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971.
涡轮叶片表面气膜冷却效率的实验研究   总被引:1,自引:10,他引:1       下载免费PDF全文
采用放大的叶片模型,利用大尺寸低速线性叶栅风洞进行实验,测量了涡轮导向叶片表面不同位置单排气膜孔的气膜冷却效率,研究了孔排位置、吹风比及来流雷诺数的影响。风洞实验段由3个叶片组成,其中中间的叶片为试验叶片,由优质木材制成。试验叶片表面上开有15排气膜孔,其中吸力面3排,前缘区6排,压力面6排。实验的参数变化范围是:基于叶片弦长的来流雷诺数250000-450000,吹风比0.5-2.5。结果表明,由于气膜孔排位置的不同,其下游冷却效率受来流雷诺数及吹风比影响的变化趋势也有所不同。  相似文献   
972.
考虑冷气喷射的涡轮叶栅尾缘损失理论分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
 基于Denton 的尾缘流动理论, 发展了一种考虑冷气喷射的二维、可压涡轮叶栅尾缘混合损失模型,研究了涡轮叶栅尾缘损失的特征, 定量评估了影响尾缘损失的各种参数。研究表明, 冷气流量是影响尾缘损失的一个重要参数, 对于主流马赫数为11 1 的典型情况, 冷气流量从0 增大到10%, 损失增大315 倍。叶片尾缘基压变化对损失也具有明显的影响, 其它影响损失的参数包括叶栅出口位置边界层动量厚度、冷气总压、叶栅尾缘厚度等。  相似文献   
973.
超燃燃烧室一维流场分析模型的研究   总被引:14,自引:0,他引:14  
对公开发表的用于超声速燃烧流场分析的几种一维模型进行了研究,指出了其中存在的问题,研究结果表明:基于实验静压数据的一维模型,若不借助必要的流场测量数据或分析结果,或借助于经验性的处理方法,单靠一维假设,无法获得较为完整的一维流场分析结果。改进后的一维模型降低了数据处理过程中的不确定性,提高了对一般情况的适应能力。用编制的计算程序SSC-2对两组典型的超燃燃烧室壁面静压实验数据进行了演算,取得了燃烧室出口总压恢复系数的计算值与测量值基本一致的好结果。  相似文献   
974.
与燃烧室一样,涡轮设计对于长寿命和低维修成本来说是极其重要的。随着涡轮进口温度的升高,涡轮部件需要改善冷却、材料和融热涂层。众所周知,罗尔斯·罗伊斯公司是气冷涡轮叶片的先驱者。早在1952年就最早试验过气冷涡轮叶片,1956年该公司的第一种锻造的气冷涡轮叶片投入生产。BRZll发动机系列从1992年的一22型采用简单冷却孔锻造叶片发展到1987年一524型采用多路回转冷却通道铸造定向凝固叶片,涡轮进口温度从1530K提高到1730K。“道达”892的涡轮设计是建立在RBZll的使用经验和当代三维气动、冷却和材料技术的基础上的,所有的转…  相似文献   
975.
固体火箭发动机药柱三维温度场应力场有限元分析   总被引:14,自引:4,他引:14       下载免费PDF全文
朱智春  蔡峨 《推进技术》1997,18(2):21-26
采用有限元法计算固体火箭发动机药柱在固化冷却时的三维瞬态温度场。基于粘弹性积分型本构关系,计算热应力场。计算程序可用于工程实际。  相似文献   
976.
液体火箭发动机高速涡轮泵的振动故障检测   总被引:3,自引:1,他引:3  
讨论了涡轮泵故障的几个主要原因,据此提取涡轮泵振动数据的特征,用BP神经网络的方法进行故障检测。BP神经网络的训练样本集由一个具有无监督聚类功能的神经网络从原始的特征向量集获取。  相似文献   
977.
教练机发动机设计载荷谱推导方法   总被引:1,自引:3,他引:1  
宋迎东 《推进技术》1997,18(6):64-67
系统地研究了教练机航空发动机设计载荷谱的推导方法,主要包括:(1)基准机的选取与现役发动机载荷谱的空测、统计;(2)新机发动机飞行剖面的预测;(3)新机发动机设计任务循环的编制等三大步骤。提出的方法具有一定的通用性,可以推广到其它类型的发动机设计载荷谱研究。  相似文献   
978.
对湍流型动态畸变进气流场进行了分析和描述,给出了随机涡在压气机进口所产生的总压脉动的通用分布曲线,并统计地分析和预测了该总压脉动引起的最可能最大失速裕度损失。数值分析表明在考虑压气机对非定常流响应方面,最为关心的压气机最大失速裕度损失值是脉动压力的均方根值、功率谱密度、压气机进口转子弦长和转速的函数。  相似文献   
979.
新型紧固件用高温合金美国SPS公司最近研制出一种高温合金专利产品AEREX ̄(TM)350,旨在用于燃气涡轮发动机的螺栓。在730℃下,与UDIMET720,WASPALOY,MULTI-PHASE159以及718合金等紧固件用合金相比,该合金表现出...  相似文献   
980.
对干氧栅氧化后注F的MOS电容进行了γ射线辐照试验,研究了不同注F剂量的MOS电容电离辐射响应特征。结果表明,注F能抑制辐射感生氧化物电荷和界面态,最佳抑制效果的F注入剂量范围是5×1014~2×1016F/cm2,且受注F工艺条件制约,少量或过量的F注入无明显抑制辐射损伤的能力。推测F在Si/SiO2界面和SiO2中的行为将直接影响MOS器件的辐照性能。而F的行为依赖于F的注入工艺条件。用一定模型对实验结果进行了解释。  相似文献   
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