Al-Si合金几种变质剂变质作用差异的探讨

Al-Si合金中几种常用变质剂的变质效果明显不同。从不同角度对各种元素的变质作用机理进行了探讨,但对于这些元素在变质效果上的差异尚未得到完满的解释。作者前期的工作采用XPS和AES表面分析技术检测了Sr在Si相的特定晶面的吸附性。本文将运用同样的实验方法,分别对Na、RE、Sb等变质剂作相应的考察,并对这些变质剂变质作用的差异进行探讨。     

铍的YAG激光焊接裂纹敏感性研究

分析了激光焊接时为克服焊接裂纹所采取的焊前预热、短焦距焊接及焊接工艺参数等因素对裂纹敏感性的影响。结果表明：选择合适的焊接参数可减少裂纹的产生，但其作用有限，还不能从根本上消除裂纹。焊前预热及焊后缓冷对抑制裂纹作用显著，且随着预热温度提高裂纹率呈下降趋势。此外焊接中减少铍的熔化量对减少裂纹亦发挥了重要作用。     

含La铝硅共晶强制性非稳态生长

 试验考察了含La0.5％wt铝硅共晶强制性等加速等减速非稳态生长,纤维状共晶相半径R可以及时响应生长速度的变化,而片状共晶间距λ的响应则是迟钝的、波动的。试验分析了生长过程中初生α相偏转和共晶数量的变化。文中建立了非稳态生长理论模型,分析表明溶质扩散、共晶生长响应动力学和交互作用控制非稳态生长过程。     

硅的分布对铝—硅涂层抗热腐蚀性能的影响

利用ＲＦＬ热腐蚀试验装置，在温度为９００℃，盐浓度２０～１００ｐｐｍ，试验时间２００小时的条件下，研究了三种具有不同硅分布形式的Ａｌ－Ｓｉ涂层的抗热腐蚀性能。试验结果表明：涂层的抗热腐蚀性能与涂层中硅的分布形式密切相关。在涂层硅含量相当的情况下，硅呈内高外低的形式分布，可使涂层获得更佳的抗热腐蚀性能。     

用N2O-C2H2火焰原子吸收光谱法测定不锈钢材料中硅含量

运用N2O-C2H2火焰原子吸收光谱法测定不锈钢材料中的硅含量。介绍硅的最佳测定条件以及线性范围的浓度，在样品测定中对干扰因素进行了综合考虑。实验表明：N2O-C2H2火焰原子吸收光谱法灵敏度高、干扰小、选择性和重现性好，步骤简单、操作容易、分析周期短。测定样品含硅量10μg/mL～60μg/mL(n=6)时，其相对标准偏差均小于1．0％，标准加入回收率均为97．0％～103．0％(n=6)，适用于不锈钢材料中硅含量的测试，达到了实验室分析质量控制的要求。     

硅加速度计

在技术武器系统，稳定控制、机器人和商业用途领域，正出现一些需要低成本，小尺寸、中等精度加速度计的市场。微型机械制造技术极其适合上述的需要，德雷珀实验室已开发了系列硅－硼硅酸玻璃加速度计，以适应上述需要。其中一项用途是用于一个监控飞行炮弹运动的系统中，它需要动态量程范围为１ｍｇ￣１００ｋｇ的抗冲击的加速度计；第二个感兴趣的领域是用于小加速度值的商业仪表中。研制方案已集中在使用电容检测器和力平衡型的微     

钛硅共晶合金的组织与性能研究

在氩气保护下，利用非自耗钨极水冷铜坩埚电弧熔炼法制备Ti-Si共晶合金，并研究其组织与性能。X射线衍射结果，室温下铸态Ti-Si合金的组织由α-Ti基体和金属间化合物TisSi3两相组成，具有非平衡凝固特征。Miedema理论计算说明，TisSi3相的生成热比高温下β-Ti的生成热更小，共晶反应时Ti3Si3相先析出。首次测得Ti-Si共晶系合金的压缩强度和塑性，分析断口特征发现，不同共晶类型的Ti-Si合金虽然都属于脆性断裂，但断裂机制不尽相同。     

0.13μm部分耗尽SOI工艺反相器链SET脉宽传播

基于0.13 μm部分耗尽绝缘体上硅（PD-SOI）工艺,设计了一款片上反相器链（DFF）单粒子瞬态（SET）脉宽测试电路并流片实现,SET脉宽测试范围为105~3 150 ps,精度为±52.5 ps。利用重离子加速器和脉冲激光模拟单粒子效应试验装置对器件进行了SET脉宽试验。采用线性能量传输（LET值）为37.6 MeV·cm2/mg的86Kr离子触发了反相器链的三级脉宽传播,利用脉冲激光正面测试器件触发了相同级数的脉宽,同时,激光能量值为5 500 pJ时触发了反相器链的双极放大效应,脉宽展宽32.4%。通过对比激光与重离子的试验结果,以及明确激光到达有源区的有效能量的影响因子,建立了激光有效能量与重离子LET值的对应关系,分析了两者对应关系偏差的原因。研究结果可为其他种类芯片单粒子效应试验建立激光有效能量与重离子LET值的对应关系提供参考。      

新型透波准陶瓷基体材料

对含乙烯基陶瓷前驱体PSN1的固化工艺及其经准陶瓷化后所得材料的性能进行了研究。采用TGA、DMA对准陶瓷基体的热性能进行了表征。结果表明:其分解温度及800℃残重率随准陶瓷化温度升高而升高,N2气氛下分别达到580℃和87%,空气气氛中分解温度高于550℃,残重率达95%以上,Tg也随准陶瓷化温度上升而升高,420℃准陶瓷化基体在400℃以下没有明显的玻璃化转变。运用网络矢量分析仪测定了介电常数随温度和频率的变化情况,结果表明准陶瓷基体介电常数小于3,并且随温度和频率变化不大。准陶瓷基体吸水率较低,最低达到0.03%。初步研究表明PSN1准陶瓷基体具有良好的热、介电稳定性,吸水率低,有望用作耐高温透波复合材料基体。     

基于FPGA的硅微机械陀螺仪数字化驱动电路研究

为了进一步提高硅微机械陀螺仪的性能,提出了一种基于FPGA数字信号处理来实现控制的数字化驱动电路。该设计方案通过AGC环路稳定了驱动幅度,并用SPLL对相位进行了控制以跟踪谐振频率。两主要环路以FPGA为硬件基础,用软件编程实现,相较模拟驱动电路在实际应用中更具灵活性。实验给出了该电路的驱动幅度和频率漂移曲线,证明了该电路可以较好的实现硅微机械陀螺仪的驱动。