3D C／SiC—TaC复合材料烧蚀性能及机理

采用浆料浸渗结合化学气相浸渗SiC工艺制备出高体积分数TaC的3D C/SiC-TaC复合材料.采用氧-乙炔烧蚀试验研究其烧蚀性能,利用SEM和XRD对烧蚀后材料的微观结构和相组成进行表征,并分析复合材料的抗烧蚀机理.结果表明:TaC在高温高速氧-乙炔焰作用下,形成玻璃态的黏滞Ta2O5相,对C/SiC基体起到封填表面开气孔的作用,阻碍氧化性气氛进入试样内部,从而达到抗高温氧化,提高复合材料的抗烧蚀能力的目的;在超高温阶段,Tac和Ta2O5共同起到抗烧蚀作用.     

三维针刺C/SiC在等离子焰中的烧蚀行为

采用CVI制备了三维针刺C/SiC复合材料,利用等离子烧蚀对复合材料的烧蚀性能进行了分析.结果表明:复合材料的线烧蚀率和质量烧蚀率分别为131.3μm/s和74.2 g/s,对应的标准偏差分别为4.9μm/s和4.7 mg/s.微结构观察显示烧蚀表面不同区域其烧蚀机理不同,烧蚀中心以升华烧蚀为主,过渡区主要是升华烧蚀和等离子流的剪切剥蚀为主,而烧蚀边缘则以热氧化为主.     

DD5与GH3039高温合金钎焊接头的微观组织与力学性能研究

采用Co50NiCrWB钎料在1160℃/15 min条件下进行了熔化润湿试验,并钎焊得到DD5与GH3039异质高温合金接头,分析了接头的显微组织和力学性能。试验结果表明,Co50NiCrWB钎料在DD5和GH3039高温合金表面的润湿性能良好,接头包括钎料反应区与扩散影响区,反应区主要物相为溶有Cr的Ni–Co基固溶体、富Cr硼化物相和富Co、Cr、W、Re的硼化物相。钎焊接头在900℃的拉伸性能平均值达到193 MPa,900℃/40 MPa下的接头持久寿命最高达到221 h。拉伸试样断口观察表明断裂发生在钎料反应区,呈脆性断裂特征。     

基于微处理器的同步串行接口技术研究

设计了一款基于SPI接口的同步串行通信模数转换电路，通过使用MCU片内寄存器配置编程与I/O口模拟时序输出编程的不同方法实现了芯片间SPI同步串行通讯，适应了具有多路SPI通讯接口的复杂集成电路系统设计需求，该技术具有较高的工程应用价值。     

控制力矩陀螺发展与应用研究

摘要： 控制力矩陀螺(CMG)是航天器的重要姿态控制执行机构，以输出力矩大、精度高、不消耗工质等特点广泛应用于高分辨率对地观测卫星，以及空间站、空间实验室等大型航天器.近年来，随着微小型化的实现，CMG逐步装备了敏捷微小卫星，并将应用领域拓展到了在轨操作与服务，实现空间机械臂动量补偿，在轨组装角动量匹配等功能.在舰船减摇，交通工具自平衡上，CMG也展现了特有的优势.本文对CMG的发展和应用情况进行了介绍，总结了其发展趋势与研究热点，为后续研究工作提供借鉴.     

新舟飞机智能化精益生产线构建技术研究

针对飞机总装生产线的特点和发展趋势,阐述了飞机智能化精益生产线的内涵、智能化的特征,提出了总装移动生产线构建架构及各系统的基本组成。介绍了新舟国产涡桨支线飞机精益化构建的总体需求和一般流程,对构建智能化精益生产线过程中关键应用技术和相关实践应用情况进行了描述。实践应用证明了精益生产在生产线建设中的重要性。     

铝材化铣成分分析分析

目前我国的化铣工艺正处于由一般化铣向精密化铣的发展中，各种添加剂加入化铣液中，干扰了原有的成分分析方法的准确性。本文设计分析前预处理新工艺，可解决分析中的难点，介绍采用常规工业分析方案，分析铝离子总量，添加剂Ｎａ２Ｓ及三乙醇胺含量详细工艺过程，为推广精密化铣新工艺提供了可靠的分析技术。     

引力比光还快吗？

当两个天体彼此吸引时，引力沿着连接它们的直线方向发生作用，人们把这个方向称为径向。如果引力以光速传播的话，它进行得如此之慢，以致形成了与径向成直角的作用力。不过，这种横向力迫使由两个天体构成的系统围绕着它们共同的重心旋转，并在极快的时间内使两个天体相撞。这有些令人难以置信，更令人难以想象！     

月球起源的秘密

几乎每个天体都把自己异常的一面展示给了我们,NASA主要行星学家之一的大卫·莫里逊说,月球考察充分地证明了这一点。早在人类首次登上月球的“阿波罗11”号飞行前,就已存在三种互相对立的月球起源理论,这就是“姐妹论”、“母女论”和“俘获论”:按照第一种理论,地球和月球是各自演化而来的,不过两者都起源于同一块母体;第二种理论假定月球是由地球上被撞掉的一块演化形成的,地球上留下的凹陷,形成了今天的太平洋;最后,第三种理论认为,我们的月球是一颗在宇宙中流浪的小行星,后被地球引力场所俘获。当月球地形出现在美国宇航员眼前的一刻…     

EFFECT OF DEPOSITIONS CONDITION ON THE MICROSTRUCTURE OF C／C MINICOMPOSITE

C/C minicomposites were manufactured by CVI with propylene as resource gas and Ar as diluent gas. Effects of deposition temperature, the flow rate of propylene and total system pressure on theof C/C minicomposites were investigated. Deposition conditions are as follows: deposition temperature ranging from 870℃ to 1000℃. the flow rate of propylene from 10 to 60 ml/min, and total system pressure from 3 to 16kPa. The results revealed : The deposit distributes non-uniformly as increasing the deposition temperature or total system pressure. The effect of the flow rate of propylene on the distribution of deposit observes different principles at different deposition temperatures. If the deposition temperature rises to 900℃, the deposit distributes more non-uniformly as increasing the flow rate of propylene. The morphology of deposit varies with deposition condition, such as smooth, droplet-like or spike-like. Deposition mechanism varies with deposition condition. It can be surface reaction nucleation and growth, heterogeneous nucleation of liquid droplet on carbon fiber or gas-borne nuclei-growth. With the principle of nuclei-growth of crystal and the method of phenomenology, the changes of deposition mechanism and the morphology of pyrolytic carbon with deposition condition were explained successfully. The effect of deposition condition on deposit homogeneity stems from the effect of deposition condition on the CVI kinetics and the deposition mechanism of pyrolytic carbon.