最后，本文将改进后的DWENO(r=3)格式进一步应用于一维、二维典型问题的数值模拟，并比较了DWENO格式和WENO格式的精度和分辨率。     

金属基复合材料界面特征与力学性能

金属基复合材料的界面特征在很大程度上决定这种材料的性能。本文分析了金属基复合材料界面的特性，阐述了界面特性与力学性能之间的内在规律，利用二组元模型解释了界面上服性化合物厚度与力学。性能之间的数学联系。