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211.
为了降低涂层和基体间的元素互扩散,采用电弧离子镀技术在NiCrAlY防护涂层和DSM11基体间加入CrN扩散阻挡层。用扫描电镜(SEM)观察了沉积态CrN涂层、退火和氧化态NiCrAlY/DSM11和NiCrAlY/CrN/DSM11的表面和截面形貌;通过能谱(EDS)分析了元素沿防护涂层和扩散阻挡层的截面分布;用X射线衍射仪(XRD)检测了防护涂层和扩散阻挡层的物相结构;用透射电镜(TEM)观察了样品退火和氧化后扩散阻挡层的形貌特征;利用1100℃恒温氧化实验比较了单一NiCrAlY涂层和NiCrAlY/CrN涂层体系的抗氧化能力,结合真空扩散实验分析了高温情况下元素在涂层和基体间的扩散。结果表明:CrN扩散阻挡层能有效地抑制合金元素的互扩散。其原因与高温下CrN→Cr2N→TiN的转变有关;TiN在扩散阻挡层的生成有利于防护涂层抗氧化能力的提高。 相似文献
212.
硒(Se)掺杂可以大幅提高锗碲(GeTe)相变存储材料的再结晶温度,使其具有更高的服役温度和更好的数据保持力,然而Se掺杂对GeTe微观结构和电学性质的影响机制尚不清楚。采用第一性原理计算方法,对Se掺杂GeTe相变存储材料的几何构型、成键性质和电子性质进行了理论研究。结果表明,对于GeTe完美晶体,掺杂的Se原子优先取代Te原子。而对含本征Ge空位的GeTe体系,Se倾向于取代与Ge空位最近邻的Te原子。Se原子与Ge空位具有吸引作用,抑制了Ge空位的移动,从而提高其再结晶温度。Se掺杂导致含Ge空位的菱方相体积收缩,带隙减小,而使含Ge空位的面心立方相体积膨胀,带隙增大。Se掺杂减小了GeTe两晶相的体积差异。计算结果为解释实验中Se掺杂导致的奇特相变性质提供了重要线索。 相似文献
213.
214.
215.
216.
217.
采用有限元法计算了预研核心机转子的支承结构静刚度,所得数据与地面台架试车结果比较吻合,说明方法正确,其结果可用以分析预研核心机转子支承系统的动力特性。 相似文献
218.
深入研究了虚拟场景中基本几何元素相交测试的基本原理和典型算法,对Moller判别算法和Devillers判别算法进行验证。通过分析、比较得出:Devillers判别算法是对Moller判别算法的改进和优化,条件相同时检测效率提高约10%,算法更加简单快捷,具有较高的理论意义和实际工程应用价值。 相似文献
219.
中温区Mg3(Sb, Bi)2基热电材料因其特殊的导带结构和复杂的晶体结构,以及无毒廉价等优点而极具应用前景,对Mg3Sb1.5Bi0.5合金进行施主掺杂获得n型传导特性是重要的性能优化手段之一。采用第一性原理进行计算和定向凝固进行实验,对Sc、Y和Al取代Mg3Sb1.5Bi0.5合金不同Mg位的缺陷形成能和电子结构进行了分析,结合实验测试结果讨论其对载流子传输性能参数的影响。结果表明:ⅢB族的Sc和Y优先取代Mg1位,而ⅢA族的Al倾向于取代Mg2位,不同掺杂元素均使Mg3Sb1.5Bi0.5合金的Fermi能级向导带偏移,载流子浓度和电导率值增大。Sc和Y元素还可通过改变导带底能带的曲率来改变载流子有效质量,Seebeck系数更大。其中,Sc掺杂对导带底的影响可以使Seebeck系数和迁移率更加均衡,从而使电子传输性能最佳,相应的功率因子最大... 相似文献