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21.
Liu H. Ghafoor A. Stockmann P.H. 《IEEE transactions on aerospace and electronic systems》1992,28(2):324-334
The Gram-Schmidt orthogonalization (GSO) algorithm has excellent numerical performance and is readily applicable to systolic implementations such as in a field of adaptive cancellation systems. A modified GSO algorithm for a fully adaptive array is proposed and computer simulations show that the proposed algorithm gives superior performance. A systolic implementation of the proposed GSO algorithm for fully adaptive array is presented. A feedback mode GSO algorithm for use with analog weights is also presented and has been shown to have excellent performance in the presence of weight errors 相似文献
22.
ected g 《桂林航天工业高等专科学校学报》2006,(2)
with primary goat embryonic fibroblast showed no difference from traditional feederlayer-based culture method used in mouse and human. The putative primary EG colonies were multilayer clumps ofcompact cel 相似文献
23.
24.
INITIALIZATIONMETHODSFORGROUPTRACKINGYangCheugyang;QuJianming;MaoShiyi(BeijingUniversityofAeronauticsandAstronautics,Beijng,C... 相似文献
25.
从编制《工艺定型标准化要求》、审定有关工艺定型文件和编写《工艺定型标准化审查报告》等方面浅述航天产品工艺定型阶段应做好的标准化文件的编制与审查,并对其工作内容作了介绍。 相似文献
26.
导弹在大攻角再入飞行过程中,偏航通道和滚动通道存在着气动交连耦合,当耦合影响较大时,采用传统的把耦合项当作随机干扰的办法来处理,容易造成系统失稳。因此采用基于H∞混合灵敏度解耦控制的方法对通道间进行解耦,对于H∞混合灵敏度加权函数,通过遗传算法优化获得,并推导了H∞混合灵敏度标准型的建立过程和遗传算法优化加权函数的步骤。应用该方法,对导弹大攻角飞行过程中通道间的解耦控制进行设计。仿真表明,对参数不确定性的耦合系统,该方法具有良好的解耦性和鲁棒稳定性。 相似文献
27.
28.
半实物仿真试验中,要求计算机帧时间与计算积分步长相一致,但在实际试验中不容易精确地做到。本文分析了这种不一致给半实物仿真试验带来的影响,给出了解决的办法,文章中还给出了一实例来说明。 相似文献
29.
30.
H. Thiemann R. W. Schunk 《Advances in Space Research (includes Cospar's Information Bulletin, Space Research Today)》1992,12(12):143-146
Heavy emission caused by impacting plasma ions results in a fast discharging effect of the initially large surface potentials on the dielectric solar cells. This eventually counteracts the energization process of the plasma ions to the cover glasses and leaves no significant electric fields. Thus, with an existing thermal plasma, electrons are again able to reach dielectric surfaces. Strong localized electric fields of the order of several 10 kV/cm form near the interconnector-cover glass interface. 相似文献