一种W波段低损耗宽带单平衡混频器设计

针对某型半实物仿真系统大带宽、高动态的技术需求,研制了一种覆盖整个W波段的单平衡混频器。混频器基于波导-石英混合电路以及分立肖特基二极管设计,射频信号经减高波导同相激励两个肖特基结,以减少无源电路的额外损耗。本振信号通过波导E面探针输入,以准TEM模反相激励肖特基结。测试结果表明,所设计混频器在13dBm本振功率激励下,可在75~110GHz范围内实现6~8dB的单边带变频损耗,中频带宽为DC~35GHz。该混频器与国内外同类高性能产品技术性能相当,已成功应用于W波段半实物仿真系统中。     

星载183GHz分谐波混频器的设计

文章采用TERATECH公司研制的肖特基二极管,设计了一种星载183GHz分谐波混频器。长9mm、宽0．42mm的混频器电路被放置在腔体中,包括波导过渡到微带的本振和射频频率匹配部分。仿真结果表明本振功率仅为3mw时,变频损耗在173GHz～193GHz频率范围内小于9dB,变频损耗幅度平坦度小于1dB。     

Ka频段集成谐波混频器

介绍一种新颖的混合集成谐波混频器电路及设计方法。该混频器使用一只反向并联混频二极管对。介质材料采用RT—Duriod 5880.经测试，当射频频率为34.2～35.2GHz，中频频率为100MHz时，获得的变频损耗小于10.5dB，其中最好的为8.5dB。     

星载Ku频段混频器研制

叙述了一种可用于星载微波接收机的14/12GHz谐波混频器的原理、设计、仿真及实验结果。该混频器主要由Lange耦合器、输入、输出滤波器以及匹配网络等部分组成。在14.00～14.25GHz的频率范围内变频增益为-16.52dB,带内平坦度优于1dB,驻波比小于2。     

毫米波技术的系统应用

在过去几年里毫米波技术取得了巨大进展,现已研制成功的元器件有改进的发射机和本振信号源,它们具有功率大、寿命长等特点,并能产生复杂的调制波形(脉冲压缩、调频/连续波、频率捷变或雷达用的相参动目标显示)。另外也研制成低噪二极管混频器,它使接收机的灵敏度大为改善(致冷式混频器已使噪声温度小于75K,工作频率约为100GHz)。此外,因采用梁线式结     

基于谐波调谐的F类30W高效率放大器设计

文章基于CREE公司的CGH40025氮化镓HEMT器件，利用谐波调谐的方法，设计了一种L波段F类30W高效率放大器。该放大器由偏置电路、输入匹配电路及输出匹配电路构成。偏置电路由四分之一波长线和射频电容构成，完成电源供电与射频厄流作用。在输入匹配网络中，利用共轭匹配，完成增益最大化设计，同时，利用RC网络构成稳定电路。在输出匹配网络中，利用微带开路和短路阻抗线，完成了基波阻抗匹配、二次谐波阻抗短路和三次谐波阻抗无穷大的设计。在1.5GHz处进行连续波测试，放大器输出功率为45.02dBm（31.7W），增益为15.7dB，功率附加效率（PAE）为71%，漏极效率（DE）为73%。 在频率1.25GHz～1.52GHz的带宽内，功率变化范围为44dBm～45dBm，附加效率变化范围为50%～72%。 测试结果表明，通过谐波阻抗的设计与调整，完成了对放大器输出电压和电流波形的控制，从而达到高效率放大器设计的目的。     

Ku波段镜像抑制混频器的研制

介绍一种小型化Ku波段镜像抑制混频器设计方案,以单片无源双平衡混频器为基础,对主要关键电路射频正交耦合器、中频正交耦合器以及本振同相功分器进行电路优化设计及制作。在近1GHz的带宽内成功实现了镜像抑制大于20dB,插入损耗小于10dB,隔离度大于25dB的Ku波段无源镜像抑制混频器。实测结果表明,系统具有低损耗、高隔离度、高镜像抑制及高集成度的特点,在捷变频雷达、通信及遥测等系统中具有较好的应用前景。     

宽频带正交混频器设计

对宽带正交混频器进行研究和分析,设计实现一款C频段宽带正交混频器,并对其主要技术指标进行测试。该宽带正交混频器用于上变频时,变频插损小于13dB,镜频抑制大于15dB,本振抑制大于14dB;用于下变频时,输出中频基带I、Q信号500MHz带内,平坦度小于3dB,I、Q相位正交一致性良好,小于5°。     

FET阻性混频器

本文描述了一种Ｌ／Ｋｕ平衡ＦＥＴ阻性混频器。栅极加本振信号和一定的栅偏压，中频信号加到漏极，射频信号经匹配滤波后也从漏极输出。变频损耗典型值７ｄＢ，在本振功率８ｄＢｍ情况下，１ｄＢ压缩点６．５ｄＢｍ，所有端口隔离大于２５ｄＢ。     

基于雪崩二极管的太赫兹高次谐波混频器

文章介绍了一种基于雪崩二极管的太赫兹高次谐波混频器。雪崩击穿效应中的非线性特性能够引起高次谐波的频率变换效应。这种特性使雪崩二极管能够应用于毫米波及太赫兹频段的高次谐波混频。文章基于雪崩击穿效应中的非线性特性产生高次谐波的频率变换效应,提出将雪崩二极管应用于太赫兹频段的高次谐波混频,并从理论上分析高次谐波特性及其电路结构。16次谐波混频器获得了15dB的变频损耗,实验结果表明雪崩管高次谐波混频技术是一种极具应用价值的技术。