X射线光刻机中应用的精密定位工作台

为适应超大规模集成电路器件的发展,微电路图形的特征线宽愈来愈细的特点,发展了电子束光刻及Ｘ射线光刻,而Ｘ射线光刻由于其极高的分辨率,对未来的大规模集成电路器件的制作具有很大的应用潜力。随之而来的是要有高精度的定位工作台,以保证高套刻精度的要求。     

基于FPGA的反走样图形发生器的研制

简要介绍了一种生成反走样直线和圆的原理,然后用基于FPGA的硬件方法研制设计出该反走样图形发生器,提高了图形生成的速度。相比于100MHz-CPU的计算机软件实现,大约快4倍。     

某型多卜勒雷达频率调制转换基准插件的FPGA实现

某型多卜勒导航雷达广泛应用于军事和民用领域,调制转换基准插件是其核心部件之一。本文介绍一种采用数字控制振荡器的设计技术,利用FPGA实现调制转换基准插件功能,从而代替了原来的模拟部件,解决了设备的维护问题。     

卫星TDICCD相机非沿轨成像仿真方法

传统的TDICCD相机沿轨成像模式只需要调整偏流角和卫星飞行速度决定的积分时间,而TDICCD相机非沿轨成像则需要更加复杂的姿态和积分时间控制。对TDICCD相机非沿轨成像进行仿真,有助于了解其工作原理,并有针对性地研发数据处理方案。文章实现了卫星TDICCD相机对非沿星下点轨迹方向条带目标成像的两种仿真方法。一是"南北方向"成像仿真方法,另一种是"摆扫"成像仿真方法。推导了这两种成像在星下点成像和偏离星下点成像两种条件下TDI积分时间和姿态运动的计算方法。通过多级积分条件下的靶标成像效果和成像范围验证了所述方法的正确性和通用性。     

采用矢量网络分析仪（VNA）提取平衡器件的特征

在设计射频和微波电路时需要差分拓扑技术，但生产厂商有时没有给出器件在所关注频率上的差分输入阻抗，需要使用者自行测量提取。本文阐述提取特征参数的三种方法，举例说明实际操作步骤，并作了误差分析。     

星敏感器专用图像采集板的研制

研制星敏感器专用图像采集板是提高星敏感器精度的重要手段之一。文章介绍了星敏感器专用图像采集板的结构和基本原理。针对ＰｈｉｌｉＰＳ公司的ＣＣＤ芯片,探讨了有关与ＣＣＤ像元－一对应的图像采集方法及独具特色的电路设计。     

霍尔电推进离子能量后加载设计及工作特性

典型的全电推进通信卫星通常设计使用寿命约为15年,对霍尔电推力器的使用寿命要求达到了104h量级,因此,长寿命设计技术是影响其能否工程应用的关键技术.简要调研了国内外霍尔推力器延寿技术的发展,分析得到壁面及磁极腐蚀程度是影响推力器寿命的核心物理过程.通过分析推力器放电过程离子加速场的建立过程,提出一种具有离子能量后加载...     

民用飞机第25.865条要求及符合性验证研究

基于国内外运输类飞机针对适航标准第 25. 865 条的符合性现状,结合飞机在着火情况下一定时间内的操纵和安全飞行需要,在分析易受飞机着火影响的飞行安全关键部件防火要求的基础上,即位于指定火区或邻近指定火区内必需的飞行操纵器件、发动机架和其它飞行结构,如发动机安装节、邻近发动机舱或 APU 舱的主飞控部件等,必须用防火材料制造或用防火材料屏蔽,使之能至少承受 15 min 的着火影响,提出了第 25. 865 条的适航解析要求和符合性验证方法。 开展了对第 25. 865 条的制定背景、技术要求及符合性验证方法的研究,包括适航要求的解析,防火的定义解读,防火材料和非防火材料的符合性验证思路,及对关键飞行操纵器件、屏蔽、冗余和气弹稳定性等方面的着火评估,形成了第 25. 865 条的适航技术要求和符合性验证方法,可为运输类飞机针对第 25. 865 条的适航性设计和符合性验证提供参考。     

14 nm pFinFET器件抗单粒子辐射的加固方法

为探究先进互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺在空间应用中的可靠性问题，研究14 nm工艺下P型沟道鳍式场效应晶体管(pFinFET)器件中的抗单粒子瞬态(SET)加固策略。通过在器件中插入平行于鳍方向的重掺杂N型沟槽(Ntie)和P型沟槽(Ptie)来减缓SET的影响。三维TCAD仿真结果表明：加固之后器件的抗SET特性和沟槽本身的偏置条件相关。当重掺杂沟槽处于零偏状态时，抗辐射加固的性能最好，SET脉冲宽度降低程度可达40%左右；然而，当处于反偏状态时，由于特殊的电荷收集过程的存在，使得SET脉冲幅度反而会明显增大，脉冲宽度减小程度并不明显。此外，还研究沟槽面积、间距及掺杂浓度对pFinFET中的SET脉冲宽度的影响，得到提高抗SET效果的加固方法。     

低磁场量子化霍尔电阻样品发展综述

基于量子化霍尔效应建立电阻标准是当今前沿计量技术,是国际上定义电阻单位的最高标准,其核心部件是量子化霍尔电阻样品,传统砷化镓样品通常需要工作在10 T以上的强磁场环境中,磁体研制难度大,成本高,不易推广应用。随着量子电阻标准小型化、低成本化和国产化的发展,研制低磁场量子化霍尔电阻样品是发展趋势。介绍了砷化镓、石墨烯和铁磁拓扑材料三种低磁场量子电阻样品的原理,总结了研究现状和存在的问题,从磁场、温度、测量不确定度和技术成熟度等方面分析了三种方法的优势及不足,旨在为我国发展低磁场量子电阻标准提供理论基础。