ZrO_2晶须增强多孔ZrO_2陶瓷基复合材料的制备和性能

以ZrO(NO3)2·2H2O和四方ZrO2晶须为原料,采用醇-水溶液加热法并结合冷冻干燥法制备了多孔ZrO2(w)/ZrO2陶瓷基复合材料。研究了四方ZrO2晶须对多孔ZrO2(w)/ZrO2复合材料相成分、微结构、热导率及抗压强度的影响。结果表明,ZrO2晶须可以有效抑制ZrO2由四方相转变为单斜相,当烧结温度为1100℃时,多孔ZrO2(w)/ZrO2复合材料全部为四方相,其热导率远小于全部为单斜相的多孔ZrO2陶瓷,抗压强度明显大于多孔ZrO2陶瓷。     

热处理对C/ SiC 复合材料拉伸性能的影响

对等温化学气相渗透法(ICVI)制备的C/SiC复合材料进行热处理,利用声发射(AE)技术对热处理前后C/SiC试样拉伸过程声发射累积能量进行分析,通过SEM进行微结构观察。结果表明:界面层较薄的C/SiC试样经1 500℃热处理后拉伸强度与初始强度相近,经1 700和1 900℃热处理后拉伸强度显著提高,其断裂应变随着热处理温度升高而大幅提高,弹性模量却呈现下降趋势;界面层较厚的C/SiC试样经1 500和1 700℃热处理后拉伸强度变化不大,断裂应变显著提高,弹性模量逐渐降低,经1 900℃热处理后拉伸强度和断裂应变开始下降,而弹性模量变化较小。热处理可以显著提高C/SiC的韧性,在拉伸过程中的断裂功和声发射累积能量均显著增加。界面层较薄的C/SiC断裂模式从脆性逐渐向韧性转变,而界面层较厚的C/SiC热处理后韧性进一步提高。     

2D C/SiC复合材料阻尼性能研究

测试了CVI工艺制备的2D C/S iC复合材料的阻尼性能,讨论了其阻尼机制,分析了涂层、测试频率和热处理等因素对其阻尼峰的影响。结果表明,2D C/S iC复合材料的阻尼峰值可达1.86×10-2,其阻尼机制主要为微裂纹扩展、增强纤维阻尼及界面阻尼;S iC涂层可大幅度降低2D C/S iC复合材料的阻尼性能,消除阻尼特性曲线上的阻尼峰;2D C/S iC复合材料阻尼峰随加载频率的升高而降低;高温热处理使2D C/S iC复合材料阻尼峰降低。