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111.
张卫东%吴伶芝%冯小云%刘剑锋%孟秀兰 《宇航材料工艺》2001,31(3):1-3
从纳米材料的结构特征出发,简单阐述了纳米材料在雷达隐身方面的应用前景及近年来国内外不同的纳米雷达隐身材料的制备方法、结构特点和雷达吸波性能。结合实际需求和国外发展动态指出了我国未来纳米雷达隐身材料的发展方向。 相似文献
112.
吴爱萍%邹贵生%张红军%王国庆%谢美蓉 《宇航材料工艺》2001,31(6):58-62
研究了Ti-24Al-17Nb合金的激光焊接及其接头的力学性能.研究结果表明,连续激光氦气双面保护可以获得保护效果可靠、无缺陷、成型良好的焊接接头.焊接热输入增大不利于接头的纵向弯曲塑性,而接头的横向拉伸强度与母材基本相同,塑性可以接近母材的塑性,达到14%~17%. 相似文献
113.
姚承照%胡宝刚%冯志海%刘武 《宇航材料工艺》2001,31(6):72-76
为了更好地研究三维整体纺织碳/酚醛复合材料的成型工艺对材料烧蚀性能的影响,选用不同纤维体积分数和不同编织结构的碳/酚碳复合材料试样,进行烧蚀试验,利用TalyScan150型表面粗糙度测试仪对试样烧蚀后的表面进行测试,并采用多种分析方法对测试结果进行分析。从分析结果可以看出三维四向结构的碳/酚醛复合材料随着纤维体积分数的增加,烧蚀性能变好,较低纤维体积分数(50%)的三维五向结构碳/酚醛复合材料具有较好的烧蚀性能。 相似文献
114.
对近几年来公开发表的缝合复合材料弹性常数的细观力学模型进行了分析比较。通过计算对比了铺层纤维面内弯折、正弦波状弯曲、多项式描述纤维弯曲三个典型的缝合复合材料弹性常数的细观力学分析模型。结果表明,采用面内纤维弯折假设的弹性常数分析模型对缝纫参数的改变不敏感;采用面内纤维弯曲假设的模型对缝纫参数改变敏感,不同模型得到的弹性常数随缝纫参数变化趋势几乎是相同的。但是,假设纤维在针脚附近只有部分纤维发生弯曲比假设纤维全部发生弯曲得到的结论更合理。 相似文献
115.
代晓青%曾竟成%刘钧 《宇航材料工艺》2007,37(4):31-33
用DSC研究了RFI工艺用环氧树脂的固化过程,研究表明:该固化反应较复杂,其反应动力学方程为dα/dt=2.27×10^4exp(-4764.65/T)(1-α)^0.861.为RFI用环氧树脂固化工艺的确定提供了理论依据. 相似文献
116.
张振甫%肖军%吴海桥%李勇%文立伟 《宇航材料工艺》2007,37(2)
研究了一种基于自动铺带技术的复合材料锥壳0°铺层成型方法:根据锥壳构件尺寸将等宽预浸带数控分切成预定尺寸的直角梯形预浸带片,按特定方式铺放到锥壳表面并使每两片拼成一个等腰梯形单元,多个等腰梯单元形构成锥壳的0°铺层;并针对这种成型方法设计了一种实现锥壳0°铺层自动成型的装置.采用该方法及其设备可以实现锥壳0°铺层的自动化制造,提高成型效率、降低废料率、稳定工艺质量,降低装备制造成本. 相似文献
117.
王新坤%万红%熊德赣%汪定江%陈名华 《宇航材料工艺》2004,34(4):35-38
以高模高强碳纤维M40J(6K)增强铝基复合管为研究对象,研究了真空反压液相浸渗工艺中,纤维束丝分散技术、预制件压缩强度提高技术及碳纤维涂层对管件成型及性能的影响。结果表明:SiCp可以起分散作用,有利于浸渍;加入10%的偏磷酸盐的预制件经680℃真空去胶后的压缩性能满足浸渗要求,纤维保持了较好的平直度且分布均匀。C-Al2O3涂层对复合材料的性能有较大影响,经涂层处理后的预制件所制备出的复合材料的强度比未经涂层处理的提高了13%左右。所制备的复合材料的比强度、比模量较高,密度小于2.5g/cm^3。 相似文献
118.
陈利%李嘉禄%冯志海%姚承照%李学明 《宇航材料工艺》2003,33(2):29-33
基于经典层合板理论和叠层板模型,建立了一种分析三维四向编织复合材料力学性能的方法。在叠层板模型中,代表性体积单元的厚度为编织复合材料的整体厚度,宽度为一个编织花节宽度,长度为一个编织花节长度,并简化为具有不同材料主方向的单向层板的叠合结构。不同层板间的交叉重叠按各层板性能的体积平均进行简化,同时假设代表性体积单元具有均匀的中面应变和曲率。此外,模型中考虑了编织纱线的排列方式以及表面纱线的影响。理论分析结果与实验值吻合较好。 相似文献
119.
徐家文%朱永伟%胡平旺%云乃彰%严德荣 《宇航材料工艺》2003,33(2):48-52
以平行直纹型面的数控展成电解加工为例,对数控电解加工整体叶轮的主要关键技术,包括成形规律、展成运动、数控编程、阴极设计制造、机库及多轴联动数控系统、典型叶轮加工工艺逐一进行了介绍。 相似文献
120.
李瑞琦%李春东%何世禹%杨德庄 《宇航材料工艺》2007,37(3):13-16
采用蒙特卡罗方法(MC方法),模拟了质子辐照时质子的能量损失、射程、射程偏离及其产生的空位缺陷和电离能损分布。模拟结果表明:入射能量在10~300keV区间,Kapton/Al对入射质子的阻止本领主要取决于电子阻止本领,在80keV出现峰值,可作为地面模拟试验能量选取的参考;质子在Kapton/Al中的射程分布可近似看作高斯分布,质子射程及其偏离随能量增加而增加;位移缺陷和电离作用是两个相对的过程,低能时主要表现为位移缺陷,高能时表现为电离作用。 相似文献