暗条模型中暗条电流纵向分量的考虑

用暗条电流模型中矩形电流回路来研究NOAA131活动区暗条,结果得到暗条上升时弯曲成"U"形态,跟观测结果不符.因此本文推知:考虑暗条电流的纵向分量时一种椭圆形回路似乎比矩形回路更接近于暗条实际.      

AR2522活动区中暗条的演化与耀斑的爆发

利用AR2522活动区多波段的观测资料,分析了暗条演化与1B/M4级双带耀斑爆发之间的关系。结果表明:(1)足点的剪切运动导致暗条电流增强和耀斑贮能;(2)暗条上升运动和绞扭现象是暗条电流增强和耀斑贮能的结果;(3)Marttens-Kuin模型至少适合于解释与暗条快速上升有关的双带耀斑爆发。      

暗条电流演化和耀斑储能

利用紫金山天文台观测的编号为McMath8207和McMath16171两个活动区光学资料,采用KR和KS两种理论模型,计算了活动区暗条电流演化过程.结果表明:不同的暗条扰动可以导致不同类型的耀斑;出现在强活动区新浮磁流附近的拱状暗条可用KR模型描述,它们往往处于较低层次,具有较强的初始电流,在新浮磁流的挤压和剪切作用下可形成中性电流片,导致高能耀斑发生.而符合KS模型的宁静暗条,在新浮磁流或耀斑波作用下亦可被激活,但其初始电流较弱,往往只能为热耀斑提供能量.      

活动区新浮磁流和暗条的激活

用数值计算方法探讨了新浮磁流驱动下暗条运动的基本规律。计算表明,活动区新浮磁流是驱动暗条运动导致暗条激活的有效机制之一,这个过程是通过暗条电流和背景磁场的相互作用来实现的。当选取不同强度的浮现磁流时,暗条可出现周期性振荡、激活上升和闪烁;此外,对同极性磁流浮现,当浮现强度足够强时,暗条一开始就会下沉。      

1986年2月4日AR4711拱形双带黑子暗条系激活的分析

根据1986-02-04AR47ll由观测所确定的物理参数和特征值,采用电动力学方法数值计算该活动区中两个拱形黑子暗条在大耀斑爆发前的动力学演化过程.结果表明:(1)以旋涡黑子为标志的光球物质旋转运动和以暗条下方磁力线强剪切为特征的剪切运动引起暗条电流增加和背景磁场变化,电流和磁场的相互作用导致暗条向上运动,大耀斑爆发前暗条的上升速度达26km／S;(2)背景场位形对暗条整体动力学行为有很大影响,AR47ll在7×104km高度范围内场强随高度似乎按指数规律衰减.      

低轨道航天器高电压太阳电池阵电流泄漏效应分析计算

在一种简化的太阳电池阵结构模型基础上, 利用太阳电池阵电流收集经验模式,基于电流平衡, 建立了一种计算低轨道航天器高电压太阳电池阵在等离子体环境中电流泄漏的方法. 利用该方法, 对高电压太阳电池阵电流泄漏效应与低轨道等离子体环境、电池阵电压、电池阵裸露金属面积的关系进行了分析计算.结果表明, 随着轨道高度增加, 电流泄漏引起的电池阵功率损失迅速下降, 影响最严重的区域为电离层等离子体密度最高的300～400 km高度的轨道区域; 电流泄漏引起的功率损失与太阳电池阵电压呈指数关系, 电压越高功率损失越大; 200 V以下的电池阵功率损耗较小, 远低于电源系统总功率的1%;电流泄漏与太阳电池阵裸露金属导体的表面积呈正比关系, 因此, 通过减少太阳电池阵裸露面积, 可以降低电流泄漏的影响.      

基于转子不平衡响应的磁轴承磁力参数辨识

针对磁轴承磁力参数理论设计值不精确的问题,提出了一种基于不平衡响应的磁力参数实验辨识方法.利用转子的质量不平衡在高速转动时的离心力效应,通过检测磁轴承在零电流控制状态下的同频位移响应和零位移控制状态下的同频电流响应,解算磁轴承磁力参数.设计了基于通用陷波器原理的零位移控制器和零电流控制器,并通过设置T矩阵保证闭环系统稳定.实验结果表明:基于不平衡响应的磁力参数辨识方法,辨识结果与理论设计值差别在20%之内,证明了该方法的正确性和改进磁轴承力学参数的有效性.      

电离辐射对部分耗尽SOI器件关态电流的影响

针对辐射前后环栅与条栅结构部分耗尽绝缘体上硅(SOI,Silicon On Insulator)器件关态电流的变化展开实验,研究结果表明辐射诱使关态电流增加主要取决于侧壁泄漏电流、背栅寄生晶体管导通、带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应.在条栅结构器件中,辐射诱生场氧化层固定电荷将使得器件侧壁泄漏电流增加,器件前、背栅关态电流随总剂量变化明显;在环栅结构器件中,辐射诱使背栅晶体管开启将使得前栅器件关态电流变大,而带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应将使得器件关态电流随前栅电压减小而迅速增加.基于以上结果,可通过改良版图结构以提高SOI器件的抗总剂量电离辐射能力.     

电离辐射对部分耗尽SOI器件关态电流的影响

针对辐射前后环栅与条栅结构部分耗尽绝缘体上硅(SOI,Silicon On Insulator)器件关态电流的变化展开实验,研究结果表明辐射诱使关态电流增加主要取决于侧壁泄漏电流、背栅寄生晶体管导通、带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应.在条栅结构器件中,辐射诱生场氧化层固定电荷将使得器件侧壁泄漏电流增加,器件前、背栅关态电流随总剂量变化明显；在环栅结构器件中,辐射诱使背栅晶体管开启将使得前栅器件关态电流变大,而带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应将使得器件关态电流随前栅电压减小而迅速增加.基于以上结果,可通过改良版图结构以提高SOI器件的抗总剂量电离辐射能力.     

