卫星通信用低噪声放大器的研制

本文介绍C波段卫星通信用低噪声放大器主要技术指标、工作原理、设计计算公式、CAD程序说明及流程图、设计算结果、实测结果及其误差分析。     

陆地卫星地面站X波段场效应放大器

本文介绍用于陆地卫星地面站中X波段GaAs FET(砷化镓场效应晶体管)低噪声放大器的功能、结构及热电致冷器,该冷却器将场放前二只管子冷却到-50℃,整个场效应放大器(由4只管子组成)的性能可与同波段常温参放相比美。对美国SATELINK公司生产的场放进行測试,在8025—8400MHz频带范围内,场放噪声温度小于86.1K,增益大于40dB.在整机中,以太阳为标准源对系统G/T进行测试,当俯仰角≥5°时,G/T≥31.05dB/K,满足原设计指标要求。     

低压低功率SiGe BiCMOS X波段低噪声放大器与IEEE 802．11a LNA的设计比较研究

介绍了一种采用0．25um SiGe BiCMOS工艺集成的低压低功率X波段低噪声放大器（LNA），比较了此种放大器与IEEE 802．11a LNA的设计。X波段LNA和IEEE 802．11a LNA的工作频率分别为10GHz和5．8GHz。所设计的LNA都采用了相同的结构和电压，并耗费同量的电流。两种LNA都只需要1．5V的电压，消耗1．5mW的直流功率。两种电路的差异是它们有不同的输入与输出匹配和负载。本文介绍的LNA在10GHz时的电压增益为11．49dB，噪声系数（NF）为3．84dB，输入反射损失为-15.37dB，输出反射损失为-17dB，P1dB为-3．75dBm。在5．8GHz时的电压增益为16．07dB，噪声系数为3．07dB，输入反射损失为-18．1dB，输出反射损失为-15．23dB，P1dB为-6．54dBm。两电路的关键特征是：低压、低功率和良好的噪声匹配。频率为IOGHz和5．8GHz时，噪声系数与最小噪声系数之差分别只有0．03dB和0．05dB。验证了一种高频（X波段）低成本设计，与其他技术（如GaAs、SiBJT、JFET、PHMET和MESFET等）相比，它是在SiGe BiCMOS中设计的。     

一种高速低噪声信号处理电路的方案研究

文章针对中国遥感高分辨率传输型相机的发展趋势,提出了一种高速低噪声的遥感CCD相机信号处理电路的设计方案。从信号完整性理论出发,利用Cadence软件进行了仿真与验证,取得了良好的效果。     

使用负反馈技术设计宽带低噪声放大器

负反馈技术是实现宽带放大器电路设计的重要方法之一,得到了非常广泛的应用。文中叙述负反馈技术的基本原理,介绍分别使用串联和并联负反馈技术实现4~8GHz和0.2~2GHz宽带低噪声放大器的设计情况。测试结果与CAD仿真基本吻合,4~8GHz和0.2~2GHz宽带低噪声放大器的噪声系数分别小于1.5dB和1.6dB。     

(0.1～1.8)GHz SiGe HBT超宽带低噪声放大电路设计

本文选用SiGe材料低噪声放大芯片，设计了一款(0.1~1.8)GHz小型低功耗超宽带低噪声放大器（LNA）。该LNA采用两级放大结构，负反馈方式实现宽带匹配，级间和输出端匹配采用小阻值电阻提高电路稳定性，电路尺寸为35mm×15mm。测试结果表明：工作频率为(0.1~1.8)GHz，在室温条件下，增益为30dB，噪声系数<0.82dB，增益平坦度<0.5dB，输入输出回波损耗<-10dB，直流功耗为41.8mW；在-40℃低温条件下，增益为32dB，增益平坦度、输入输出回波损耗、直流功耗与室温下一致，噪声系数<0.69dB。设计过程与测试结果验证了本文中使用室温SiGe放大管的S参数计算-40℃温度下该芯片S参数方法的可行性。     

透博梅卡：聚焦技术创新，开拓中国市场

透博梅卡目前正致力于低污染、低噪声的新一代绿色环保发动机的研发。其研发经费逐年攀升，今年又增加了25％，再创新高。近些年，随着我国低空空域开放政策的不断推进，中国已成为该公司未来发展的重要战略市场之一。     

Ku波段低噪声放大器的设计

设计一款Ku波段低噪声放大器,放大器采用两级PHEMT晶体管(VMMK1225)级联结构,单电源供电模式。应用微波仿真软件ADS对匹配电路进行优化设计,在11.7GHz～12.5GHz的工作频段内放大器噪声系数小于0.23 dB,带内增益大于31dB,输入、输出驻波比小于1.6。仿真结果表明,设计完全满足性能指标要求。     

小卫星“微型核”CMOS低噪声放大器的设计

卫星的小型化、低功耗和低成本的发展趋势,推动了对小卫星高集成度的研究。文章首先分析了小卫星"微型核"通信系统前端的结构;然后采用0.18μm CMOS工艺给出了工作在2.4GHz的单片低噪声放大器的设计。ADS仿真结果表明:电路的增益为14.878dB,噪声系数为2.781dB,功耗为14.44mW,输入三阶交截点为4.49dBm。