针对反舰导弹末制导系统的目标角闪烁特性建模

给出了一种针对反舰导弹的目标角闪烁特性计算方法。首先,根据电磁场理论推导出了舰船的雷达散射截面,在此基础上得出了目标的角偏差公式,最后通过一个典型舰船角闪烁特性的求解证明了这种方法的有效性。     

基于Matlab/STK的航天电子侦察效能仿真技术研究

STK在航天领域的系统分析与仿真方面应用广泛,但是在应用中经常面临模型不完备、操作复杂等问题。以Matlab/STK接口模块为基础,综合Matlab建模和STK仿真优势,研究基于Matlab/STK的航天电子侦察效能仿真分析方法,该方法不需要直接操作STK,操作灵活。基于该方法仿真分析卫星的侦察效能、轨道设计以及优化电子侦察任务设计方案,可为航天电子侦察任务设计论证提供参考。     

一种跟随式大磁矩磁力矩器高反电势抑制技术

摘要： 提出一种可以实现大磁矩磁力矩器磁棒电流续流时间自动调节的控制方法,该方法既可以抑制大磁矩磁力矩器高反电势的产生,又无需增加功率器件为磁棒电流提供续流回路,大幅减小控制线路的体积及热设计难度,同时可以满足输出磁矩在小幅值内频繁变换方向的使用要求.     

高速缓存影响的航天器控制软件调度设计方法

针对高速缓存引起的程序执行时间抖动对航天器控制软件任务调度造成的困难,提出一种基于循环调度的调度设计方法,该方法利用任务程序执行时间的概率分布设计具有不同可靠性的系统模式,通过模式切换,使处理器得到充分利用,同时能够提供一定的可靠性保障,为航天器控制软件的任务调度提供参考.     

LXI仪器的LAN设置及控制

在介绍了LXI仪器类型、Non Auto-MDIX含义、Agilent33220A函数发生器性能和功能的基础上,以33220A函数/任意波形发生器的LAN接口设置为例,描述了其LAN接口DHCP,Auto IP,IP Address,SubnetMask,Default Gateway,Host Name,Domain Name,DNS Server,Password等参数的含义、设置方法,介绍了充分利用其提供的接口功能,达到远程控制其输出的方法。该方法达到了通过GPIB控制函数/任意波形发生器的同样效果,利用其LAN接口组建分布式测试系统,对程序设计者具有较高的参考借鉴价值。     

MA 及原位-热压合成TiC/ Ti5 Si3 复合材料

以Ti粉、Si粉和C粉为原料,利用高能球磨及热压工艺合成了TiC/Ti5Si3陶瓷复合材料。研究了工艺条件尤其是热压温度对合成产物相组成及微观结构的影响,并结合DSC、XRD和SEM对反应合成机理进行探讨。结果表明:通过优化合成工艺,高能球磨12 h,热压温度1 400℃时,烧结6 h得到了高纯度的TiC/Ti5Si3陶瓷复合材料;合成过程为:反应开始时发生Ti+C■TiC,反应ΔG=-167.72 kJ/mol。2 h时发生5TiC+8Si■Ti5Si3+5SiC,反应ΔG=-62.12 kJ/mol,当6 h时发生3SiC+8Ti■Ti5Si3+3TiC,反应ΔG=-697.8 kJ/mol。显微结构表明:TiC/Ti5Si3复合材料的合成过程伴随Si熔融,该材料以TiC-Si-Ti5Si3形式相结合,其中Si为黏结剂。     

TC17 合金焊接接头显微组织与疲劳裂纹扩展特性

研究了TC17钛合金惯性摩擦焊焊接接头的疲劳裂纹扩展规律,并利用光学显微镜、扫描电镜对材料的显微组织和断口形貌进行分析。结果表明:TC17钛合金母材为α+β网篮状组织,晶粒较大;焊缝区和热影响区内可以看到明显的原β相晶界,焊缝区的原β晶粒较细小,热影响区的原β晶粒较粗大,晶粒内部存在细小的α相。在室温下,当ΔK≤15 MPa.m1/2时,焊缝区疲劳裂纹扩展速率较小,而当ΔK≥15 MPa.m1/2时,焊缝区的扩展速率最大,其次是热影响区,母材的裂纹扩展速率最小;在高温下,焊接接头各部位的裂纹扩展速率相差不大,均小于室温。     

基于Bayes分类器的DoS／DDoS攻击防御技术

提出了一种基于贝叶斯分类算法的分布式拒绝服务攻击防御技术。利用贝叶斯分类算法来计算数据包的分值特征,按照分值表对数据包进行评分并映射成危险等级。然后对危险等级进行评估,根据不同危险等级对网络流量进行过滤。基于该防御技术,设计并实现了防御系统。通过实验分析,该系统在DoS／DDoS攻击发生时能有效区分正常流量与异常流量,从而实现对DoS／DDoS攻击进行实时防御。     

热控涂层电子辐照效应

研究防静电Kapton二次表面镜(ITO/Kapton/Al)、S781白漆两种典型热控涂层,在不同能量电子辐照后太阳吸收比退化情况,并利用X射线光电子能谱和扫描电子显微镜对样品表面的成分和形貌进行了分析。结果表明:相同电子注量下,不同能量电子对样品的太阳吸收比退化作用程度是有区别的。而样品光谱反射率、表面形貌、表面成分的损伤效应类似,说明不同能量电子辐照下,样品的退化机理是一致的。     

铝电解电容在湿热环境下的贮存可靠性

针对电子设备中的铝电解电容在贮存环境下的失效问题,通过对铝电解电容进行湿热贮存试验,考察了湿热环境引起的铝电解电容外观状态和电性能的变化,并对试验中出现的失效现象进行了分析.结果表明,铝电解电容在湿热环境下出现了引脚腐蚀和橡胶塞长霉的失效现象;环境温度对铝电解电容贮存可靠性有重要影响,温度超过40℃引脚腐蚀速度会大大加快.温度在30℃适宜霉菌生长,温度超过30℃后没有长霉现象.阳极箔上的阳极氧化膜被腐蚀是铝电解电容在湿热环境下出现电容量和漏电流增大的原因.