C/SiC-W复合材料的制备与表征

采用化学气相渗透(CVI)结合溶液浸渍法制备C/SiC-W多元基复合材料,利用XRD和SEM对材料的物相组成及微观结构进行表征,并对制备过程的反应机理进行初步探讨.结果表明,W在复合材料中成颗粒团聚状,它不仅能渗入到复合材料的纤维束间,还渗入到纤维束内.制得C/SiC-W复合材料的密度为4.1g/cm3,开气孔率为12%.     

涡轮叶片表面气膜冷却效率的实验研究

采用放大的叶片模型，利用大尺寸低速线性叶栅风洞进行实验，测量了涡轮导向叶片表面不同位置单排气膜孔的气膜冷却效率，研究了孔排位置、吹风比及来流雷诺数的影响。风洞实验段由3个叶片组成，其中中间的叶片为试验叶片，由优质木材制成。试验叶片表面上开有15排气膜孔，其中吸力面3排，前缘区6排，压力面6排。实验的参数变化范围是：基于叶片弦长的来流雷诺数250000-450000，吹风比0．5-2．5。结果表明，由于气膜孔排位置的不同，其下游冷却效率受来流雷诺数及吹风比影响的变化趋势也有所不同。     

级联三能级原子系统的量子特征

运用油松分布的性质和二元泰勒级数展开方法，研究了初始处于下能级的级联三能级ＪＣ模型中的原子与两个初始相于辐射场的相互作用，得到了原子能级算符、光子数和偶极矩算符的平均值的近似解析解，与前人数值结果相比，更加明确地反映了系统的量子效应。     

栅极偏压对纳米金刚石薄膜沉积过程的影响

在HFCVD系统中施加栅极偏压和衬底偏压,采用双偏压成核和栅极偏压生长的方法成功制备了高质量的纳米金刚石薄膜.采用显微Raman高分辨率SEM和AFM等现代理化分析手段分析纳米金刚石膜的微结构,结果表明双偏压显著促进了金刚石的成核密度,平均晶粒尺寸在20 nm以内.试验观察和理论分析表明栅极偏压促进了热丝附近的等离子体浓度,提高了衬底附近的碳氢基团和氢原子浓度,提高了金刚石的成核密度、在保持晶粒的纳米尺寸的同时保持了较高的成膜质量和较低的生长缺陷.     

编码解码技术在红外遥控器中的实现

本主要介绍了对红外遥控信号的接收和处理。通过PIC12C509A芯片实现其编码解码功能，再通过串／并转换芯片74LS194实现8位的LED显示，从硬件电路和软件编程两方面进行设计与实现。     

扫描辐射计内光路反射镜中SiO2／Ag薄膜系统的失效分析

SiO_2/Ag薄膜系统是扫描辐射计内光路反射镜的主要组成部分。采用高分辨扫描俄歇微探针(SAM)和扫描电镜分析对SiO_2/Ag 薄膜系统失效进行了较为全面的分析研究。通过扫描电镜观察发现,失效的反射镜表面SiO_2薄膜上存在大量析出物,借助于SAM分析,表明这些析出物主要是银和铜,析出物表面伴随有硫化和氧化。SAM的深度剖面结果说明,有析出物存在的区域,各薄膜层中存在原子间的扩散。文章就反射镜中Ag、Cu、和O的扩散和穿透行为进行了讨论,认为SiO_2薄膜致密度较差是导致反射镜失效的主要原因之一。     

连续自由流电泳微重力下分离模式蛋白质的研究

以连续自由流电泳的区带电泳模式分离血红蛋白和细胞色素C，比较了不同缓冲液甘油浓度下的分离效果，确定了最终装载在神舟4号飞船上A3—2型电泳仪的电泳分离条件，通过地面和空间实验，初步探讨了微重力对连续自由流电泳分离的影响，并对电泳的分离产物做了多种检测．     

钛合金胶接点焊接头的性能检测

研究了不同焊接电流下钛合金板胶接点焊接头的A扫描信号和C扫描图像特征,并进行了拉伸-剪切试验。结果表明:通过观察C扫描图像的特征与A扫描信号的变化,能够划分胶接点焊接头的胶层区、热影响区、熔合区、熔核区以及焊接缺陷;随着电流(7~10 k A)的逐渐增大,接头熔核直径呈递增趋势,相应的失效载荷从7 231.5增加到10 939.0 N;当电流为7 k A时,在C扫描图像上反映出飞溅缺陷,此时接头失效载荷远小于没有出现飞溅的接头,可见飞溅降低了胶接点焊接头的拉剪载荷。     

陕飞与中航技签订8架运八飞机采购合同

5月21日，《运八C飞机出口委内瑞拉采购合同》签字仪式在北京举行。至此，运八系列飞机出口达到25架。此次出口型飞机是陕飞公司在运八C型飞机现行技术状态基础上，根据用户要求，换装部分航电设备，调整仪表板布局，提高货运系统装卸效率，并对飞机结构、     

航天器平面薄膜结构模态分析和试验

为分析航天器平面薄膜结构(包含薄膜和绳索张拉系统)的动力学特性,对真空和空气中的多花边平面薄膜结构的模态进行了有限元仿真分析,且构建了一套测试平面薄膜结构模态的试验系统,分别利用摄影测量法和扫描式激光测振仪对平面薄膜结构的平面度和模态进行了测量,试验结果验证了模态仿真分析的正确性。进一步的分析表明,平面薄膜结构的基频近似与绳索拉力的平方根呈正比,且基频随花边半径增大而减小,但减小幅度很小,说明增大绳索拉力对平面薄膜结构基频的提高比减小花边半径对基频的提高要明显得多。