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21.
为了提高军用飞机的空战和对面攻击能力,对歼轰机进行总体设计。采用CATIA软件,设计出隐身歼轰机的三维数字样机和武器挂载方案;基于物理光学法和等效电磁流法,采用自编的RCSAnsys软件,数值模拟歼轰机的数字样机在X、S和UHF波段下的RCS特性和强度分布特性;基于湍流模型的k-ε方程和控制理论的N-S方程,采用Fluent软件,数值模拟歼轰机的数字样机所在空气流场的压强和速度分布云图,得出整机的升阻特性。概念设计数值模拟结果表明:内置弹舱的歼轰机前向±30°的RCS均值≤-4.728 dBsm,超声速飞行时歼轰机的升阻比约等于5.6337。 相似文献
22.
由航空航天部组织的鉴定会于1992年6月18日对中国运载火箭技术研究院102所研制的“8801高准确度超低频电压及失真测试仪”进行了技术鉴定。中国计量科学院、清华大学,北方交通大学、北京理工大学、能源部电力科学研究院以及航空航天部203所、303所、14所、239厂等单位的教授、专家和有关领导参加了鉴定会。鉴定委员会听取了课题组的研制总结报告、试用考核报告、测试报告、资料审查报告,参观了样机,观看了演示。经过认真讨论,评审,一致认为: 8801超低频电压及失真测试仪,设计新颖,技术方案先进,利用采样——计算原理, 相似文献
23.
矩形截面弯管内气固两相流及对管壁磨损的数值分析 总被引:3,自引:0,他引:3
在便于描述矩形截面弯管流动的曲线坐标系中,计算了气固两相流,颗粒对管壁的磨损位置与磨损量。分析了弯管曲率、弯管安放方式、颗粒大小对磨损状况的影响。本文计算与实验数据比较,符合良好。 相似文献
24.
中国空间大功率微波部件微放电抑制表面处理技术最新进展 总被引:1,自引:0,他引:1
材料表面的二次电子发射会触发和维持空间高功率射频器件的共振雪崩放电现象,这种现象又被称为微放电效应。微放电效应是限制空间大功率微波部件应用的关键问题之一。从微放电作用的机理出发,首先介绍了两种微放电类型(单表面与双表面)的基本物理机理;然后总结了当前主流的微放电抑制方法并给出各自应用于空间大功率微波部件时的限制。针对空间大功率微波部件微放电抑制的特殊问题,综述了国内近5年来在表面处理法抑制微放电领域的研究成果并预测了微放电抑制技术的发展趋势。 相似文献
25.
26.
载人航天中任何人为操作错误都会对载人航天器系统和航天员的安全构成威胁。文章对载人航天器系统中人的操作特点进行了论述,并对保证载人航天器安全而进行的防操作失误设计问题进行了探讨。在此基础上,提出了进行载人航天器系统防操作失误设计的方法以及提高航天员操作可靠性的措施。 相似文献
27.
航空航天部第一研究院于1991年4月5日在北京对102所研制的“频标计量自动化系统”进行了技术鉴定。经过与会专家充分讨论,认为:“频标计量自动化系统”功能齐全,硬件可靠,适应性强,系统软件丰富,操作方便,可自动巡回检测48路频标,自动显示被检频 相似文献
28.
一种乘波前体进气道的一体化设计及性能分析 总被引:5,自引:2,他引:3
采用特征线方法设计了具有直线初始激波、内收缩段消除激波反射、出口参数均匀可控的基准内锥流场.基于密切内锥(osculating inward turning cone,OIC)乘波体设计方法,发展了一体化密切内锥乘波前体进气道(osculating inward turning cone waverider inlet,OICWI)设计技术.基于一体化基准内锥流场和前体进气道设计技术,设计了密切内锥乘波前体进气道.采用数值软件对设计的乘波前体进气道进行了仿真分析,结论如下:①OICWI的设计是遵循气动原理的.②一体化密切内锥乘波前体进气道的前缘形状、内收缩比及出口参数可以根据需求定量准确设计.③理论设计结果和模拟结果吻合一致,证明设计方法是正确可靠的.④数值模拟研究结果表明一体化密切内锥乘波前体进气道具有较好的出口流场均匀度及较高的流量捕获率和较高的总压恢复特性. 相似文献
29.
密切内锥乘波前体进气道一体化设计和性能分析 总被引:16,自引:11,他引:5
采用特征线方法设计了具有直线初始激波、内收缩段消除激波反射、出口参数均匀可控的基准内锥流场。基于密切内锥(Osculating Inward turning Cone,OIC)乘波体设计方法,发展了密切内锥乘波前体进气道(Os-culating Inward turning Cone Waverider Inlet,OICWI)一体化设计技术。基于基准内锥流场和前体进气道一体化设计技术,设计了密切内锥乘波前体进气道。采用数值方法对设计的密切内锥乘波前体进气道进行了计算分析,结果表明无粘流场结构和基准内锥流场吻合,无粘模拟结果和理论设计结果吻合。粘性数值模拟结果显示一体化进气道具有较高的流量捕获率及总压恢复特性,进气道出口流场分布均匀。 相似文献
30.
随着微放电效应研究的不断深入,低能电子影响在微放电过程中越来越不可忽视。当前常用的微放电模型在处理低能电子问题上具有一定的局限性,为了精确模拟这一过程,在深入研究二次电子和背散射电子发射理论的基础上,分别针对材料表面条件不同引起的二次电子发射系数不确定性、低能电子的背散射系数以及电子入射角等问题进行了分析和讨论,并在此基础上建立了一个二次电子发射模型,最后通过数值计算讨论了模型的正确性和适用范围。这一模型同时考虑材料表面条件参数、低能电子的背散射系数以及入射角等因素影响,能够兼容较低能量电子的二次发射,提升微放电数值模拟的精确度和适用性,为微放电数值模拟的发展起到推进作用。 相似文献