用氮化铝基片制成的高功率小型开关

固态ＰＩＮ二极管开关比等效机电式或铁氧体式开关更快、更小，可靠性也更高。因此，在低功率和高功率运用中，它们被广泛用作控制元件。     

微波集成高频头

介绍了微波集成高频头的组成、工作原理和用途.给出了几种典型的集成耿氏二权管振荡器的设计和计算方法,以及本微波集成高频头的实施电路和计算方法.最后给出了微波集成高频头的实验结果和主要技术参数达到的水平.本微波集成高频头的灵敏度可达10~(-6)dBm,可以用作各种不同作用距离的民用报警器的高频头.     

基于雪崩二极管的太赫兹高次谐波混频器

文章介绍了一种基于雪崩二极管的太赫兹高次谐波混频器。雪崩击穿效应中的非线性特性能够引起高次谐波的频率变换效应。这种特性使雪崩二极管能够应用于毫米波及太赫兹频段的高次谐波混频。文章基于雪崩击穿效应中的非线性特性产生高次谐波的频率变换效应,提出将雪崩二极管应用于太赫兹频段的高次谐波混频,并从理论上分析高次谐波特性及其电路结构。16次谐波混频器获得了15dB的变频损耗,实验结果表明雪崩管高次谐波混频技术是一种极具应用价值的技术。     

2CU型光电二极管特性测试及应用系统

2CU型光电二极管在光电开关、计数、角度测量等许多领域得到了广泛的应用,本文基于2CU型光电二极管设计了一种其特性参数测量系统,并在此基础上研制了一种光电二极管开关计数电路。实验表明,本系统无论是在光电二极管的特性测量上,还是在具体的计数应用中,都收到了较好的效果,为具体开发实际系统打下基础。     

空间用太阳翼电路部分隔离二极管应用分析

针对空间太阳翼隔离二极管的应用,结合标准规范及太阳翼电路部分的工程设计约束与在轨应用经验,给出了空间太阳翼电路部分隔离二极管的设计方案;结合工程研制经验,给出了不同类型太阳翼电路部分隔离二极管的应用建议,为相关科研人员提供参考。     

星载微波功放二极管线性化器研究

文章讨论了两种应用GaAs肖特基二极管实现的线性化器。首先进行了原理分析,之后给出了具体的电路形式和仿真结果,最后得出这两种结构线性化器是否适合星载微波功放的结论。     

自调节模拟低通滤波器的研究

通过对有源低通滤波器，频率／电压转换器AD650及其变容二极管的特性分析，提出由信号频率来自调节有源低通滤波器截止频率的新设计方案，并对其可行性进行了分析和研究。     

二级管理体制下高校教学秘书的角色再定位研究

教学管理工作是稳定教学秩序、顺利开展教学工作的保障,是提高教学质量和办学水平的基础。在推行学校二级管理体制的新背景下,教学秘书的工作强度和工作压力加大,必须对教学秘书角色再定位,从而更加有力的保障教学秩序、提高教学质量,尤其对教学秘书的职业发展,都具有积极的意义。     

一种超宽带脉冲信号发生器的设计

介绍超宽带(UWB)技术,利用阶越恢复二极管(SRD)产生超宽带窄脉冲信号的微带结构电路,获得了纳秒级的超短、快速前沿的1ns单极性UWB脉冲。分析讨论电路原理与设计方法,实测结果显示该电路产生的脉冲信号具有良好的波形,并且脉冲拖尾的震荡起伏很小,适用于超宽带无线通信的窄脉冲信号形成电路。     

一种新型微波功放线性化器

文章讨论了应用微波GaAs FET和微波二极管实现的微波功放线性化器。首先介绍了一些已有的FET线性化器;然后给出了一种新型的由GaAs FET和微波二极管共同实现的线性化器电路,并由Agilent ADS软件仿真;最后给出了微带实现的实际电路。这种线性化器具有可调节性强、适用范围广等特点,便于工程应用。     

一种太赫兹可重构超表面设计方法

太赫兹是第六代无线通信系统的核心技术之一,而可重构超表面技术作为太赫兹感通一体的难点问题,对其进行研究具有重大的意义和价值。本文提出了一种基于肖特基二极管的1 bit相位可重构超表面,通过控制肖特基二极管的偏置电压可以控制超表面单元在‘0’和‘1’两种工作状态间切换,可重构超表面单元在203GHz～230GHz的频段内实现了在‘0’,‘1’两种状态下反射幅度均大于-1dB,反射相位有180°±20°的变化,基于对单元进行组阵仿真试验,通过合理的设计阵面上单元的工作状态,可以实现波束扫描功能。本文所提出的方法为太赫兹可重构超表面的研究提供了一种新思路,在未来6G太赫兹通信等领域有重要的应用价值。     

自调节模拟低通滤波器的研究

通过对有源低通滤波器,频率/电压转换器AD650及其变容二极管的特性分析,提出由信号频率来自调节有源低通滤波器截止频率的新设计方案,并对其可行性进行了分析和研究。     

Ka频段集成谐波混频器

介绍一种新颖的混合集成谐波混频器电路及设计方法。该混频器使用一只反向并联混频二极管对。介质材料采用RT—Duriod 5880.经测试，当射频频率为34.2～35.2GHz，中频频率为100MHz时，获得的变频损耗小于10.5dB，其中最好的为8.5dB。     

