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MOCVD法制备一维氧化物阵列材料 总被引：3，自引：0，他引：3
介绍了一种新型的大气开放式金属有机物化学气相沉积(MOCVD)系统的结构及其新特点;以ZnO纳米棒阵列材料的制备为例,说明了大气开放式MOCVD法制备氧化物阵列材料的方法,并对氧化物阵列材料的制备过程进行了论述;扫描电镜研究发现这些取向生长的氧化物一维材料均垂直于基片沿某一方向生长,并且排列非常规整,具有无晶界、晶体缺陷少、体表面积小和具有特殊的尖端等特点;介绍了制备VOx,FeOx,TiO2等一元金属氧化物和ZnAlO,ZnMgO等多元掺杂金属氧化物的一维阵列材料的方法. 相似文献