掺磷纳米硅薄膜的微结构

采用喇曼(Raman)散射谱、高分辨率电子显微镜(HRTEM)和原子力显微镜(AFM)对掺磷纳米硅薄膜的微结构进行了分析,并对纳米硅薄膜的传导机制进行了探讨.结果表明:掺磷纳米硅薄膜由尺寸为2～4*#nm的晶粒和2～3个原子层厚的非晶界面构成,计算得到薄膜的晶态比为40%～55%.与本征纳米硅薄膜相比,掺磷纳米硅薄膜晶粒尺寸和晶态比没有明显变化,电导率却提高了2个数量级.随着掺磷浓度增加,纳米硅薄膜的晶粒尺寸、晶态比及电导率逐渐增大.AFM观察表明掺磷纳米硅薄膜由尺寸介于15～20*#nm的团簇构成,团簇排列具有带状特征.     

数据格式转换技术在精密测量中的应用

叙述了为提高数据传输可靠性,在接收精密仪器所采集的数据过程中考虑将原有RS232串口通信,改进为USB接口通讯。但是接收到的信号出现了不明原因的周期性强干扰。为此,通过分析USB/RS232转换原理及A/D采集输出数据特点,对原软件的数据采集部分增补了具有特殊功能的子程序,使得应用程序可以自行恢复数据的完整性。此方法具有通用性,可在不同软件编辑环境中实现,且不影响硬件组成。文中又详细介绍了在薄膜厚度在线测量中应用上述USB接口通信的情况,实测结果表明试验取得了预想的效果。改进后的电容测量系统具有更为广泛的应用前景。     

气膜冷却技术在火炮射击中的应用

炮管烧蚀一直是火炮性能提高所面临的一重大障碍，分析了火炮烧蚀的机理，提出了一种将冷却剂直接加于可燃药筒中的新型气膜冷却技术，从而在火炮内弹道性能有所提高的情况下提高了身管的使用寿命。     

多孔层板换热特性实验研究

本实验选取了一种典型结构的多孔层板作为研究对象 ,进行了换热特性实验研究。研究了改变冷热气流吹风比对该型层板冷却效果的影响。另外 ,对该型多孔层板的冷却效果沿中轴线顺气流方向的变化规律也作了深入的研究。并给出了层板局部 N ux 和冷却效果 E关于局部 Rex 及冷热气流吹风比 M的数学拟合表达式。     

黑色金属室温薄膜磷化工艺研究

本文总结了在室温条件下于碳钢表面进行磷化处理的研究概况。研制了弱碱性和中碱性的高效能除油液;在表面调整剂中添加了SJ稳定剂,提高了表面调整剂的质量;研究出了以锌盐为主盐的室温磷化配方及工艺。所得磷化膜和磷化膜—涂膜的质量达到或超过了GB6807-86中规定的技术要求,与国际上应用的帕卡濑精磷化工艺相当。本工艺的优点是磷化处理在室温(16～35℃)进行,从而大大节约了能源、减少了对环境的污染。     

喷口辐射热泄漏对延伸段壁温分布的影响

引入喷口的热辐射泄漏损失，导出辐射冷却推力室壁温的计算方程。分析表明，考虑与不考虑喷口热损失二者相比较，前者壁温约下降７０℃。本结果可为喷管延伸段材料的选取提供更为科学的理论依据。     

层间增韧复合材料研究

研究了一种采用在复合材料层压板间插入韧性薄膜的方法，改善复合材料层压板层间韧性和损伤容限的技术。有限元分析和层间断裂韧性试验结果表明，层间加胶层复合材料层压板的层间应力有明显下降，层间断裂韧性有显著的增加。     

Study on the Microstructure and Dielectric Properties of Barium Strontium Titanate Thin Films Prepared by Sol-gel Method

Sr05Ba0.5-xBixTiO3 （BST） thin films were fabricated on a Pt/SiO2/Si substrate by the sol-gel method. Then follows an investigation of the influeoces of bismuth （Bi） on the microstructures and the dielectric properties of Sr0.5Ba0.5-xBixTiO3 （BST） thin films. The microstructures of the BST thin films were examined by the XRD and the TEM techniques. Tetragonal perovskite crystal grains were observed in BST thin films. Increasing Bi^3＋ doping ration in BST will lead to decrease of the grain size. It is found that Bi^3＋ doping decreases the dielectric loss and improves the frequency dispersion of the BST thin films. Not only is compressed the peak of temperature-dependence of dielectric constant of Bi^3＋-doped BST thin films but also moves into the low-temperature region. Moreover, the average Curie tem- perature decreases gradually with the Bi^3＋ contents increasing.     

Co/NM/FM(NiFe and Co)纳米多层膜的层间耦合效应

巨磁电阻自旋阀多层膜作为磁敏传感器材料与磁随机存储器(MRAM)材料，具有高的可靠性与灵敏度，在航空航天等高科技领域有着极大的应用前景。研究多层膜各层间的耦合效应与各层厚度、磁学性能之间的内在关系，对提高自旋阀的巨磁电阻效应、磁灵敏性等具有重要的作用。本研究采用磁控溅射沉积制备了(Cu／Co、Cu／NiFe，Ta／NiFe双层膜与Co／Cu／Co、Co／Cu／NiFe、Co／Ta／NiFe)三明治结构薄膜。采用振动样品磁强计对薄膜磁性、四探针法对薄膜磁阻性能进行了测试研究，采用洛仑兹电子显微镜法观察了薄膜的磁畴结构。研究结果表明，层间耦合效应不仅与非磁性中间层的厚度相关，而且与中间层材料的特性相关。磁阻与磁畴观察均表明层间耦合效应随中间层厚度的增加而减小，而Cu作为中间层的多层膜的层间耦合大于Ta作为中间层的层间耦合。