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1.
为了解激波/边界层干扰作用下壁板气动弹性及其对流动分离的影响,采用自主开发的双向流固耦合求解器,对不同激波冲击位置下壁板的振动响应和流动特性进行了数值模拟研究。壁板几何非线性运动方程采用有限差分法求解,基于有限体积法求解Navier-Stokes方程组,对流通量采用MUSCL和AUSMPW+格式离散,双向流固耦合采用交错迭代算法。研究结果表明:激波/边界层干扰作用下壁板振动位移先增大后减小,经若干振荡周期后达到稳定颤振状态,呈现二阶振动模态,壁板变形相对于激波冲击位置呈现非对称性,壁板前部分的振幅始终小于壁板后部分;激波冲击位置可显著改变壁板的颤振振幅、频率及分离区长度,当激波冲击位置靠近壁板两端时,壁板振动最终收敛达到静稳定状态;壁板振动响应与流场特征不随激波冲击位置的改变而单调变化,对于激波冲击位置x/a=0.35工况,壁板颤振可有效抑制激波/边界层干扰流动分离。  相似文献   
2.
为实现三维内转进气道的内收缩流场与圆锥前体的外压缩流场的良好匹配,提出了一种双模块下颌式内转进气道/圆锥前体(Double-modules Chin Inward-turning Inlet and Conical Forebody,DCII/CF)一体化设计方法,获得一种新颖的双发并置、侧向安装的DCII/CF一体化布局。针对该布局形式,开展了DCII/CF一体化构型与传统的单模块内转进气道/圆锥前体(Single-module Inward-turning Inlet and Conical Forebody,SII/CF)一体化构型的数值对比研究。结果表明:DCII/CF一体化布局不仅为内转进气道提供了优秀的前体附面层排移效果,还有效避免了传统SII/CF布局中前体附面层与进气道内部流场之间的相互干扰。在Ma∞=6.0设计状态,DCII/CF一体化布局的进气道总压恢复系数相较传统的SII/CF布局有了显著提高,从0.403提高至0.482;但由于前体附面层的排移,该布局的捕获流量略有降低, SII/CF的流量系数为0.956,该布局则为0.917。而在非设计状态,该布局形式同样具备较好的总压恢复性能,在Ma∞=5.0与Ma∞=4.0的总压恢复系数分别达到了0.586和0.682,明显高于SII/CF的总压恢复系数0.507和0.619。  相似文献   
3.
4.
对高强度辐射场(HIRF)环境特点与干扰类型进行分析,采用理论计算、计算机仿真技术(CST)的仿真分析及实测等方法分别对某型飞机航空电子系统综合显示单元的外部强电磁辐射场孔缝耦合、场线耦合及芯片前端电路影响关键芯片的相关规律进行了研究,给出了相关设计建议。结果表明,可通过分析孔缝、场线耦合获得进入关键芯片前端电路的电磁干扰能量,再结合关键芯片前端电路网络对干扰的插入损耗分析,获得关键芯片在外部强场激励下的感应电压。  相似文献   
5.
ADI方法求解完全跨声速非定常小扰动方程   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文修改了Whitlow的ADI格式,以便求解另一变形的完全跨声速小扰动方程。本文给出的NACA64A006和NACA0012翼型的非定常跨声速流动的计算结果与其它数值结果和实验结果的比较表明本文格式是合理的且便于实际应用的。  相似文献   
6.
7.
8.
本文用自制的装有 BaF_2探头的高探测效率的正电子湮没寿命谱仪测量了在室温下正电子素 o-Ps 与 p-RPhG 及 m-RPhG(R=NO_2,Cl,H,CH_3,cH_3O)在20%(V/V)二氧六环水溶液中的络合形成速度常数。实验结果表明,这些o-Ps-M 络合形成速度常数 K 值均与作为配位体的 p-RPhG、m-RPhG 的碱性解离常数 K 的负对数 pK_2 呈线性函数。这表明上述瞬态络合反应满足线性自由能关系,由此可推断出上述络合反应的一些重要性质。  相似文献   
9.
10.
采用以弹性应力分析和塑性失效准则为基础的分析设计方法,对液体介质的高压小直径密封结构进行了理论分析及工艺试验,同时分析了影响密封效果的各种规范参数。经实际应用,证明该设计方法完全达到了设计要求。  相似文献   
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