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脉冲激光诱发65nm体硅CMOS加固触发器链的单粒子翻转敏感度研究
李赛
陈睿
韩建伟
马英起
上官士鹏
李悦
朱翔
梁亚楠
王璇
《航天器环境工程》
2021,38(1):55-62
针对65 nm体硅CMOS工艺触发器链,利用脉冲激光研究了敏感节点间距、加固结构和测试数据类型等因素对电路的单粒子翻转效应(SEU)敏感度的影响.研究表明:敏感节点间距增大可有效提高双互锁存(dual interlocked storage cell,DICE)结构触发器链的抗SEU性能,但当敏感节点间距较大(如>4....
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