一种微波输能的高效二极管阵列整流电路设计与分析

微波无线能量传输是实现远距离无线传能的主要方式之一，也是空间太阳能电站系统的核心技术之一。微波整流电路是实现微波到直流转换的关键环节，为实现大功率、远距离微波无线能量传输，文章设计了一种频率为2.45GHz的二极管阵列整流电路，能在大功率下完成高效整流，且对负载变化的敏感度低。测试表明：在27dBm输入功率、150Ω负载下，MW DC转换效率最大达71.83%；输入功率为23~32dBm时的转换率高于65%；即使输入功率低至17dBm的转换率仍高于50%。因此，论文所提整流电路的输入功率动态范围大，最高可达32dbm，且转换效率高，可用于微波无线能量传输中。     

利用全光纤Mach-Zehnder干涉仪对二极管激光器瞬态特性进行表征

可调谐二极管激光器在电流调谐过程中的瞬态特性,包括瞬态输出波长和线宽等光学参数,在TDLAS系统中是一个重要的参数需要进行实时准确的测定。而常规的测量方法无法同时满足高精度与高速度的要求,因此,对短光纤延迟差拍法测量TDL的动态特性进行了理论分析和实验研究,搭建测试系统,确定了光纤延迟线长度与调谐率对差拍信号纯度的影响,并分别对DFB型TDL的动态调谐特性进行了实时测量,由差拍信号得到激光器在一个电流调谐周期内对应于不同注入电流的瞬态输出波长及其线宽,即电流调谐瞬态特性。实验结果与由光谱仪测得静态特性比较后发现两者误差在0.003nm范围内,光纤延时自外差法可以对TDL瞬态特性进行快速实时而准确的监测。将其应用于TDLAS系统可提高测量精度,且可以根据监测的瞬态特性最终实现对TDL实时监控与优化。     

利用全光纤Mach-Zehnder干涉仪对二极管激光器瞬态特性进行表征

可调谐二极管激光器在电流调谐过程中的瞬态特性,包括瞬态输出波长和线宽等光学参数,在TDLAS系统中是一个重要的参数需要进行实时准确的测定。而常规的测量方法无法同时满足高精度与高速度的要求,因此,对短光纤延迟差拍法测量TDL的动态特性进行了理论分析和实验研究,搭建测试系统,确定了光纤延迟线长度与调谐率对差拍信号纯度的影响...     

p-GaN/n-Ga2O3结终端延伸肖特基二极管结构仿真研究

由于缺少p型氧化镓，造成调制电场十分有效的pn结结终端延伸(junction terminal extension,JTE)结构无法使用，提出采用p-GaN与n-Ga2O3之间形成pn结JTE结构，有效解决了这一问题。同时为进一步提升氧化镓肖特基二极管击穿电压提供理论指导，运用Silvaco软件对p-GaN/n-Ga2O3结终端延伸肖特基二极管（schottky barrier diode,SBD）进行了仿真研究，通过与对照肖特基二极管对比发现采用p-GaN/n-Ga2O3 JTE结构的SBD击穿电压由880V增加到1349V，代价是器件正向导通电阻略微增加，由4.68mΩ·cm2增至5.62mΩ·cm2。探究了p-GaN深度对肖特基二极管特性的影响，发现p-GaN深度由0.3μm增加到1.2μm，器件击穿电压由1349V进一步提升到1685V，同时器件导通电阻基本不发生变化。通过仿真实验证明了p-GaN/n-Ga2O3 JTE结构提升SBD反向击穿特性的可行性。     

一种基于共面线的毫米波宽带预失真线性化技术

针对毫米波卫星通信前端发射系统中固态功率放大器的非线性失真问题,提出了一种新型毫米波模拟预失真线性化技术。该技术采用毫米波共面线集成非线性器件,与传统的基于微带线集成非线性二极管器件的方法相比,避免了接地电感等不连续性干扰,提高了工作频率,拓展了工作带宽,在毫米波频段实现了宽带预失真非线性补偿。试验结果表明:在Ka波段13GHz(25~38GHz)频率范围内,由该技术实现的预失真线性化电路在输入功率15dB变化范围内,实现了3dB左右的增益幅度扩张和20°左右的相位压缩。将该预失真线性化技术应用于改善一型工作频率为29.6~30GHz,输出功率为5 W的毫米波功率放大器的线性性能。双音信号测试结果表明:功放在1dB压缩点回退7dB的条件下,三阶交调失真改善度高于10dB,并在29.8GHz时达到19dB。该技术可用于满足现代大容量、高速无线通信,特别是毫米波卫星通信前端系统的需求,实现高质量、低误码率的数据无线传输链接。     

三毫米波段四次谐波混频器的研究

文章采用微带结构研制出三毫米波四次谐波混频器。该混频器核心器件采用型号为MS8251-P261的GaAs梁式引线肖特基势垒二极管对。先用谐波平衡法分析出反向并联二极管对在本振信号单独激励下的大信号阻抗,并由此设计出本振网络;然后模拟出该器件在大信号本振激励下的小信号射频输入阻抗,并由此设计出射频网络。整个电路设计和安装在介电常数为2.22、厚度为0.127mm的RT/Duriod 5880基片上。当本振频率为23.15GHz时,该混频器射频输入88GHz～94.4GHz,实测带内变频损耗小于20dB。