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41.
李邦盛%吴士平%尚俊玲%郭景杰%傅恒志 《宇航材料工艺》2005,35(4):42-46
采用自蔓延高温合成(SHS)、感应熔炼和熔模精铸相结合的方法,利用Ti—B—Al体系制备出了原位自生TiB增强的钛基复合材料。借助XRD、SEM和TEM分析了复合材料的物相和增强体的形态。结果表明:在复合材料中只存在TiB增强体和Ti,无TiAl3杂质相形成,TiB增强体呈柱状短纤维,这与其B27晶体结构有关,且增强体/基体界面清洁无杂质污染,并从热力学和动力学两方面论述了在Ti—B—Al体系中制备TiB增强体的生成机制:在Ti-B—Al体系中,Al首先受热熔化使得Ti和B相继溶解于Al液中;Ti与Al之间先行发生化学反应形成Ti—Al金属间化合物,放出的热量进一步引发了溶解于液相中的B和Ti产生高温自蔓延形成Ti—B化合物。以热力学理论分析,应最终形成TiB2,但实际上由于动力学影响,最终形成了TiB。 相似文献
42.
在大尺寸低速平面叶栅风洞中,对前缘上游有单排气膜孔的涡轮导向叶栅端壁气膜冷却进行了气动实验。在喷射角25°,35°和45°以及吹风比1,2,3下详细测量了叶栅通道中的三维流场,得到了全速度和二次流速度分布,并由此计算了二次流动能的大小。着重研究了喷射角对端壁气膜冷却的气动特性和对叶栅通道中特别是端壁附近的流场结构的影响。数据表明减小喷射角度可以减小通道涡的强度和尺寸,使冷气射流核心更贴近壁面,但同时也明显地增大了壁面附近的气流速度。在高吹风比下,35°喷射时射流将冷气输运到压力边的能力比25°喷射和45°喷射都要强。 相似文献
43.
44.
该文讨论复合机能压力传感器的工作原理。以差压检测器为例,说明复合机能压力传感器的应用。利用该传感器,可以从差压、静压求得质量流量。在气体条下,还可对压力的影响进行修正。今后,若数字传输信号达到标准化,使用多路信息传输技术,复合机能传感器的价值会得到更大的发挥。 相似文献
45.
46.
47.
利用矩量法和几何绕射理论(GTD)分析计算多杯多模圆形辐射器的辐射场.辐射器中心波导为圆波导,由TE11模激励,带有若干个同轴杯.首先利用等效原理和矩量法计算嵌在无限大金属板上圆形辐射器的等效磁流分布,允许各波导区域中有任意多个高次模式存在,利用傅里叶变换法求得其辐射方向图,然后把该辐射场作为有限圆形接地板边缘的入射场,利用GTD计算圆接地板边缘对辐射器方向图的贡献.具体分析了三杯圆形辐射器的方向图,计算结果与实验结果吻合良好. 相似文献
48.
为提升SRAM型FPGA电路块存储器和配置存储器抗单粒子翻转性能,本文提出一种脉冲屏蔽SRAM单元结构。该结构通过在标准的六管单元中加入延迟结构,增大单元对单粒子事件响应时间,实现对粒子入射产生的脉冲电流屏蔽作用。以64k SRAM作为验证电路进行单粒子翻转性能对比,电路的抗单粒子翻转阈值由采用标准六管单元的抗单粒子翻转阈值大于25 MeV·cm 2·mg -1 提升至大于45 MeV·cm 2·mg -1 ,加固单元面积较标准六管单元增大约21.3%。30万门级抗辐照FPGA电路通过脉冲屏蔽单元结合抗辐照SOI工艺实现,其抗辐照指标分别为:抗单粒子翻转阈值大于37.3 MeV·cm 2·mg -1 ,抗单粒子锁定阈值大于99.8 MeV·cm 2·mg -1 ,抗电离总剂量能力大于200 krad(Si)。 相似文献
49.
叶片前缘旋流和常规冲击对比数值研究 总被引:3,自引:2,他引:1
为了寻求更好的叶片前缘内冷结构,对旋流冲击和常规冲击的流动和传热特性进行了数值模拟,对比研究了二者的涡流结构、传热强度、流动阻力、综合传热性能和热均匀性,研究了通道Re数和冲击间距对这些参数的影响。结果表明旋流冲击形成的旋涡有利于传热的增强和热均匀性的提高。在所研究的Re数(2×104~7.78×104)和冲击间距(3.3~5倍直径)范围内,旋流冲击与常规冲击相比平均传热增强18%~34%,增幅随Re数和冲击间距的增大而增大;流阻增大10%~26%,增幅随Re数和冲击间距的增大而减小;综合传热性能增强20%左右;热均匀性提高60%左右。 相似文献
50.