基于LTCC的基片集成波导滤波器仿真设计

文章详细论述了基于LTCC工艺的基片集成波导（SIW,Substrate Integrated Waveguide）滤波器的设计方法和步骤。并在此基础上,设计出了2个Ku频段具有椭圆函数响应的SIW滤波器。应用上下2个SIW谐振腔的耦合开孔位置不同,分别引入了正负耦合形式,从而能够实现具有椭圆函数响应的滤波器。验证了上下两腔之间为多层金属化耦合孔或单层金属形成的耦合窗,都可以达到引入耦合、进而实现特定的滤波响应的目的。这种基于LTCC的SIW滤波器具有尺寸小、设计灵活、电性能优良的优点。     

基于HEMT管芯的低噪声放大器设计方法研究

介绍了一种采用HEMT管芯研制低噪声放大器(LNA)的设计过程。所研制的产品在Ku频段500MHz带宽内,噪声系数小于2dB,增益大于20dB,与仿真结果吻合较好。     

一种基于LTCC技术多层带通滤波器的仿真设计

文章从耦合矩阵出发,用发夹型谐振器实现了一种多层LTCC三级带通滤波器的结构,并通过将电磁场数值计算与电路结构仿真相结合,引入了一个适合于多级LTCC带通滤波器的设计方法。在利用电磁场仿真软件对滤波器中的谐振器及其耦合结构做出详细分析的基础上,得到三级切比雪夫响应带通滤波器;进一步在谐振器之间引入源耦合,在阻带位置中产生传输零点,从而增大传输零点附近的衰减。     

应用LTCC工艺的基片集成波导开关矩阵

文章首次应用低温共烧陶瓷(Low-temperature Co-fired Ceramic,LTCC)工艺和基片集成波导(Substrate Integrated Waveguide,SIW)技术,实现了星载高频段开关矩阵。首先详细讨论了不同层间SIW 通道的连接过渡方式,并分析了通道间隔离度特性。在此基础之上,应用单刀双掷开关芯片作为通道选择器件,多层SIW 通道作为射频信号传输、连接和交叉通道,实现了基于LTCC技术的高隔离度、低插损的K 频段4x4开关矩阵,在20~21GHz频带内实测的通道插入损耗小于8dB,通道间隔离度大于38dB。从而解决LTCC高频开关矩阵设计受限于传统带状线特性而导致得到的开关矩阵插入损耗大、隔离度低的技术瓶颈。     

一种LTCC技术宽带巴伦的设计

文章采用LTCC技术中一种新材料——生瓷带41110设计了一种宽带巴伦。仿真结果,带宽可达2．58GHz～7．85GHz,驻波小于1．1,幅度不平衡度小于1dB,相位不平衡度小于±5°。     

一种新型基片集成波导振荡器的仿真设计

文章介绍了一种基片集成波导带阻腔体结构,并将其应用于振荡器的工程设计。仿真结果显示,这种基片集成波导振荡器具有优良的性能,拥有一定的工程应用前景。     

无线能量传输的核心功率器部件挑战与进展

微波无线能量传输系统中高功率微波发射、高效率微波整流是共性关键技术，其中高效率微波整流是区别于传统无线系统的专项技术。首先，从两类4种微波功率源国内外典型产品技术方案、成果水平开展论述；系统探讨了二极管、三极管及电真空器件整流技术发展现状及研究热点。其次，针对微波无线传能系统高效率、高动态、高集成、长寿命多功能公用传能建设等技术挑战，提出了应对策略和解决途径；最后，进一步凝练和规划了面向空间高功率微波无线能量传输系统的关键技术、核心产品，并对我国无线功率传输的核心器部件及系统构架做出展望。     

取样锁相DRO源的研究

文章介绍了取样锁相DRO源的工作原理、技术要点,分别对取样锁相环电路和DRO振荡器电路进行了设计分析,给出了设计实例及测试结果,该设计实例已得到实际应用。