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梁家昌 《中国民航学院学报》1994,12(3):79-87
通过变温与变激发强度的近红外光致发光研究了用ＭＯＣＶＤ方法、生长在ＧａＡｓ衬底上的Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ（ＧａＩｎＰ２）外延薄膜的１．１７ｅＶ发射带的发光特性。１．１７ｅＶ发光带性质与０．９９ｅＶ及０．８５ｅＶ发光带的性质有着明显的差别。１．１７ｅＶ发光带的机理可用施主－受主对的复合发光来解释，其中施主－受主对系白处在Ｇａ格位上的Ｓｉ（ＳｉＧａ）及其最邻近的Ｇａ空位（ＶＧａ）所组成，记作ＳｉＧａ－ＶＧａ。考虑到ＧａＩｎＰ２中存在着很强的电子－格子耦合作用及其Ⅲ族子格子为部分有序，所以在施主－受主对复合发光中应计及Ｆｒａｎｃｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移△ＦＣ及该对在等效的部分有序势场中的相互作用能Ｅｓ（ＤＡＰ）。Ｘ—射线衍射实验表明，部分有序结构相当于成分调制，因而可用Ｋｒｏｎｉｇ－Ｐｅｎｎｅｙ模型来计算Ｅｓ（ＤＡＰ）值。这样，我们就导出了施主－受主对复合发光的新的能量表示式。 相似文献
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本文对在Ｓｉ衬底上用金属－有机的化学汽相沉积法生长的ＧａＡｓ外处膜中的１．０４ｅＶ发射作了变温与变激发强度的近红外光致发光研究。该１．０４ｅＶ发射可用由Ｖ＾１－ＡＳ施主及Ｖ＾１－ＧＡ受主所组成的施主－受主对的复合发光来给予很好解释。 相似文献
3.
利用分子束外延，我们用不同的生长速率生长了不同Ｘ值的ＡｌｘＧａ１－ＸａＳ／ＧａＡｓ异质结构，对这些不同的样品进行了室温及液氮温度Ｈａｌｌ迁移的测试，并进行了分析讨论。 相似文献
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研究了６０６１Ａｌ合金和ＳｉＣＷ／６０６１Ａｌ复合材料在１７０℃、１９０℃和２２０℃三种温度下的时效析出行为，分析了峰时效温度对６０６１Ａｌ合金和ＳｉＣＷ／６０６１Ａｌ复合材料拉伸性能的影响。研究结果表明，６０６１Ａｌ合金弹性模量不随峰时效温度的提高而发生变化，屈服强度和抗拉强度随峰时效温度的提高而略有下降；ＳｉＣＷ／６０６１Ａｌ复合材料的弹性模量则随峰时效温度的提高而略有下降，ＳｉＣＷ／６０６１Ａｌ复合材料屈服强度和抗拉强度随峰时效温度的提高而明显降低。 相似文献
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ＦＡＴＩＧＵＥＤＩＳＬＯＣＡＴＩＯＮＣＯＮＦＩＧＵＲＡＴＩＯＮＳＩＮＨＥＸＡＧＯＮＡＬＺＩＲＣＡＬＯＹ－４￥ＸｉａｏＬｉｎ（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＭｅｃｈ．，Ｘｉ＇ａｎＪｉａｏｔｏｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｘｉ＇ａｎ，Ｃｈｉｎａ... 相似文献
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郭献东 《自动驾驶仪与红外技术》1999,(4):17-20
红外（ＩＲ）探测器技术对弹道导弹防御的各个方面的都是至关重要的。传统的材料系统,象锑化甸（ＩｎＳｂ）、硅化铂（ＰｔＳｉ）、碲镉汞（ＭＣＴ）和砷掺Ｓｉ：Ａｓ）占据了红外探测领域。但随着监测探测器和拦截导引头的引进,要求在中波（ＭＷ）、长波（ＬＷ）和超长波（ＶＬＷ）红外波段具有大面积、高无效性和多色（或多光谱）红外焦平面阵列器件。建立在晶格匹配基础上的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ和应变层ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡ 相似文献
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