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为研究影响介质-导体相间结构深层充电特性的内在因素,设计了不同构型的试验样品,利用90Sr放射源模拟空间高能电子环境对样品进行深层充电辐照试验,测量了充电电位的差异。并借助深层充电三维仿真软件计算介质-导体相间结构在不同几何构型情况下的深层充电电位、电场分布。试验和仿真结果表明,介质最高表面电位以及介质内部最大电场均与介质宽度和高度呈正相关。其他条件不变时,介质越宽,或越高于导体表面,发生放电的风险就越高。在介质与导体侧面存在微小缝隙情况下,介质内最大电场显著增强,易发生内部击穿。而在介质与导体之间的真空间隙内,电场很容易超过击穿阈值,放电风险很大。航天工程应用中为降低此种结构深层充放电的风险,在满足绝缘性能及其他要求的前提下应尽量减小介质的宽度,降低介质与导体间的高度差,并确保介质与导体侧面接触良好。 相似文献
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针对过零检测实现的全数字锁相环不仅锁相速度慢, 而且过零点的扰动会
直接影响锁相精度以及适合模拟电路实现的相干解调技术,在数字电路中实现则需要设
计高阶数字低通滤波器,将占用大量数字电路资源并且会显著增加系统功耗等问题,在
设计一种新型全数字锁相环(All-digital Enhanced Phase-lock Loop,EPLL)的基础上,结合自
适应正交解调技术,提出了一种基于EPLL 技术的自适应正交解调技术方案,并对该方
案进行了研究与仿真。仿真得到了满意的结果,验证了基于EPLL 技术的自适应正交解
调技术方案的可行性,并研究验证了算法的参数变化对其性能的影响,为今后算法在数
字系统中的实现以及其在各领域的应用研究奠定了坚实的基础。 相似文献