会切磁场推力器低频振荡特性

针对会切磁场推力器的低频振荡特性,将推力器的工作模式分为高电流模式和低电流模式,在此基础上研究了低频振荡随工作参数和磁场位形的变化特性,并针对推力系统外回路对低频振荡的影响进行了研究。结果表明,在高质量流量下,随着放电电压的增加,会切磁场推力器的工作模式从高电流模式转换为低电流模式。在高电流模式下,放电电流具有高振幅、低频率的特征,羽流比较模糊,并且电流振荡幅值随着放电电压增大呈先增大后降低的趋势,而对应的振荡频率随着放电电压的增大而增大。在低电流模式下,放电电流具有低振幅、高频率的特征,羽流有两条明显的亮线,并且电流振荡幅值和频率均随放电电压的增大而增大。在不同工况下,随着质量流量增大,放电电流振荡幅值和频率均呈现增大的趋势。研究还发现,外回路中的电阻和电感对低频振荡起到一定的抑制作用,而电容对低频振荡的影响并不明显。     

Evolution of coronal mass ejections in the early stage

This work reports the investigation of two coronal mass ejections (CME) observed in white light, H, EUV and X-ray by various instruments both in space and on ground on February 18, 2003 and January 19, 2005, respectively. The white light coronal images show that the first CME began with the rarefaction of a region above the solar limb and was followed by the formation of its leading edge at the boundary of the rarefying region at altitude of 0.46 R from the solar surface. The rarefaction coincided the slow rising phase of the filament eruption, and the CME leading edge was observed to form as the filament eruption started to accelerate apparently. In the early stage of the second CME, a bright loop was first observed above the solar limb with height of 0.37 R in EUV images. We found that the more gradual CMEs initial process, the larger the timing difference between CMEs and their associated flares. The lower part of the filament brightened in H images as the filament rose to a certain height. These brightenings imply that the filament may be heated by magnetic reconnection below the filament in the early stage of the eruption. We suggest that the possible mechanism which led to the formation of the CME leading edge and cavity is magnetic reconnection which occurred under the filament when it reached a certain height.     

150kV逆变电源性能优化及其束源特性

为了进一步提高电子束流发生系统工作的可靠性和稳定性,提高电子束加工质量,采用AC-DC-AC-DC-AC-DC的拓扑电路、新型功率变压器、高压脉冲检测技术、优化的束流反馈控制与灯丝加热电流闭环反馈控制技术等,分别优化了高压加速电源、偏压电源与灯丝加热电源。将所研制逆变电源与150 k V/30 k W电子枪、真空系统等组成了一套电子束流发生系统,测试了该电子束流发生系统输出的高压、最大束流以及灯丝加热电流、偏压变化对束流输出的影响。试验结果表明:经过优化的逆变电源高压输出达到-150 k V,高压输出线性度较好,最大束流达到200 m A;高压、灯丝加热电流给定时,随着偏压降低,束流输出逐渐增大;高压、偏压给定时,随着灯丝加热电流增大,束流输出存在死区、线性增大区和恒流区。     

1980年7月14日耀斑和磁流浮现模型

本文利用云南天文台耀斑H_α巡视观测、活动区白光照相及速度场资料,结合SMM的X射线资料和北京天文台的射电观测资料,对1980年7月14日日面3B级大耀斑进行了综合研究。对照耀斑过程的磁流浮现(EMF)模型,我们分析了活动区的形态变化特征,估算了耀斑释放的磁能、耀斑过程的特征时间及耀斑爆发时加速的电子总数和加速电子的平均能量。结果表明:(1)耀斑过程的EMF模型与观测结果基本符合,可以认为EMF模型能够较好地说明耀斑的物理过程。(2)根据对速度场资料及耀斑产生位置的分析,初步认为电流片可能位于速度中性线与磁中性线的交点处及其附近,或速度中性线与暗条的交点处及其附近[3]。(3)观测和计算表明,硬x射线爆是由电流片中加速的高能非热电子所产生,而软X射线爆则由耀斑区的高温等离子体的热轫致辐射所产生。      

等离子体中稳恒流形成电双层的机制

在考虑稳恒流产生磁场的基础上,通过求解双时标,双流体方程组,从理论上对电双层形成的机制进行了研究,解释了实验室中产生电双层现象所必须引入的条件──必须有带电粒子流的注入．     

The magnetohydrodynamic development of two-ribbon flares or a five-finger theory for solar flares

A semi-analytical model for the electrodynamic development of two-ribbon flares is presented. A current filament above a bipolar active region starts rising according to the model of Van Tend and Kuperus. Due to this motion large induced electric fields arise at a magnetic neutral line far below the filament, resulting in and associated with magnetic reconnection and the formation of a current sheet. The interaction of this current sheet with the original current filament, the background magnetic field and the boundary layer of the photosphere determine the further electrodynamic development of the flare. The model predicts the energy release, the time of maximum, the height of the energy source and other quantities reasonably well.     

流动对太阳黑子精细结构的影响

考虑磁扩散率为温度的函数以及绝热条件,线性扰动磁流力学方程组的色散方程是频率的三次方程。由于沿磁场流动的速度u₀小于声速u_s,即ε=u₀2/u_s2是一个小量,在零级近似下解色散方程,得到了磁扩散不稳定性。本文进一步讨论在一级近似下小流动对磁扩散不稳定性的影响。结果表明,小流动不破坏磁扩散不稳定性的存在,并且,它对波数空间中的不稳定区也影响不大。