遥望星空的红外眼睛

红外线也是一种肉眼看不见的电磁辐射。它的波长比可见光短,波长范围在0.7微米至1000微米之间。地球大气对大部分红外线都有吸收作用,能够穿透地球大气到达地球表面的红外线只有7个特殊的波长,它们分别足1.2微米、1.6微米、2.2微米、3.6微米、5.0微米、11.0微米、20.0微米。     

太阳质子事件能谱不确定性导致的器官剂量变化

计划地球磁场外长期任务主要关注的问题之一是可能存在的大型太阳质子事件(SPE)，这类事件会以大注量质子和重离子辐射位于薄屏蔽航天器内的航天员。这将造成乘员敏感器官接受大剂量辐射，从而使任务变得十分危险，还可能威胁生命。不幸的是，由于已经出版的质子注量谱的不确定性仍然未知，所以预估乘员器官剂量非常困难。     

分形地形模拟

在抗ＡＲＭ武器系统图形仿真中采用了分形几何方法，鉴于分形在计算机图形学中的广阔应用前景，文中在简要介绍分形几何的概念及其应用的基础上，主要介绍仿真中采用的ｆＢＭ方法的概念、主要特性，进而讨论使用其合成技术ＭＰＤ法中的三角形构网和四边形构网方式来模拟地形图。     

某制导雷达抗反辐射导弹系统及其数字仿真

在现代战争条件下,制导雷达抗反辐射导弹问题是关系到其自身生存能力和威力发挥的重大研究课题。介绍一种用于某型制导雷达的抗反辐射导弹系统,以及该系统的仿真模型,并给出数字仿真的结论。     

高旋转数下45°斜肋回转通道平均换热特性研究

为了更加深入地研究涡轮叶片回转通道的换热特性,研究了高旋转数下带45°斜肋回转通道的平均换热特性。在通道进口雷诺数从10000~70000,旋转数从0~2.07的范围内,实验研究了旋转状态下,方形截面带45°斜肋U型通道径向出流与径向入流两个流程四个侧面在0°,22.5°和45°三个安装角下的平均换热系数。研究结果表明:45°斜肋增强了通道换热,减弱了旋转对换热的影响;由于浮升力作用在肋间二次流上,导致通道内外侧出现临界回流现象;转角减弱了第一通道旋转对换热的影响,增强了第二通道旋转对换热的影响,其影响在低旋转数下并不显著,在高旋转数下开始变得明显。     

圆弧变截面碳/环氧辐射肋芯模研制

介绍了一种圆弧变截面空心薄壁碳/环氧辐射肋成型芯模,涉及芯模设计、制造、脱模、检测、校形等相关技术。采用该芯模制造的圆弧变截面碳/环氧辐射肋应用于高精度网状抛物面天线,芯模精度稳定,满足碳/环氧辐射肋成型要求,芯模制造成本低,经济实用。     

反红外伪装

随着红外探测器的出现,反红外伪装的研究已成为当务之急。本文简要介绍反红外伪装的方法和器材,内容包括:(1)反红外侦察涂料;(2)迷彩伪装;(3)伪装烟幕;(4)红外诱饵;(5)红外辐射屏蔽。     

美国研发应用于太空环境的电子技术

2006年5月底，NASA与大学和工业界共同组成的一个团队签订了1份为期1年价值275万美元的合同，目的是进一步开发一种可靠的、具有良好成本效益的电子技术，这种技术能够帮助极端寒冷和太空辐射环境中的机器人和人类太空任务操作。     

温度传感器辐射修正校准的准确牲研究

为了确定温度传感器辐射修正校准的准确性，需要对温度传感器辐射修正校准结果进行对比及不确定度分析。本文介绍了在热校准风洞中进行温度传感器辐射修正校准的结果，并做了对比研究和不确定度分析。     

DC Characteristics of Gamma-ray Irradiated SiGe HBT in Comparison with Si BJT

The changes of DC characteristics of SiGe HBT after being submitted to γ-ray irradiation of 700 krad, 7 000 krad and 10 000 krad were compared to those of Si BJT. Generally speaking, Ib and Ib- Ib0 increase with the doses increasing. For SiGe HBT, with the doses increasing, Ic and Ic-Ic0 as well as the related changes of the current gain （β） will decrease at higher Vbe, while for Si BJT, with the doses increasing, after irradiation, Ib and Ic-Ic0 increase; ,8 and its related changes also decrease with their differences, however, tending to be very small at high doses of 7 000 krad and 10 000 krad. Moreover, given the same doses, the decreases of,a are much larger than SiGe HBT, which shows that SiGe HBT＇s anti-radiation performance proves to be better than Si BJT. Still, in SiGe HBT, some strange phenomena were observed： Ic-Ic0 will increase after the radiation of 7 000 krad in less than 0.65 V and as will ,8 in less than 0.75 V. The mechanism of radiation-induced change in DC characteristies was also discussed.